本申请提供一种光刻胶的匀胶方法及匀胶装置，光刻胶的匀胶方法包括以下步骤：提供一晶圆；将晶圆设置在一旋转载台上；将第一喷嘴对准晶圆的中心，使旋转载台具有第一转速，并利用第一喷嘴向晶圆喷涂第一剂量的丙二醇甲醚醋酸酯；将第二喷嘴对准晶圆的中心，使旋转载台具有第二转速，并利用第二喷嘴向晶圆喷涂第二剂量的光刻胶，光刻胶溶于丙二醇甲醚醋酸酯；其中，第一转速为a，第二转速为b，第一剂量为c，第二剂量为d，a＜b/10，c＞d/3。本申请实施例提供的光刻胶的匀胶方法及匀胶装置，能够实现以利用更低的旋转速度和更少的光刻胶用量，使光刻胶较好地覆盖晶圆，并降低生产制造成本，减少生产废料，有利于环保。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种光刻胶的匀胶方法及匀胶装置。
技术介绍
1、发光二极管（英文全称：light emitting diode，简称：led）是一种电致发光的半导体发光器件，因其具有能耗低、体积小、寿命长，稳定性好、响应快、发光波长稳定等优势，目前已经在照明、显示、医疗、光通信等领域被广泛地应用。
2、在发光二极管等半导体器件的生产制造过程中，刻蚀、沉积、离子注入、薄膜等制程发挥着重要作用，其中，光刻工艺在各制程中扮演着中枢、纽带的角色。光刻工艺的目的是将掩模版上的图形复制转移到晶圆上，再通过其他工艺处理形成所需要的结构和图形。光刻工艺包括匀胶、曝光、显影等工序，其中，由于光刻胶的材料成本较高，而匀胶工艺会直接影响光刻胶的用量的多少，因此，匀胶工艺是影响光刻工艺成本的重要因素。
3、相关技术中，光刻胶的匀胶工艺，通常是通过动态涂胶的方式实现的。具体的，晶圆吸附在载盘上，并旋转，光刻胶以设定的滴胶量滴在晶圆的中心，在离心力的作用下均匀涂敷在晶圆表面，形成均匀、厚度符合工艺需求的光刻胶。但是，大多数光刻胶在高速旋转过程中都会被甩离出晶圆，只有少部分光刻胶附着在晶圆表面而被使用，且甩离出的光刻胶会被排入至废液桶，无法进行二次利用，从而造成光刻胶的浪费。而若直接降低滴胶量，则会造成光刻胶对晶圆的覆盖性差、涂布均匀性不达标的问题。因此，如何在形成对晶圆覆盖性好且涂布均匀性符合要求的光刻胶的基础上，减少光刻胶用量是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
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p>1、本申请提供一种光刻胶的匀胶方法及匀胶装置，能够有效解决相关技术中存在的难以在形成对晶圆覆盖性好且涂布均匀性符合要求的光刻胶的基础上，减少光刻胶用量的问题。2、第一方面，本申请提供一种光刻胶的匀胶方法，其特征在于，所述光刻胶的匀胶方法包括以下步骤：
3、提供一晶圆；
4、将所述晶圆设置在一旋转载台上；
5、将第一喷嘴对准晶圆的中心，使所述旋转载台具有第一转速，并利用所述第一喷嘴向所述晶圆喷涂第一剂量的丙二醇甲醚醋酸酯；
6、将第二喷嘴对准晶圆的中心，使所述旋转载台具有第二转速，并利用所述第二喷嘴向所述晶圆喷涂第二剂量的光刻胶，所述光刻胶溶于丙二醇甲醚醋酸酯；
7、其中，所述第一转速为a，所述第二转速为b，所述第一剂量为c，所述第二剂量为d，a＜b/10，c＞d/3。
8、可选的，所述第一转速为30rpm至50rpm，所述第一剂量为4.5ml至7.5ml；所述第二转速为600rpm至900rpm，所述第二剂量为0.8ml至1.4ml。
9、可选的，所述第一喷嘴的喷液时长为第一时长，所述第二喷嘴的喷液时长为第二时长，其中，所述第一时长大于所述第二时长。
10、可选的，在所述将所述晶圆设置在一旋转载台上的步骤之前，所述光刻胶的匀胶方法还包括以下步骤：
11、将所述晶圆送入六甲基二硅胺烷气氛的密闭腔式内，以将所述晶圆的表面的亲水基团置换为具有疏水性的osi(ch3)3。
12、可选的，在所述将所述晶圆送入六甲基二硅胺烷气氛的密闭腔式内，以将所述晶圆的表面的亲水基团置换为具有疏水性的osi(ch3)3的步骤之前，所述光刻胶的匀胶方法还包括以下步骤：
13、利用氮气对所述晶圆的表面进行吹扫。
14、可选的，所述密闭腔式的温度为130℃至140℃，其中，在所述将所述晶圆送入六甲基二硅胺烷气氛的密闭腔式内，以将所述晶圆的表面的亲水基团置换为具有疏水性的osi(ch3)3的步骤之后，所述光刻胶的匀胶方法还包括以下步骤：
15、将所述晶圆设置于一冷却盘上，以对所述晶圆进行冷却，其中，所述冷却盘的温度为21℃至23℃，冷却的时间为20s至40s。
16、可选的，在所述将第二喷嘴对准晶圆的中心，使所述旋转载台具有第二转速，并利用第二喷嘴向所述晶圆喷涂第二剂量的光刻胶，所述光刻胶溶于丙二醇甲醚醋酸酯的步骤之后，所述光刻胶的匀胶方法还包括以下步骤：
17、移除所述第二喷嘴，使所述旋转载台具有第三转速，并保持第三时长；
18、其中，所述第三转速大于第二转速，所述第三时长等于所述第二时长。
19、可选的，在所述移除所述第二喷嘴，使所述旋转载台具有第三转速，并保持第三时长的步骤之后，所述光刻胶的匀胶方法还包括以下步骤：
20、使所述旋转载台具有第四转速，并保持第四时长；
21、其中，所述第四转速大于所述第三转速，所述第四时长大于所述第三时长。
22、可选的，在所述使所述旋转载台具有第四转速，并保持第四时长的步骤之后，所述光刻胶的匀胶方法还包括以下步骤：
23、使所述旋转载台具有第五转速，并保持第五时长，利用设置在所述晶圆朝向所述旋转载台的一侧的第三喷嘴向所述晶圆喷涂丙酮，以对所述晶圆的背面和边缘进行清洗；
24、将所述晶圆设置于一加热盘上，以对所述晶圆进行加热，并保持第六时长；
25、其中，所述第五转速小于所述第三转速，所述第六时长大于所述第四时长，所述第五时长小于所述第四时长。
26、第二方面，本申请提供一种匀胶装置，所述匀胶装置包括：旋转载台，用于承载和吸附晶圆，并带动晶圆转动，其中，所述旋转载台具有第一旋转档位、第二旋转档位，所述第一旋转档位对应的旋转载台的转速为第一转速，所述第二旋转档位对应的旋转载台的转速为第二转速；喷液组件，设置在所述旋转载台的上方，所述喷液组件包括第一容纳腔、第二容纳腔、第一喷嘴和第二喷嘴，其中，所述第一容纳腔用于容置丙二醇甲醚醋酸酯；所述第二容纳腔用于容置光刻胶；所述第一喷嘴与所述第一容纳腔相连通，并能够相对于所述晶圆的中心移动，以向所述晶圆的中心喷涂第一剂量的丙二醇甲醚醋酸酯；所述第二喷嘴与所述第二容纳腔相连通，并能够相对于所述晶圆的中心移动，以向所述晶圆的中心喷涂第二剂量的光刻胶；其中，所述第一转速为a，所述第二转速为b，所述第一剂量为c，所述第二剂量为d，a＜b/10，c＞d/3。
27、本申请提供一种光刻胶的匀胶方法及匀胶装置，所述光刻胶的匀胶方法包括以下步骤：提供一晶圆；将所述晶圆设置在一旋转载台上；将第一喷嘴对准晶圆的中心，使所述旋转载台具有第一转速，并利用所述第一喷嘴向所述晶圆喷涂第一剂量的丙二醇甲醚醋酸酯；将第二喷嘴对准晶圆的中心，使所述旋转载台具有第二转速，并利用第二喷嘴向所述晶圆喷涂第二剂量的光刻胶，所述光刻胶溶于丙二醇甲醚醋酸酯；其中，所述第一转速为a，所述第二转速为b，所述第一剂量为c，所述第二剂量为d，a＜b/10，c＞d/3。本申请实施例提供的光刻胶的匀胶方法及匀胶装置，能够实现以利用更低的旋转速度和更少的光刻胶用量，使光刻胶较好地覆盖晶圆，并降低生产制造成本，减少生产废料，有利于环保。
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【技术保护点】
1.一种光刻胶的匀胶方法，其特征在于，所述光刻胶的匀胶方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的光刻胶的匀胶方法，其特征在于，所述第一转速为30rpm至50rpm，所述第一剂量为4.5ml至7.5ml；所述第二转速为600rpm至900rpm，所述第二剂量为0.8ml至1.4ml。
3.根据权利要求1所述的光刻胶的匀胶方法，其特征在于，所述第一喷嘴的喷液时长为第一时长，所述第二喷嘴的喷液时长为第二时长，其中，所述第一时长大于所述第二时长。
4.根据权利要求1所述的光刻胶的匀胶方法，其特征在于，在所述将所述晶圆设置在一旋转载台上的步骤之前，所述光刻胶的匀胶方法还包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的光刻胶的匀胶方法，其特征在于，在所述将所述晶圆送入六甲基二硅胺烷气氛的密闭腔式内，以将所述晶圆的表面的亲水基团置换为具有疏水性的OSi(CH3)3的步骤之前，所述光刻胶的匀胶方法还包括以下步骤：
6.根据权利要求4所述的光刻胶的匀胶方法，其特征在于，所述密闭腔式的温度为130℃至140℃，其中，在所述将所述晶圆送入六甲基二硅胺烷气氛的密闭腔式内，以将所述晶圆的表面的亲水基团置换为具有疏水性的OSi(CH3)3的步骤之后，所述光刻胶的匀胶方法还包括以下步骤：
7.根据权利要求3所述的光刻胶的匀胶方法，其特征在于，在所述将第二喷嘴对准晶圆的中心，使所述旋转载台具有第二转速，并利用第二喷嘴向所述晶圆喷涂第二剂量的光刻胶，所述光刻胶溶于丙二醇甲醚醋酸酯的步骤之后，所述光刻胶的匀胶方法还包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的光刻胶的匀胶方法，其特征在于，在所述移除所述第二喷嘴，使所述旋转载台具有第三转速，并保持第三时长的步骤之后，所述光刻胶的匀胶方法还包括以下步骤：
9.根据权利要求8所述的光刻胶的匀胶方法，其特征在于，在所述使所述旋转载台具有第四转速，并保持第四时长的步骤之后，所述光刻胶的匀胶方法还包括以下步骤：
10.一种匀胶装置，其特征在于，所述匀胶装置包括：
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【技术特征摘要】
1.一种光刻胶的匀胶方法，其特征在于，所述光刻胶的匀胶方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的光刻胶的匀胶方法，其特征在于，所述第一转速为30rpm至50rpm，所述第一剂量为4.5ml至7.5ml；所述第二转速为600rpm至900rpm，所述第二剂量为0.8ml至1.4ml。
3.根据权利要求1所述的光刻胶的匀胶方法，其特征在于，所述第一喷嘴的喷液时长为第一时长，所述第二喷嘴的喷液时长为第二时长，其中，所述第一时长大于所述第二时长。
4.根据权利要求1所述的光刻胶的匀胶方法，其特征在于，在所述将所述晶圆设置在一旋转载台上的步骤之前，所述光刻胶的匀胶方法还包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的光刻胶的匀胶方法，其特征在于，在所述将所述晶圆送入六甲基二硅胺烷气氛的密闭腔式内，以将所述晶圆的表面的亲水基团置换为具有疏水性的osi(ch3)3的步骤之前，所述光刻胶的匀胶方法还包括以下步骤：
6.根据权利要求4所述的光刻胶的...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙鲁滨，刘芳，孙雷蒙，
申请(专利权)人：华引芯武汉科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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