【技术实现步骤摘要】
本申请涉及存储器领域，具体而言，本申请涉及一种存储器及其访问方法、电子设备。
技术介绍
1、传统的动态随机存取存储器(dram)的一个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。通过控制晶体管导通，进而控制电容充放电，从而实现信息存储。通过存储在电容中的电荷的多少，电容两端电压差的高低，来表示逻辑上的1和0，从而实现1个bit(比特)信息的存储。
技术实现思路
1、本申请提出一种存储器及其访问方法、电子设备。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种存储器，包括多个存储单元、写入字线、写入位线和读取位线；
3、存储单元包括：第一晶体管、电容和第二晶体管；
4、第一晶体管的栅极与写入字线连接，第一晶体管的第一极与写入位线连接，第一晶体管的第二极与电容的第一电极连接，电容的第二电极与第二晶体管的栅极连接，第二晶体管的第一极用于与额定电源连接，以接收预设电压，第二晶体管的第二极与读取位线连接。
5、在一种可能的实现方式中，电容的容值为第二晶体管的栅极的容值的q倍，使得所述电容的第一电极的电压为所述第二晶体管的栅极的电压的1/q，q不为1。
6、在一种可能的实现方式中，q为1/2；写入位线上的4个不同的存储信号，对应读取位线上4个不同数量级的电流值。在一种可能的实现方式中，多个存储单元呈阵列分布；
7、一列存储单元中的每个存储单元均与一条写入字线连接；
8、一行存储单元中的每个存储单元均与一条写入位线连接，并且均与一
9、不同列的存储单元对应不同的写入字线；
10、不同行的存储单元对应不同的写入位线和不同的读取位线。
11、在一种可能的实现方式中，还包括：多个选通单元；
12、一个选通单元对应一行存储单元；
13、选通单元分别与输入端、写入位线连接，用于将输入端的存储信号传输至写入位线；
14、选通单元分别与读取位线、输出端连接，用于将读取位线上的电流信号传输至输出端；
15、存储信号与电流信号一一对应。
16、第二方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括如上述任一的存储器。
17、第三方面，本申请实施例提供了一种存储器的访问方法，包括：
18、通过写入字线向存储单元中的第一晶体管的栅极施加第一电压，以使得第一晶体管导通；
19、通过写入位线向存储单元中的电容的第一极传输多个不同的存储信号，使得电容的第一电极的电压为多个不同的第一电压信号，第二晶体管的栅极的电压为多个不同的第二电压信号，以将多个不同的存储信号写入存储单元，第一电压信号和第二电压信号一一对应，且第一电压信号和第二电压信号不相等且成比例；
20、读取存储单元中的存储信号。
21、在一种可能的实现方式中，读取存储单元中的存储信号包括：
22、感测读取位线上的多个不同的电流值，并将感测的电流值转换为对应的逻辑信号，以读取写入存储单元的存储信号，读取位线上的多个不同的电流值与写入位线上的多个不同的存储信号一一对应。
23、在一种可能的实现方式中，通过写入位线向存储单元中的电容的第一电极传输多个不同的存储信号，使得电容的第一电极的电压为多个不同的第一电压信号，第二晶体管的栅极的电压为多个不同的第二电压信号，以将多个不同的存储信号写入存储单元，包括：
24、通过写入位线向存储单元中的电容的第一电极传输4个不同的存储信号，使得电容的第一电极的电压为4个不同的第一电压信号，第二晶体管的栅极的电压为4个不同的第二电压信号，以将4个不同的存储信号写入存储单元。
25、在一种可能的实现方式中，感测读取位线上的多个不同的电流值，并将感测的电流值转换为对应的逻辑信号，以读取写入存储单元的存储信号，包括：
26、感测读取位线上的4个不同的电流值，并将感测的电流值转换为对应的逻辑信号，以读取写入存储单元的存储信号。
27、本申请实施例提供的技术方案，至少具有如下有益效果：
28、本申请实施例提供的存储器包括多个存储单元、写入字线、写入位线和读取位线，存储单元包括第一晶体管、电容和第二晶体管，第一晶体管的第一极与写入位线连接，第一晶体管的第二极与电容的第一电极连接，电容的第二电极与第二晶体管的栅极连接，第二晶体管的第一极用于接收预设电压，第二晶体管的第二极与读取位线连接。本申请通过设置电容，可以将写入位线上的电压按照一定比例分配给电容的第一电极和第二晶体管的栅极，能够降低由于写入位线上的电压波动可能导致的存储信息的不正确,从而提高了读写存储信息的正确性。
29、而且，本申请实施例采用的2t1c存储单元结构，通过向写入位线上输入多个不同的存储信号，可以控制第二晶体管输出多个不同的电流值，从而读取位线上有多个不同的电流值的输出，从而实现多比特多种状态信息的存储。
30、本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
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1.一种存储器，包括多个存储单元、写入字线、写入位线和读取位线；
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述Q为1/2；
4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，多个存储单元呈阵列分布；
5.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，还包括：多个选通单元；
6.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至5任一所述的存储器。
7.一种如权利要求1至5任一所述存储器的访问方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的存储器的访问方法，其特征在于，所述读取所述存储单元中的存储信号包括：
9.根据权利要求8所述的存储器的访问方法，其特征在于，所述通过写入位线向存储单元中的电容的第一电极传输多个不同的存储信号，使得所述电容的第一电极的电压为多个不同的第一电压信号，所述第二晶体管的栅极的电压为多个不同的第二电压信号，以将多个不同的存储信号写入所述存储单元，包括：
10.根据权利要求9所述的存储器的访问方法，其特征在于，所述感测
...【技术特征摘要】
1.一种存储器，包括多个存储单元、写入字线、写入位线和读取位线；
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述q为1/2；
4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，多个存储单元呈阵列分布；
5.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，还包括：多个选通单元；
6.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至5任一所述的存储器。
7.一种如权利要求1至5任一所述存储器的访问方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯霖杰，罗杰，吕浩昌，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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