【技术实现步骤摘要】
本公开属于半导体制备设备领域，特别涉及一种真空系统及化学气相沉积设备。
技术介绍
1、化学气相沉积设备是一种用于制备半导体的设备，主要用于进行气相外延生长。
2、在相关技术中，化学气相沉积设备包括真空系统，真空系统用于为化学气相沉积设备的反应腔提供所需的真空度，从而为腔内反应物提供动能。真空系统主要包括真空泵和蝶阀，真空泵与反应腔一一对应且相连，蝶阀设置在对应的真空泵和反应腔之间，通过调节蝶阀的开度，来实现对于反应腔内压力的调节。
3、然而，为了避免因真空泵异常，而导致反应腔宕机报废，需要定期将真空泵停机保养。真空泵停机，会导致对应的反应腔停机，从而导致了化学气相沉积设备的工作效率被降低。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种真空系统及化学气相沉积设备，能够提高化学气相沉积设备的工作效率。所述技术方案如下：
2、第一方面，本公开实施例提供了一种真空系统，应用于化学气相沉积设备，所述真空系统包括缓冲罐、多个真空泵、多个腔体连接管路和多个蝶阀；
3、多个所述真空泵分别与所述缓冲罐相连；
4、多个所述腔体连接管路的第一端分别与所述缓冲罐相连，多个所述腔体连接管路的第二端分别与所述化学气相沉积设备的反应腔连接，每个所述腔体连接管路上安装有所述蝶阀。
5、在本公开的一种实现方式中，所述真空泵的数量不大于所述腔体连接管路的数量。
6、在本公开的另一种实现方式中，多个所述真空泵中包括常用泵和备用泵；
<...【技术保护点】
1.一种真空系统，其特征在于，应用于化学气相沉积设备，所述真空系统包括缓冲罐(10)、多个真空泵(20)、多个腔体连接管路(30)和多个蝶阀(40)；
2.根据权利要求1所述的真空系统，其特征在于，所述真空泵(20)的数量不大于所述腔体连接管路(30)的数量。
3.根据权利要求1所述的真空系统，其特征在于，多个所述真空泵(20)中包括常用泵和备用泵；
4.根据权利要求1所述的真空系统，其特征在于，所述真空系统还包括多个泵连接管路(50)；
5.根据权利要求4所述的真空系统，其特征在于，每个所述泵连接管路(50)上安装有止回阀(60)。
6.根据权利要求4所述的真空系统，其特征在于，每个所述泵连接管路(50)上安装有球阀(70)。
7.根据权利要求6所述的真空系统，其特征在于，所述球阀(70)为电控球阀；
8.一种化学气相沉积设备，其特征在于，包括真空系统和多个反应腔(100)；
9.根据权利要求8所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述真空泵(20)的数量不大于所述反应腔(100)的数
10.根据权利要求8所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述真空泵(20)处于第一空间内，所述反应腔(100)处于第二空间内，所述第一空间和所述第二空间之间相间隔。
...【技术特征摘要】
1.一种真空系统，其特征在于，应用于化学气相沉积设备，所述真空系统包括缓冲罐(10)、多个真空泵(20)、多个腔体连接管路(30)和多个蝶阀(40)；
2.根据权利要求1所述的真空系统，其特征在于，所述真空泵(20)的数量不大于所述腔体连接管路(30)的数量。
3.根据权利要求1所述的真空系统，其特征在于，多个所述真空泵(20)中包括常用泵和备用泵；
4.根据权利要求1所述的真空系统，其特征在于，所述真空系统还包括多个泵连接管路(50)；
5.根据权利要求4所述的真空系统，其特征在于，每个所述泵连接管路(50)上安装有止回阀(60)。...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴涛羽，袁将峰，薛涛，
申请(专利权)人：京东方华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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