一种热熔断式传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种热熔断式传感器，包括与热熔断检测电路相连的热熔断元件Ｆ１，所述热熔断元件Ｆ１并联有至少一个检测电阻Ｒ３。本实用新型专利技术不仅具有温度状态检测可靠、故障率低的优点，且明显提高了轴温状态监测的可信度，使得热熔断式传感器的轴温状态监测更加可靠。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种热熔断式传感器。
技术介绍
目前，热熔断式传感器应用于机车轴温监测技术，虽然具有温度状态检测可靠，故 障率低的优点，但是，热熔断式传感器仍然可能出现电缆、接头机械断线等故障，使轴温状 态监测的可信度大为降低。为此，有必要研究一种技术，使得热熔断式传感器的断线状态检 测更加可靠。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述现有技术的缺点和不足，提供一种热熔断式传感 器，该热熔断式传感器不仅具有温度状态检测可靠、故障率低的优点，且明显提高了轴温状 态监测的可信度，使得热熔断式传感器的轴温状态监测更加可靠。本技术的目的通过下述技术方案实现一种热熔断式传感器，包括与热熔断 检测电路相连的热熔断元件F1，所述热熔断元件F1并联有至少一个检测电阻R3。上述热熔断检测电路主要由光电耦合器U1和光电耦合器U2构成，所述光电耦合 器U1的一端经电阻R1与单片机MCU相连接，另一端经电阻R2与晶体管Q1的基极相连接； 所述光电耦合器U2的一端经电阻R4与单片机MCU相连接，另一端直接与电容C2两端相连 接，且所述晶体管Q1的集电极还顺次经电容C1和电阻R6后与电容C2的一端相连接。上述热熔断元件F1的两端分别介于电容C1的两端，检测电阻R3和热熔断元件F1 并联后的两端分别经信号线连接于电容C1的两端。综上所述，本技术的有益效果是不仅具有温度状态检测可靠、故障率低的优 点，且明显提高了轴温状态监测的可信度，使得热熔断式传感器的轴温状态监测更加可靠。附图说明图1为热熔断式传感器的电路原理图；图2为热熔断检测的电路原理图；图3为检测结果为A状态时的时序图；图4为检测结果为B状态时的时序图。具体实施方式下面结合实施例及附图，对本技术作进一步的详细说明，但本技术的实 施方式不仅限于此。实施例如图1所示，本技术涉及到的热熔断式传感器主要由与热熔断检测电路相连 的热熔断元件F1构成，热熔断元件F1采用易熔合金制作而成，由于热熔断式传感器在使用过程中可能出现电缆、接头机械断线等故障，使得轴温状态监测的可信度大为降低，为了克 服上述缺点，本技术在热熔断元件F1并联有至少一个检测电阻R3。热熔断检测电路主要由光电耦合器U1和光电耦合器U2构成，所述光电耦合器U1 的一端经电阻R1与单片机MCU相连接，另一端经电阻R2与晶体管Q1的基极相连接；所述 光电耦合器U2的一端经电阻R4与单片机MCU相连接，另一端直接与电容C2两端相连接， 且所述晶体管Q1的集电极还顺次经电容C1和电阻R6后与电容C2的一端相连接。上述传感器应用到热熔断检测电路时的结构示意图如图2所示，热熔断元件F1的 两端分别介于电容C1的两端，检测电阻R3和热熔断元件F1并联后的两端分别经信号线连 接于电容C1的两端。热熔断式传感器熔断状态检测过程为首先，CT端输出低电平，当光电耦合器U1 导通_>晶体管Q1导通_>热熔断元件F1有电流-> 光电耦合器U2导通，进而FB端输出低 电平，则表示热熔断传感器导通；当光电耦合器U1导通-> 晶体管Q1导通-> 热熔断元件F1 无电流_>光电耦合器U2不导通，进而FB端输出高电平，则表示热熔断传感器熔断。如果电路检测到热熔断式传感器熔断，则有必要检测热熔断式传感器是否断线。热熔断式传感器的断线检测原理为当从CT端输出周期为20ms，占空比为50% 的脉冲信号时，如热熔断式传感器未断线，电容C1两端实际为RC电路，对周期为20MS的脉 冲衰减不大，光电耦合器U2导通，FB端可以检测到低电平脉冲；如热熔断式传感器处于断 线状态，电容C1两端实际为电容电路，对周期为20MS的脉冲衰减较大，光电耦合器U2不导 通，FB端检测不到低电平脉冲。热熔断式传感器的断线检测流程为单片机MCU上电后，将其CT端初始化为输出 状态并输出低电平；其FB端初始化为输入状态。单片机MCU在FB端检测信号，如为低电平，则热熔断式传感器处于正常状态，并保 持CT端输出低电平且从FB端检测信号；如为高电平，则热熔断式传感器出现熔断或断线， 需进行故障判别；故障判别时，单片机MCU从CT端输出10个周期的脉冲信号，且单片机MCU 在每个低电平脉冲开始后的400US从FB端检测信号，如出现低电平信号，则判断这个检测 周期为A状态，图3为其时序图；如未出现低电平信号，则判断这个检测周期为B状态，图4 为其时序图。由于电容放电不完全将影响前3次检测的正确性，所以丢弃前3次检测结果，如剩 余7次检测结果全部为A状态，则判断为热熔断式传感器处于熔断状态；如剩余7次检测结 果全部为B状态，则判断为热熔断式传感器处于断线状态；如剩余7次检测结果既有A状态 又有B状态，则判断为线路不稳定。故障判别完毕后，单片机MCU继续从CT端输出低电平且从FB端检测信号，如检测 信号出现高电平，则再次进行故障判别。如上所述，便可较好的实现本技术。权利要求一种热熔断式传感器，包括与热熔断检测电路相连的热熔断元件F1，其特征在于，所述热熔断元件F1并联有至少一个检测电阻R3。2.根据权利要求1所述的一种热熔断式传感器，其特征在于，所述热熔断检测电路主 要由光电耦合器Ul和光电耦合器U2构成，所述光电耦合器Ul的一端经电阻Rl与单片机 MCU相连接，另一端经电阻R2与晶体管Ql的基极相连接；所述光电耦合器U2的一端经电 阻R4与单片机MCU相连接，另一端直接与电容C2两端相连接，且所述晶体管Ql的集电极 还顺次经电容Cl和电阻R6后与电容C2的一端相连接。3.根据权利要求2所述的一种热熔断式传感器，其特征在于，所述热熔断元件Fl的两 端分别介于电容Cl的两端，检测电阻R3和热熔断元件Fl并联后的两端分别经信号线连接 于电容Cl的两端。专利摘要本技术公开了一种热熔断式传感器，包括与热熔断检测电路相连的热熔断元件F1，所述热熔断元件F1并联有至少一个检测电阻R3。本技术不仅具有温度状态检测可靠、故障率低的优点，且明显提高了轴温状态监测的可信度，使得热熔断式传感器的轴温状态监测更加可靠。文档编号G01K7/00GK201600425SQ20092026917公开日2010年10月6日 申请日期2009年12月30日 优先权日2009年12月30日专利技术者何鸿云, 段云波, 王玉松, 袁莱 申请人:成都运达创新科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热熔断式传感器，包括与热熔断检测电路相连的热熔断元件Ｆ１，其特征在于，所述热熔断元件Ｆ１并联有至少一个检测电阻Ｒ３。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何鸿云，王玉松，袁莱，段云波，
申请(专利权)人：成都运达创新科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：90[中国|成都]