【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体集成电路封装领域，特别涉及一种基板处理装置及方法。
技术介绍
1、近些年来，半导体行业发展速度突飞猛进，超大规模集成电路(ulsic)制造业一直遵循着摩尔定律，实现集成度每1.5年翻一番。先进封装技术由于能够满足各种性能要求和复杂异构集成要求，已经成为半导体产业未来发展的优先选择。tsv(through siliconvia)技术是一项高密度封装技术，正在逐渐取代目前工艺较成熟的引线键合技术，也被称为第四代半导体封装技术。tsv技术通过在芯片与芯片间、基板与基板间制作垂直导通，并填充铜、钨、多晶硅等导电物质，实现硅通孔的垂直电气互连，从而实现芯片间的互连。tsv技术能够减小互联长度，降低电容/电感，减小信号延迟，实现芯片间的高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。
2、作为tsv工艺的核心，电镀仍然有较大的改善空间，提升tsv孔内填充质量尤其重要，而电镀前的预湿工艺是保证无孔填充的核心步骤。
3、当前tsv预湿工艺，可以通过高水压喷嘴的摇帽式运动，使其喷射成扇形的去离子水覆盖整片基板。但是，受工艺过程中基板转速和破真空速率的影响，预湿后基板上覆盖水膜厚度会有一定概率偏薄或者不均匀，使得水膜偏薄的区域水分易完全蒸发。具体而言，当水膜较厚的区域蒸发至目标要求时，水膜较薄的区域则已经开始蒸发tsv孔内的水分。这将导致基板部分tsv孔顶气泡在进入电镀腔翻转后，浮在tsv孔底部并在电镀后形成空洞。空洞的存在将会影响基板电镀的tsv孔内填充质量。为了防止该问题的出现，目前的处理方法是通过基板电镀
技术实现思路
1、为了能够更高效、更准确的判断基板预湿结果，本专利技术提出一种基板处理装置及方法。
2、第一方面，本专利技术提供一种基板处理方法，对预湿后的基板表面液膜进行特征参数的测量，生成第二特征数据；
3、获取第一特征数据作为对照数据，将所述第二特征数据与所述对照数据进行比对，判断所述基板的预湿结果是否合格；
4、若所述第一特征数据与所述第二特征数据误差大于预设值，判断所述基板的预湿结果为不合格；
5、若所述第一特征数据与所述第二特征数据误差小于或等于所述预设值，判断所述基板的预湿结果为合格；
6、根据所述预湿结果，控制所述基板的下一处理工艺。
7、根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述基板处理方法还包括：
8、选取标准预湿基板，对所述标准预湿基板的表面液膜的特征参数进行测量，生成所述第一特征数据。
9、根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述特征参数包括：液膜的厚度或均匀性。
10、根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述根据所述预湿结果，控制所述基板的下一处理工艺包括：
11、当检测所述基板的预湿结果不合格，控制所述基板进入的下一工艺为再次预湿处理工艺；
12、当检测所述基板的预湿结果合格，控制所述基板进入的下一工艺为电镀工艺。
13、根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述方法还包括：
14、当首次检测所述基板的预湿结果为不合格，发出警报并控制所述基板再次进入预湿工艺；
15、当同一基板累计n次预湿结果为不合格，发出警报并提醒检查硬件，其中，n为大于或等于2的正整数。
16、第二方面，本专利技术提供一种基板处理装置，包括：
17、检测单元，被配置为检测预湿工艺处理后的基板表面液膜的特征参数，生成第二特征数据，并发送所述第二特征数据；
18、处理单元，被配置为预存储第一特征数据；还被配置为：接收所述第二特征数据，并比对所述第一特征数据与所述第二特征数据，判断所述基板的预湿结果是否合格，若所述第一特征数据与所述第二特征数据之间的误差大于预设值，判断所述基板的预湿结果为不合格；若所述第一特征数据与所述第二特征数据之间的误差小于或等于所述预设值，判断所述基板的预湿结果为合格；根据判断结果生成控制指令，并发送所述控制指令；其中，所述第一特征数据为标准预湿基板的表面液膜的特征参数；
19、执行单元，被配置为接收所述处理单元发送的控制指令，根据所述控制指令控制基板的下一处理工艺。
20、根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述检测单元还被配置为：获取第一特征数据，并将所述第一特征数据发送至所述处理单元；
21、所述检测单元获取第一特征数据包括：
22、所述检测单元检测预先选取的标准预湿基板表面液膜的特征参数。
23、根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述特征参数包括：液膜的厚度或均匀性。
24、根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述处理单元根据判断结果生成控制指令包括：
25、当判断所述基板的预湿结果不合格时，生成重新预湿基板的控制指令；
26、当判断所述基板的预湿结果合格时，生成基板进入电镀工艺的控制指令。
27、根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述处理单元还被配置为统计同一基板预湿不合格次数n。
28、根据本申请实施例的一种具体实现方式，当n等于1，生成控制基板再次进入预湿工艺并发出警报的控制指令；
29、当n为大于或等于2的正整数，生成停止基板继续工艺，发出警报并提醒硬件检查的控制指令。
30、根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述执行单元还被配置为：接收所述处理单元发出的停止预湿工艺，发出警报并提醒硬件检查的控制指令，对预湿结果不合格的基板进行警报且发出需要硬件检查的提醒。
31、根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述执行单元包括预湿腔，所述检测单元设置于所述预湿腔内。
32、根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述执行单元包括：用于中转基板的中转站，所述检测单元设置于所述中转站内。
33、本专利技术的基板处理装置及方法，通过对预湿后的基板表面液膜进行特征参数的测量，然后与标准基板预湿后的对照数据进行比对，进而能够更高效、更准确的判断基板预湿结果，避免基板预湿之后基板上的液膜不均匀，却没有及时检测出，造成电镀之后基板的tsv孔内形成空洞的问题；同时，当同一基板重复出现预湿结果不理想的情况时，能够向工作人员进行提醒进行机台的故障检查，保证安全生产。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所指出的结构来实现和获得。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基板处理方法，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：所述基板处理方法还包括：
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：所述特征参数包括：液膜的厚度或均匀性。
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：所述根据所述预湿结果，控制所述基板的下一处理工艺包括：
5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：所述方法还包括：
6.一种基板处理装置，其特征在于：包括：
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于：
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于：
9.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于：
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于：
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于：
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于：
13.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于：
14.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特
...【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：所述基板处理方法还包括：
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：所述特征参数包括：液膜的厚度或均匀性。
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：所述根据所述预湿结果，控制所述基板的下一处理工艺包括：
5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：所述方法还包括：
6.一种基板处理装置，其特征在于：包括：
7.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘文金，黄金，金一诺，
申请(专利权)人：盛美半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。