【技术实现步骤摘要】
实施例涉及一种硬掩模组合物、一种硬掩模层以及一种形成图案的方法。
技术介绍
1、近年来，半导体行业已研发出具有例如几纳米至几十纳米大小的图案的超精细技术。这种超精细技术主要需要有效的光刻技术。一些光刻技术可包含：在半导体衬底上提供材料层；在材料层上涂布光刻胶层；对光刻胶层进行曝光和显影以提供光刻胶图案；以及使用光刻胶图案作为掩模来蚀刻材料层。
技术实现思路
1、实施例可通过提供硬掩模组合物来实现，所述硬掩模组合物包含由化学式1表示的化合物和溶剂，
2、[化学式1]
3、
4、其中，在化学式1中，
5、ar1和ar2各自独立地为c6至c30芳香族烃基，
6、x1和x2各自独立地为经取代或未经取代的c6至c30芳香族烃基，
7、r1和r2各自独立地为氘、羟基、卤素原子、经取代或未经取代的c1至c20烷氧基、经取代或未经取代的c1至c20烷基、经取代或未经取代的c6至c30芳基或其组合，
8、n1和n2各自独立地为0至4的整数，
9、n1+n2为1或大于1的整数，以及
10、m1和m2各自独立地为0至小于或等于对应地ar1和ar2的键价的整数。
11、化学式1中的ar1和ar2可各自独立地为群组1的c6至c30芳香族烃：
12、[群组1]
13、
14、化学式1中的ar1和ar2可各自独立地为群组1-1的c6至c30芳香族烃：
...【技术保护点】
1.一种硬掩模组合物，包括：
2.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中化学式1中的Ar1和Ar2各自独立地为群组1的C6至C30芳香族烃：
3.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中化学式1中的Ar1和Ar2各自独立地为群组1-1的C6至C30芳香族烃：
4.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中化学式1中的X1和X2各自独立地为群组2的部分的经取代或未经取代的C6至C30芳香族烃：
5.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中化学式1中的X1和X2各自独立地为群组2-1的部分的经取代或未经取代的C6至C30芳香族烃：
6.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中：
7.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中由化学式1表示的所述化合物具有不对称结构。
8.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中由化学式1表示的所述化合物由化学式1-1至化学式1-6中的一个表示：
9.根据权利要求8所述的硬掩模组合物，其中在化学式1-1至化学式1-6中，n1和n2各自独立地为1或2。
10.根据
11.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中按所述硬掩模组合物的总重量计，以0.1重量％至30重量％的量包含所述化合物。
12.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中所述溶剂包含丙二醇、丙二醇二乙酸酯、甲氧基丙二醇、二乙二醇、二乙二醇丁醚、三(乙二醇)单甲基醚、丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚乙酸酯、环己酮、乳酸乙酯、γ-丁内酯、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、甲基吡咯烷酮、乙酰丙酮或3-乙氧基丙酸乙酯。
13.一种硬掩模层，包括如权利要求1所述的硬掩模组合物的固化产物。
14.一种形成图案的方法，所述方法包括：
15.根据权利要求14所述的形成图案的方法，其中形成所述硬掩模层包含在100℃至1,000℃下进行所述热处理。
...【技术特征摘要】
1.一种硬掩模组合物，包括：
2.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中化学式1中的ar1和ar2各自独立地为群组1的c6至c30芳香族烃：
3.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中化学式1中的ar1和ar2各自独立地为群组1-1的c6至c30芳香族烃：
4.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中化学式1中的x1和x2各自独立地为群组2的部分的经取代或未经取代的c6至c30芳香族烃：
5.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中化学式1中的x1和x2各自独立地为群组2-1的部分的经取代或未经取代的c6至c30芳香族烃：
6.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中：
7.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中由化学式1表示的所述化合物具有不对称结构。
8.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中由化学式1表示的所述化合物由化学式1-1至化学式1-6中的一个表示：
9.根据权利要求8所述的硬掩模...
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