【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率mosfet的，特别涉及一种控制功率mosfet的电路、控制方法、计算机设备和存储介质。
技术介绍
1、mosfet是金属氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）的缩写。它是一种常用于电子器件中的半导体器件，用于控制电流流动的开关。以下是mosfet的基本结构和工作原理：
2、1、结构：mosfet通常由一个绝缘层、一个栅极、一个氧化层、一个半导体和一个金属源极和漏极组成。栅极电压可以控制半导体通道的导电性，从而控制电流的流动。
3、2、工作原理：mosfet的工作基于电场效应，通过在栅极上施加电压来控制半导体通道中的电子流。当栅极电压足够高时，会形成一个电场，使通道导电，电流可以流过。反之，如果栅极电压很低或为零，通道将不导电，电流停止流动。
4、总之，mosfet是一种重要的半导体器件，用于控制电流的流动。它在电子领域中发挥着重要作用，帮助实现各种电路和设备的功能。
5、但是，传统技术在使用功率mosfet 开关输出端时，控制功率mosfet的栅极电压的上升或下降速度比较慢，这可能导致一些问题。例如：mosfet驱动效率问题：通常情况下，为了控制功率mosfet的栅极电压变化，以实现渐进导通或关断，需要使用电流源和电阻器。然而，这种控制方式可能导致在执行“on/off”（开启/关闭）操作后，栅极电压仍会缓慢变化。这可能会导致功率 mosfet 在导通时输出电阻长时间偏高，从而
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的为提供一种控制功率mosfet的电路、控制方法、计算机设备和存储介质，解决了传统技术中控制功率mosfet栅极电压上升或下降速度较慢的问题，提高了驱动效率并避免输出电阻长时间偏高或未完全关闭的情况，从而优化功率mosfet的性能和稳定性。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种控制功率mosfet的电路，所述电路包括预驱电路，所述预驱电路一端与控制信号源相连接，用于接收所述控制信号源发送的控制信号；所述预驱电路另一端与功率mosfet的栅极相连接，用于基于所述控制信号为所述功率mosfet的栅极提供电压和电流，以便在所述功率mosfet的栅极电压超过导通阈值的情况，以第一预设速度拉高所述功率mosfet的栅极电压，以导通所述功率mosfet，以及在所述栅极电压低于关闭阈值的情况，以第二预设速度下拉所述功率mosfet的栅极电压，以关闭所述功率mosfet。
3、进一步的，所述预驱电路包括：反相器，所述反相器的输入端连接所述控制信号源，用于接收所述控制信号，所述反相器的输出端提供反转的控制信号；驱动级，所述驱动级包括所述mosfet的pmos和所述mosfet的nmos，所述mosfet的pmos的源极连接到电源正极；所述mosfet的nmos的源极连接到电源负极，所述mosfet的pmos的栅极和所述mosfet的nmos的栅极都连接到所述反相器的输出端，所述mosfet的pmos的漏极和所述mosfet的nmos的漏极连接在一起，形成预驱电路的输出端与所述功率mosfet的栅极相连接。
4、进一步的，在所述预驱电路为多个的情况下，所述控制功率mosfet的电路还包括开关定时控制电路，所述开关定时控制电路一端连接所述控制信号源，一端连接多个预驱电路，用于按照预设时序分别向多个预驱电路发送控制信号，以便按照预设时序控制所述多个预驱电路对所述功率mosfet进行开关操作。
5、进一步的，所述开关定时控制电路包括定时控制逻辑，所述定时控制逻辑的输入端与所述信号控制源连接，所述定时控制逻辑的输出端设有多个输出信号线，且不同输出信号线分别连接不同预驱电路，所述定时控制逻辑用于接收控制信号，并通过多个输出信号线，按照预设时序分别向多个预驱电路发送控制信号，以便所述多个预驱电路分别控制多个功率mosfet按照预设时序进行开关操作。
6、进一步的，所述定时控制逻辑的输出端设有两个输出信号线，一个用于向第一预驱电路发送控制信号，所述第一预驱电路用于控制上桥臂功率mosfet，另一个用于向第二预驱电路发送控制信号，所述第二预驱电路用于控制下桥臂功率mosfet。
7、进一步的，所述控制功率mosfet的电路还包括load电路，与所述功率mosfet、所述预驱电路和电源正极相连接，用于调节所述功率mosfet的栅极电压的变化速度和栅极电压变化过程中的栅极电流。
8、进一步的，所述load电路包括：第一电阻和第二电阻，第一电阻，一端连接到所述功率mosfet的漏极，另一端通过恒流源连接到电源正极；第二电阻，一端连接到所述功率mosfet的栅极，另一端连接到所述预驱电路的输出端。
9、本专利技术还提供控制功率mosfet电路的控制方法，所述控制功率mosfet电路为上述任一项所述的控制功率mosfet电路，所述控制方法包括：通过预驱电路接收控制信号源发送的控制信号；基于所述控制信号为所述功率mosfet的栅极提供电压和电流，以便在所述栅极电压超过导通阈值的情况，快速拉高栅极电压以导通所述功率mosfet，以及在所述栅极电压低于关闭阈值的情况，快速下来栅极电压以关闭所述功率mosfet。
10、本专利技术还提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任一项所述方法的步骤。
11、本专利技术还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一项所述的方法的步骤。
12、本专利技术提供一种控制功率mosfet的电路、控制方法、计算机设备和存储介质，通过预驱电路其一端连接到控制信号源，用于接收控制信号；另一端连接到功率mosfet的栅极，其作用是根据控制信号为栅极提供电压和电流。这样做的目的是在栅极电压超过导通阈值时，能够快速提升栅极电压以导通mosfet；而在栅极电压低于关闭阈值时，能够快速降低栅极电压以关闭mosfet。这种电路设计的目的在于解决传统技术中控制功率mosfet栅极电压上升或下降速度较慢的问题，以提高驱动效率并避免输出电阻长时间偏高或未完全关闭的情况，从而优化功率mosfet的性能和稳定性。
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1.一种控制功率MOSFET的电路，其特征在于，所述电路包括预驱电路，
2.根据权利要求1所述的控制功率MOSFET的电路，其特征在于，所述预驱电路包括：
3.根据权利要求1所述的控制功率MOSFET的电路，其特征在于，在所述预驱电路为多个的情况下，所述电路还包括开关定时控制电路，所述开关定时控制电路一端连接所述控制信号源，一端连接多个预驱电路，用于按照预设时序分别向多个预驱电路发送控制信号，以便按照预设时序控制所述多个预驱电路对所述功率MOSFET进行开关操作。
4.根据权利要求3所述的控制功率MOSFET的电路，其特征在于，所述开关定时控制电路包括定时控制逻辑，所述定时控制逻辑的输入端与所述信号控制源连接，所述定时控制逻辑的输出端设有多个输出信号线，且不同输出信号线分别连接不同预驱电路，所述定时控制逻辑用于接收控制信号，并通过多个输出信号线，按照预设时序分别向多个预驱电路发送控制信号，以便所述多个预驱电路分别控制多个功率MOSFET按照预设时序进行开关操作。
5.根据权利要求4所述的控制功率MOSFET的电路，其特征在于，所述定
6.根据权利要求1所述的控制功率MOSFET的电路，其特征在于，所述电路还包括LOAD电路，与所述功率MOSFET、所述预驱电路和电源正极相连接，用于调节所述功率MOSFET的栅极电压的变化速度和栅极电压变化过程中的栅极电流。
7.根据权利要求6所述的控制功率MOSFET的电路，其特征在于，所述LOAD电路包括：第一电阻和第二电阻，
8.一种控制功率MOSFET电路的控制方法，其特征在于，所述控制功率MOSFET的电路为权利要求1至7中任一项所述的控制功率MOSFET的电路，所述控制方法包括：
9.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器中存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求7所述方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求7所述的方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种控制功率mosfet的电路，其特征在于，所述电路包括预驱电路，
2.根据权利要求1所述的控制功率mosfet的电路，其特征在于，所述预驱电路包括：
3.根据权利要求1所述的控制功率mosfet的电路，其特征在于，在所述预驱电路为多个的情况下，所述电路还包括开关定时控制电路，所述开关定时控制电路一端连接所述控制信号源，一端连接多个预驱电路，用于按照预设时序分别向多个预驱电路发送控制信号，以便按照预设时序控制所述多个预驱电路对所述功率mosfet进行开关操作。
4.根据权利要求3所述的控制功率mosfet的电路，其特征在于，所述开关定时控制电路包括定时控制逻辑，所述定时控制逻辑的输入端与所述信号控制源连接，所述定时控制逻辑的输出端设有多个输出信号线，且不同输出信号线分别连接不同预驱电路，所述定时控制逻辑用于接收控制信号，并通过多个输出信号线，按照预设时序分别向多个预驱电路发送控制信号，以便所述多个预驱电路分别控制多个功率mosfet按照预设时序进行开关操作。
5.根据权利要求4所述的控制功率mosfet的电路，其特征在于，所述定时控制逻辑的输出端设有...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢玉轩，陈廷仰，廖志洋，齋藤博，
申请(专利权)人：禹创半导体深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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