【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造，尤其涉及一种硅片抛光设备。
技术介绍
1、在实现硅片局部和全部平坦化的方法中，化学机械抛光(chemical mechanicalpolishing，cmp)是一种独特的关键技术，为了进一步改善硅片的表面形貌，满足严格的工艺要求，硅片的化学机械抛光主要分为粗抛光和最终抛光两个步骤，其中，粗抛光有利于快速去除表面的损坏层，而最终抛光本质上是抛光和清洗的过程，快速剥离和去除残留的颗粒。在最终抛光结束后，硅片表面会残留颗粒、抛光液(slurry)等杂质，需要进行清洗，否则硅片表面的残留物质会导致硅片品质降低。
2、现有技术中，是通过清洁喷嘴向硅片喷射水柱，对硅片上的残留物质进行清洗，但是现有的清洁喷嘴喷射出的水柱由于重力作用无法覆盖整个硅片表面，导致硅片上残留物质无法清洗干净，影响硅片品质。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本技术提供一种硅片抛光设备，能够在硅片抛光工艺中实现对硅片表面进行全部清洗，去除整个硅片上的残留物质，从而提高硅片品质。
2、为了达到上述目的，本技术实施例采用的技术方案是：
3、一种硅片抛光设备，包括：
4、抛光头，所述抛光头的下表面用于吸附硅片，且所述抛光头用于带动所述硅片在水平面上旋转；
5、设置于所述抛光头的一侧的清洁喷嘴，所述清洁喷嘴用于向所述硅片喷射由所述硅片边缘流向所述硅片圆心的清洁液；
6、其中，所述清洁喷嘴朝向所述硅片的一端在竖直方向上的截面为椭圆形
7、一些实施例中，还包括：固定组件和关节组件；
8、所述固定组件设置于所述抛光头的一侧；
9、所述清洁喷嘴通过所述关节组件与所述固定组件的一端连接。
10、一些实施例中，所述清洁喷嘴在水平方向上呈扁平扩散状，且所述清洁喷嘴由远离所述硅片到靠近所述硅片的方向逐渐扩大。
11、一些实施例中，通过所述关节组件，所述清洁喷嘴能够在竖直方向上转动。
12、一些实施例中，在竖直方向上，所述清洁喷嘴与所述关节组件连接的一端的高度低于所述清洁喷嘴朝向所述硅片的一端的高度。
13、一些实施例中，还包括：
14、组装组件，所述组装组件的第一表面与所述抛光头的下表面连接，所述组装组件的第二表面用于吸附所述硅片；
15、所述第一表面和所述第二表面是所述组装组件相对的两个表面。
16、一些实施例中，所述清洁喷嘴的数量为多个；
17、多个所述清洁喷嘴围绕所述抛光头的外周均匀分布。
18、本技术的有益效果是：
19、本实施例提供的硅片抛光设备，通过抛光头的下表面吸附硅片，并对硅片进行抛光，在抛光过程中或者抛光结束后，通过设置于抛光头的一侧的清洁喷嘴向硅片喷射清洁液，之后再由抛光头带动硅片在水平面上旋转，实现对硅片表面的清洁，并且将清洁喷嘴朝向硅片的一端的截面为椭圆形、长方形、扁菱形或纺锤形等扁平形状，使清洁喷嘴喷射出的清洁液为面型扩散水流，减少重力的影响，保证清洁液能够由硅片边缘流向硅片圆心，从而实现在硅片抛光工艺中对整个硅片进行清洗，去除整个硅片上的残留物质，提高硅片品质。
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1.一种硅片抛光设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅片抛光设备，其特征在于，还包括：固定组件和关节组件；
3.根据权利要求2所述的硅片抛光设备，其特征在于，通过所述关节组件，所述清洁喷嘴能够在竖直方向上转动。
4.根据权利要求2所述的硅片抛光设备，其特征在于，在竖直方向上，所述清洁喷嘴与所述关节组件连接的一端的高度低于所述清洁喷嘴朝向所述硅片的一端的高度。
5.根据权利要求1所述的硅片抛光设备，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求1所述的硅片抛光设备，其特征在于，所述清洁喷嘴的数量为多个；
【技术特征摘要】
1.一种硅片抛光设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅片抛光设备，其特征在于，还包括：固定组件和关节组件；
3.根据权利要求2所述的硅片抛光设备，其特征在于，通过所述关节组件，所述清洁喷嘴能够在竖直方向上转动。
4.根据权利要求2所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭鹏，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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