【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种存储器及其制造方法、存储器系统。
技术介绍
1、三维存储器包括存储单元阵列和围绕存储单元阵列的密封环(seal ring，sr)。其中，密封环可以阻隔三维存储器在封装过程中产生的切割应力以及在制造和使用过程中外界水汽对存储单元阵列的影响，密封环还可以起到静电防护的作用。总而言之，密封环是三维存储器中不可或缺的结构，对于保证三维存储器的可靠性具有重要意义。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供一种存储器及其制造方法、存储器系统。
2、为达到上述目的，本公开的技术方案是这样实现的：
3、第一方面，本公开实施例提供一种存储器的制造方法，所述制造方法包括：
4、提供半导体结构，所述半导体结构包括半导体层和位于所述半导体层上的初始叠层结构，所述初始叠层结构包括交替堆叠的栅极牺牲层和层间绝缘层；所述半导体结构包括阵列区和外围区，所述外围区围绕所述阵列区；
5、形成沿堆叠方向贯穿所述初始叠层结构并延伸至所述半导体层的栅线隔槽和密封沟槽；所述栅线隔槽形成于所述阵列区，所述密封沟槽形成于所述外围区且所述密封沟槽围绕所述阵列区；
6、通过所述密封沟槽去除位于所述外围区的部分栅极牺牲层，以形成第一间隙。
7、在一些实施例中，所述形成沿堆叠方向贯穿所述初始叠层结构并延伸至所述半导体层的栅线隔槽和密封沟槽，包括：
8、在同一道工序中，同时形成沿堆叠方向贯穿所述初始叠层结构并延伸至所
9、在一些实施例中，所述形成沿堆叠方向贯穿所述初始叠层结构并延伸至所述半导体层的栅线隔槽和密封沟槽之前，所述制造方法还包括：
10、形成沿堆叠方向贯穿所述初始叠层结构并延伸至所述半导体层的虚设沟道结构；所述外围区包括所述虚设沟道结构；所述密封沟槽为环形沟槽，所述环形沟槽的内侧和外侧均形成有所述虚设沟道结构。
11、在一些实施例中，所述形成沿堆叠方向贯穿所述初始叠层结构并延伸至所述半导体层的栅线隔槽和密封沟槽之后，所述制造方法还包括：
12、在所述密封沟槽和所述栅线隔槽内填充牺牲材料。
13、在一些实施例中，所述阵列区包括核心区和连接区；
14、所述通过所述密封沟槽去除位于所述外围区的部分栅极牺牲层，以形成第一间隙之前，所述制造方法还包括：
15、形成沿堆叠方向延伸至所述初始叠层结构内的目标栅极牺牲层的台阶接触孔；所述台阶接触孔包括相连通的第一部分和第二部分，所述第二部分沿平行于所述半导体层的方向延伸且暴露出所述目标栅极牺牲层的侧壁，所述第一部分沿堆叠方向延伸至所述第一部分在平行于所述半导体层的方向上与所述第二部分相连通，所述第二部分围绕所述第一部分；所述台阶接触孔形成于所述连接区；
16、在所述台阶接触孔内填充牺牲材料。
17、在一些实施例中，所述栅线隔槽包括位于所述核心区的部分栅线隔槽和位于所述连接区的部分栅线隔槽；
18、所述通过所述密封沟槽去除位于所述外围区的部分栅极牺牲层，以形成第一间隙，包括：
19、去除位于所述密封沟槽、所述台阶接触孔和位于所述连接区的部分所述栅线隔槽内的牺牲材料；
20、通过所述密封沟槽去除位于所述外围区的部分栅极牺牲层，以形成第一间隙，以及通过位于所述连接区的部分所述栅线隔槽去除位于所述连接区的部分栅极牺牲层，以形成第二间隙；所述第二间隙和所述台阶接触孔相连通。
21、在一些实施例中，所述通过所述密封沟槽去除位于所述外围区的部分栅极牺牲层，以形成第一间隙之后，所述制造方法还包括：
22、去除位于所述核心区的部分所述栅线隔槽内的牺牲材料；
23、通过位于所述核心区的部分所述栅线隔槽去除位于所述核心区的栅极牺牲层，以形成第三间隙；第二间隙和第三间隙相连通。
24、在一些实施例中，所述通过位于所述核心区的部分所述栅线隔槽去除位于所述核心区的栅极牺牲层，以形成第三间隙之后，所述制造方法还包括：
25、通过所述密封沟槽、所述栅线隔槽和所述台阶接触孔，在所述第一间隙、所述第二间隙、所述第三间隙和所述台阶接触孔内依次形成介电层和第一导电层；位于所述阵列区的所述介电层和所述第一导电层共同形成栅极层；所述栅极层和所述层间绝缘层共同形成叠层结构；位于所述外围区的所述介电层和所述第一导电层共同形成虚设栅极层；所述栅极层在所述半导体层上的正投影和所述虚设栅极层在所述半导体层上的正投影之间具有间隔；
26、刻蚀去除所述密封沟槽、所述栅线隔槽和所述台阶接触孔的第一部分内的所述第一导电层；
27、刻蚀去除覆盖所述密封沟槽和所述栅线隔槽底部的所述介电层，以及刻蚀去除覆盖所述台阶接触孔的第一部分侧壁和底部的所述介电层。
28、在一些实施例中，所述刻蚀去除覆盖所述密封沟槽和所述栅线隔槽底部的所述介电层，以及刻蚀去除覆盖所述台阶接触孔的第一部分侧壁和底部的所述介电层之后，所述制造方法还包括：
29、形成隔离层，所述隔离层覆盖所述密封沟槽、所述栅线隔槽和所述台阶接触孔的第一部分的侧壁和底部；
30、形成第一填充层，所述第一填充层覆盖所述密封沟槽和所述台阶接触孔的第一部分内的所述隔离层，且所述第一填充层填满所述栅线隔槽，以形成栅线隔离结构。
31、在一些实施例中，所述形成第一填充层之后，所述制造方法还包括：
32、去除所述密封沟槽和所述台阶接触孔的第一部分内的所述第一填充层；
33、去除所述密封沟槽和所述台阶接触孔的第一部分内的所述隔离层。
34、在一些实施例中，所述去除所述密封沟槽和所述台阶接触孔的第一部分内的所述隔离层之后，所述制造方法还包括：
35、形成第二导电层，所述第二导电层填满所述密封沟槽，以形成密封环，且所述第二导电层至少覆盖所述台阶接触孔的第一部分的侧壁和底部；所述台阶接触孔的第一部分内的所述第二导电层和所述台阶接触孔的第二部分内的所述第一导电层接触。
36、在一些实施例中，所述形成第二导电层之后，所述制造方法还包括：
37、形成第二填充层，所述第二填充层填满所述台阶接触孔，以形成台阶接触结构；其中，所述台阶接触结构的第一部分内的所述第二导电层和所述台阶接触结构的第二部分内的所述第一导电层之间的接触界面在所述半导体层上的正投影和与目标栅极层相邻的栅极层在所述半导体层上的正投影之间具有间隔。
38、在一些实施例中，所述形成第二填充层之后，所述制造方法还包括：
39、形成覆盖所述虚设沟道结构和所述台阶接触结构的介质层；
40、刻蚀所述介质层形成分别和所述虚设沟道结构、所述台阶接触结构的第一部分内的所述第二导电层连通的第一接触通孔和第二接触通孔；
41、在所述第一接触通孔和所述第二接触通孔内填充导电材料，以分别本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种存储器的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
2.根据权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述形成沿堆叠方向贯穿所述初始叠层结构并延伸至所述半导体层的栅线隔槽和密封沟槽，包括：
3.根据权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述形成沿堆叠方向贯穿所述初始叠层结构并延伸至所述半导体层的栅线隔槽和密封沟槽之前，所述制造方法还包括：
4.根据权利要求3所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述形成沿堆叠方向贯穿所述初始叠层结构并延伸至所述半导体层的栅线隔槽和密封沟槽之后，所述制造方法还包括：
5.根据权利要求4所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述阵列区包括核心区和连接区；
6.根据权利要求5所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述栅线隔槽包括位于所述核心区的部分栅线隔槽和位于所述连接区的部分栅线隔槽；
7.根据权利要求6所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述通过所述密封沟槽去除位于所述外围区的部分栅极牺牲层，以形成第一间隙之后，所述制造方法还包括：
8.根据权利要求7所
9.根据权利要求8所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述刻蚀去除覆盖所述密封沟槽和所述栅线隔槽底部的所述介电层，以及刻蚀去除覆盖所述台阶接触孔的第一部分侧壁和底部的所述介电层之后，所述制造方法还包括：
10.根据权利要求9所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述形成第一填充层之后，所述制造方法还包括：
11.根据权利要求10所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述去除所述密封沟槽和所述台阶接触孔的第一部分内的所述隔离层之后，所述制造方法还包括：
12.根据权利要求11所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述形成第二导电层之后，所述制造方法还包括：
13.根据权利要求12所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述形成第二填充层之后，所述制造方法还包括：
14.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括：
15.根据权利要求14所述的存储器，其特征在于，沿堆叠方向，所述密封环的侧壁包括交替设置的平坦部分和凸起部分，所述平坦部分和所述叠层结构内的所述层间绝缘层接触，所述凸起部分和所述叠层结构内的所述虚设栅极层接触。
16.根据权利要求14所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：
17.根据权利要求16所述的存储器，其特征在于，所述密封环的宽度大于所述栅线隔离结构沿第二方向的宽度；其中，所述第二方向和所述第一方向相互垂直，且所述第二方向和所述堆叠方向相互垂直。
18.根据权利要求14所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：
19.根据权利要求18所述的存储器，其特征在于，所述阵列区包括核心区和连接区；所述存储器还包括：
20.根据权利要求19所述的存储器，其特征在于，所述台阶接触结构的第一部分包括第二导电层，所述台阶接触结构的第二部分包括介电层和第一导电层；其中，所述台阶接触结构的第一部分的所述第二导电层和所述台阶接触结构的第二部分的所述第一导电层接触。
21.根据权利要求19所述的存储器，其特征在于，所述台阶接触结构的第二部分的第一导电层和所述台阶接触结构的第一部分的第二导电层之间的接触界面在所述半导体层上的正投影和与所述目标栅极层相邻的栅极层在所述半导体层上的正投影之间具有间隔。
22.根据权利要求19所述的存储器，其特征在于，所述密封环的宽度小于所述台阶接触结构沿垂直于所述堆叠方向上的尺寸。
23.根据权利要求20所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：
24.根据权利要求14所述的存储器，其特征在于，所述密封环的宽度的范围为200纳米至300纳米。
25.一种存储器系统，其特征在于，所述存储器系统包括：如权利要求14至24中任一项所述的存储器和耦接至所述存储器的控制器。
...【技术特征摘要】
1.一种存储器的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
2.根据权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述形成沿堆叠方向贯穿所述初始叠层结构并延伸至所述半导体层的栅线隔槽和密封沟槽，包括：
3.根据权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述形成沿堆叠方向贯穿所述初始叠层结构并延伸至所述半导体层的栅线隔槽和密封沟槽之前，所述制造方法还包括：
4.根据权利要求3所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述形成沿堆叠方向贯穿所述初始叠层结构并延伸至所述半导体层的栅线隔槽和密封沟槽之后，所述制造方法还包括：
5.根据权利要求4所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述阵列区包括核心区和连接区；
6.根据权利要求5所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述栅线隔槽包括位于所述核心区的部分栅线隔槽和位于所述连接区的部分栅线隔槽；
7.根据权利要求6所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述通过所述密封沟槽去除位于所述外围区的部分栅极牺牲层，以形成第一间隙之后，所述制造方法还包括：
8.根据权利要求7所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述通过位于所述核心区的部分所述栅线隔槽去除位于所述核心区的栅极牺牲层，以形成第三间隙之后，所述制造方法还包括：
9.根据权利要求8所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述刻蚀去除覆盖所述密封沟槽和所述栅线隔槽底部的所述介电层，以及刻蚀去除覆盖所述台阶接触孔的第一部分侧壁和底部的所述介电层之后，所述制造方法还包括：
10.根据权利要求9所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述形成第一填充层之后，所述制造方法还包括：
11.根据权利要求10所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述去除所述密封沟槽和所述台阶接触孔的第一部分内的所述隔离层之后，所述制造方法还包括：
12.根据权利要求11所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述形成第二导电层之后，所述制造方法还包括：
13.根据权利要求12所...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴林春，周文犀，张坤，夏志良，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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