【技术实现步骤摘要】
本申请内容关于电路，尤指一种放大器及其控制方法。
技术介绍
1、随着制程的推进，操作电压越来越低，因此，如何解决输出摆幅的限制，同时提高增益，已成为本领域亟需解决的问题之一。
技术实现思路
1、本申请提供一种放大器，包含：第一p型晶体管，其中该第一p型晶体管的栅极耦接第一输入信号，该第一p型晶体管的源极耦接第一节点；第二p型晶体管，其中该第二p型晶体管的栅极耦接第二输入信号，该第二p型晶体管的源极耦接该第一p型晶体管的漏极，该第二p型晶体管的漏极耦接输出端；第一n型晶体管，其中该第一n型晶体管的栅极耦接第三输入信号，该第一n型晶体管的源极耦接第二节点；第二n型晶体管，其中该第二n型晶体管的栅极耦接第四输入信号，该第二n型晶体管的源极耦接该第一n型晶体管的漏极，该第二n型晶体管的漏极耦接该输出端；第一电容，选择性地耦接于第一参考电压和第二参考电压之间或第一节点和第二节点之间；第一内部负载电容，耦接于该第一p型晶体管的该漏极，且该第一p型晶体管的该漏极还选择性地耦接第三参考电压；及第二内部负载电容，耦接于该第一n型晶体管的该漏极，且该第一n型晶体管的该漏极还选择性地耦接第四参考电压；其中在第一放大阶段，该第一输入信号的交流成分被放大并在该第一p型晶体管的漏极形成第一放大后信号，该第二p型晶体管并接着在第二放大阶段对该第一放大后信号以及该第二输入信号的交流成分进行放大，并输出于该输出端。
2、本申请提供一种放大器的控制方法，其中该放大器包含：第一p型晶体管，其中该第一p型晶体
3、通过本申请，可以同时提高放大器的输出摆幅及增益。
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1.一种放大器，包含：
2.如权利要求1所述的放大器，其中在该第一放大阶段，该第三输入信号的交流成分被放大并在该第一N型晶体管的漏极形成第二放大后信号，该第二N型晶体管并接着在该第二放大阶段对该第二放大后信号以及该第四输入信号的交流成分进行放大，并输出于该输出端。
3.如权利要求2所述的放大器，其中在该第一放大阶段，该第一P型晶体管和该第一N型晶体管不在截止区，该第二P型晶体管和该第二N型晶体管在截止区。
4.如权利要求3所述的放大器，其中在该第一放大阶段，电荷从该第一电容的第一端经过该第一P型晶体管流入该第一内部负载电容，及电荷从该第二内部负载电容经过该第一N型晶体管流入该第一电容的第二端。
5.如权利要求4所述的放大器，其中在该第一放大阶段，该第一P型晶体管的源极-栅极电压逐渐降低，该第二P型晶体管的源极-栅极电压逐渐增加；及该第一N型晶体管的栅极-源极电压逐渐降低，该第二N型晶体管的栅极-源极电压逐渐增加。
6.如权利要求5所述的放大器，其中在该第二放大阶段，该第一P型晶体管和该第一N型晶体管接近但尚未进入截止区，
7.如权利要求1所述的放大器，其中该第一参考电压高于该第二参考电压，该第四参考电压高于该第三参考电压。
8.如权利要求1所述的放大器，其中该第一输入信号、该第二输入信号、该第三输入信号及该第四输入信号的交流成分相同。
9.如权利要求8所述的放大器，其中该第一输入信号、该第二输入信号、该第三输入信号及该第四输入信号的直流成分不相同。
10.一种放大器的控制方法，其中该放大器包含：
...【技术特征摘要】
1.一种放大器，包含：
2.如权利要求1所述的放大器，其中在该第一放大阶段，该第三输入信号的交流成分被放大并在该第一n型晶体管的漏极形成第二放大后信号，该第二n型晶体管并接着在该第二放大阶段对该第二放大后信号以及该第四输入信号的交流成分进行放大，并输出于该输出端。
3.如权利要求2所述的放大器，其中在该第一放大阶段，该第一p型晶体管和该第一n型晶体管不在截止区，该第二p型晶体管和该第二n型晶体管在截止区。
4.如权利要求3所述的放大器，其中在该第一放大阶段，电荷从该第一电容的第一端经过该第一p型晶体管流入该第一内部负载电容，及电荷从该第二内部负载电容经过该第一n型晶体管流入该第一电容的第二端。
5.如权利要求4所述的放大器，其中在该第一放大阶段，该第一p型晶体管的源极-栅极电压逐...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄诗雄，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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