【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种降低导通电阻的碳化硅ldmos。
技术介绍
1、碳化硅(sic)材料作为宽禁带半导体，在集成电路器件设计方面日益受到关注与研究。以其为材料制作的功率mosfet具有输入阻抗高、温度特性好、耐压能力强、频率特性优、开关速度快的优点，被广泛应用于各个领域。
2、在sic ldmosfet中，器件的耐压能力和导通能力往往是此消彼长的，通常器件的耐压能力越强，导通电阻越小。提高耐压能力往往会导致器件开启时需要导通的电阻增加，从而影响器件的导通能力。本文提出了一种降低特征导通电阻的超结ldmos结构，可以在维持器件击穿电压的情况下降低器件的特征导通电阻，提高器件的导通能力。
3、在一份技术，申请号201310421765.8，技术名称为一种横向高压超结功率半导体器件，该技术是在超结区下方增加电荷补偿层能够优化器件击穿电压，但是其导通电阻依旧较大，导通特性依旧需要进一步的优化。
技术实现思路
1、本技术要解决的技术问题，在于提供一种降低导通电阻的碳化硅ldmos，对超结ldmos结构引入沟槽栅，导电沟道由表面转为体内，在通过超结结构保持高击穿电压的同时降低导通电阻，优化器件的导通特性。
2、本技术是这样实现的：一种降低导通电阻的碳化硅ldmos，包括：
3、碳化硅衬底，
4、缓冲层，所述缓冲层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面；
5、体区，所述体区上设有栅沟槽，所述体区下侧面连接至所述缓冲层上侧面，所述体区上设
6、超结区，所述超结区下侧面连接至所述缓冲层上侧面，所述超结区一侧面连接至所述体区一侧面以及源区一侧面，所述超结区上设有漏区；
7、栅极，所述栅极设于所述氧化物层内；
8、源极，所述源极连接至所述源区；
9、以及，漏极，所述漏极连接至所述漏区。
10、进一步地，所述体区上设有两个栅沟槽，两个所述栅沟槽内均设有氧化物层。
11、进一步地，所述源区包括从左往右依次排列的第一p型源区、第一n型源区、第二n型源区、第二p型源区、第三n型源区、第四n型源区以及第三p型源区；一个所述栅沟槽设于所述第一n型源区与第二n型源区之间，另一个所述栅沟槽设于所述第三n型源区和第四n型源区之间。
12、进一步地，所述缓冲层上设有凹槽，所述凹槽与所述栅沟槽对应，所述氧化物层底部设于所述凹槽内。
13、进一步地，所述凹槽的深度为缓冲层总厚度的五分之一至三分之一。
14、进一步地，超结区包括第一n柱、第二n柱、第一p柱以及第二p柱，所述第一n柱、第一p柱、第二n柱以及第二p柱依次连接，所述第一n柱的一端部、第一p柱的一端部、第二n柱的一端部以及第二p柱的一端部均连接至所述体区一侧面以及源区一侧面，所述漏区设于所述第一n柱的另一端部、第一p柱的另一端部、第二n柱的另一端部以及第二p柱的另一端。
15、本技术的优点在于：
16、本技术一种降低导通电阻的碳化硅ldmos，由于存在沟槽栅，比普通sic超结ldmos导通电阻小很多；其导电通道由水平方向转为垂直方向，沟道电流产生与器件内部，增大了器件的有效利用面积，降低了器件的导通电阻；具有沟槽栅增加沟道电流密度，同时栅极对于沟道的控制能力更强，有利于优化器件的开关能力；在超结区下设置n型缓冲层，通过电荷补偿消除衬底辅助耗尽效应，优化器件的耐压能力。
17、本技术的碳化硅ldmos能在相同横向面积大小、不降低击穿电压的条件下提高器件的导通能力，降低特征导通电阻，对于超结ldmos的器件性能提升很有好处。
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1.一种降低导通电阻的碳化硅LDMOS，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种降低导通电阻的碳化硅LDMOS，其特征在于，所述体区上设有两个栅沟槽，两个所述栅沟槽内均设有氧化物层。
3.如权利要求2所述的一种降低导通电阻的碳化硅LDMOS，其特征在于，所述源区包括从左往右依次排列的第一P型源区、第一N型源区、第二N型源区、第二P型源区、第三N型源区、第四N型源区以及第三P型源区；一个所述栅沟槽设于所述第一N型源区与第二N型源区之间，另一个所述栅沟槽设于所述第三N型源区和第四N型源区之间。
4.如权利要求1所述的一种降低导通电阻的碳化硅LDMOS，其特征在于，所述缓冲层上设有凹槽，所述凹槽与所述栅沟槽对应，所述氧化物层底部设于所述凹槽内。
5.如权利要求4所述的一种降低导通电阻的碳化硅LDMOS，其特征在于，所述凹槽的深度为缓冲层总厚度的五分之一至三分之一。
6.如权利要求1所述的一种降低导通电阻的碳化硅LDMOS，其特征在于，超结区包括第一N柱、第二N柱、第一P柱以及第二P柱，所述第一N柱、第一P柱、第二N柱以及
...【技术特征摘要】
1.一种降低导通电阻的碳化硅ldmos，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种降低导通电阻的碳化硅ldmos，其特征在于，所述体区上设有两个栅沟槽，两个所述栅沟槽内均设有氧化物层。
3.如权利要求2所述的一种降低导通电阻的碳化硅ldmos，其特征在于，所述源区包括从左往右依次排列的第一p型源区、第一n型源区、第二n型源区、第二p型源区、第三n型源区、第四n型源区以及第三p型源区；一个所述栅沟槽设于所述第一n型源区与第二n型源区之间，另一个所述栅沟槽设于所述第三n型源区和第四n型源区之间。
4.如权利要求1所述的一种降低导通电阻的碳化硅ldmos，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：周海，何佳，单体玮，
申请(专利权)人：浏阳泰科天润半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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