【技术实现步骤摘要】
本申请涉及一种压电薄膜滤波器，更具体地，涉及一种用于改进插入损耗的压电薄膜滤波器。
技术介绍
1、随着以移动电话为代表的无线设备的迅速普及，对小型轻量化谐振器和由这样的谐振器组成的滤波器的需求不断增加。为了这一需求，主要使用介质滤波器和表面声波(saw)滤波器，但是近来，由压电薄膜谐振器组成的滤波器正在受到关注，该滤波器特别在高频率下具有良好特性并且可以实现小型化和单片集成正在受到关注。
2、压电薄膜谐振器分为薄膜体声波谐振器(fbar)和固态装配谐振器(smr)。
3、fbar具有一种层压结构，该层压结构由位于衬底上的下电极、压电层和上电极组成。在下电极和上电极横跨压电膜彼此相对的部分(谐振部分)处在下电极下方形成有空腔。这里，现有技术中已知在fbar中有两种类型的空腔，一种是通过对在衬底的表面上设置的牺牲层进行湿法蚀刻而在下电极和衬底之间形成的空腔，另一种是通过湿法蚀刻或干法蚀刻而在衬底中形成的通孔。smr不具有fbar中的空腔，而是具有声学多层膜。声学多层膜是如下所述的膜，其膜厚为λ/4(λ：声波的波长)，并且通过交替堆叠具有高声学阻抗的薄膜和具有低声学阻抗的薄膜而形成。
4、压电薄膜谐振器分别设置在串联臂和并联臂中并且处于置于输入和输出端子之间以配置滤波器。当串联臂中的压电薄膜谐振器的谐振频率与并联臂中的压电薄膜谐振器(并联谐振器)的反谐振频率基本彼此一致时，滤波器用作带通滤波器。
5、然而，在这样的压电薄膜滤波器中，串联谐振器和并联谐振器的下电极可能发生沉积，并且只有串联
技术实现思路
1、本申请提供了一种压电薄膜滤波器，通过修改滤波器的串联谐振器的下电极的布局，能够改善插入损失。
2、在一个一般方面，提供了一种具有并联谐振器和串联谐振器的压电薄膜滤波器，包括：衬底，其包括构成并联谐振器的并联空腔和构成串联谐振器的串联空腔；在衬底中构成并联谐振器的并联衬底部分上形成的并联下电极；在衬底中构成串联谐振器的串联衬底部分上形成的串联下电极；形成在衬底、并联下电极和串联下电极上的压电层；以及形成在压电层上的上电极，其中串联下电极包括第一串联下电极和第二串联下电极，第一串联下电极形成在串联衬底部分中形成串联空腔的部分上，并且第二串联下电极形成在串联衬底部分中未形成串联空腔的部分上，其中第一串联下电极的厚度小于或等于与第二串联下电极的厚度相比的预定厚度。
3、第一串联下电极的厚度可以小于或等于第二串联下电极的厚度的2/3。
4、第二串联下电极的厚度可以与并联下电极的厚度相同。
5、第一串联下电极的电极边缘，即第一串联下电极的与并联下电极相邻的部分，可以向上延伸以对应于并联下电极的厚度。
6、该电极边缘的宽度可以大于或等于1纳米且小于或等于10纳米。
7、第一串联下电极的电极边缘，即第一串联下电极的与并联下电极相邻的部分，可以具有与并联下电极的厚度相比的预定厚度或小于预定厚度的厚度。
8、第一串联下电极的串联电极边界表面形成第一串联下电极与第二串联下电极之间的边界，并且可以形成在与限定串联空腔的空间的竖直假想表面对应的位置。
9、第一串联下电极的串联电极边界表面形成第一串联下电极与第二串联下电极之间的边界，并可以形成在从限定串联空腔的空间的竖直假想表面向外的方向上。
10、本申请的效果
11、根据本申请，串联下电极包括形成在串联衬底部分的形成串联空腔的部分上的第一串联下电极；以及在串联衬底部分的未形成串联空腔的部分上形成的第二串联下电极，其中第一串联下电极的厚度小于或等于与第二串联下电极的厚度相比的预定厚度。结果，能够在改进串联谐振器的电阻的同时，分离串联谐振器和并联谐振器的谐振频率，从而减少带内插入损失。
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1.一种压电薄膜滤波器，所述压电薄膜滤波器具有并联谐振器和串联谐振器，并且包括：
2.根据权利要求1所述的压电薄膜滤波器，其中，所述第一串联下电极的厚度小于或等于所述第二串联下电极的厚度的2/3。
3.根据权利要求1所述的压电薄膜滤波器，其中，所述第二串联下电极的厚度与所述并联下电极的厚度相同。
4.根据权利要求1所述的压电薄膜滤波器，其中，所述第一串联下电极的电极边缘向上延伸到对应于所述并联下电极的厚度的位置，所述第一串联下电极的所述电极边缘是所述第一串联下电极的与所述并联下电极相邻的部分。
5.根据权利要求4所述的压电薄膜滤波器，其中，所述电极边缘的宽度大于或等于1纳米且小于或等于10纳米。
6.根据权利要求1所述的压电薄膜滤波器，其中，所述第一串联下电极的电极边缘具有与所述并联下电极的厚度相比的预定厚度或小于该预定厚度的厚度，所述第一串联下电极的所述电极边缘是所述第一串联下电极的与所述并联下电极相邻的部分。
7.根据权利要求1所述的压电薄膜滤波器，其中，所述第一串联下电极的串联电极边界表面形成所述第一串
8.根据权利要求1所述的压电薄膜滤波器，其中，所述第一串联下电极的串联电极边界表面形成所述第一串联下电极与所述第二串联下电极之间的边界，并形成在从限定所述串联空腔的空间的竖直假想表面向外的方向上。
...【技术特征摘要】
1.一种压电薄膜滤波器，所述压电薄膜滤波器具有并联谐振器和串联谐振器，并且包括：
2.根据权利要求1所述的压电薄膜滤波器，其中，所述第一串联下电极的厚度小于或等于所述第二串联下电极的厚度的2/3。
3.根据权利要求1所述的压电薄膜滤波器，其中，所述第二串联下电极的厚度与所述并联下电极的厚度相同。
4.根据权利要求1所述的压电薄膜滤波器，其中，所述第一串联下电极的电极边缘向上延伸到对应于所述并联下电极的厚度的位置，所述第一串联下电极的所述电极边缘是所述第一串联下电极的与所述并联下电极相邻的部分。
5.根据权利要求4所述的压电薄膜滤波器，其中，所述电极边缘的宽度大于或等于1纳米且小于或等于10纳米。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：高庸熏，朴䒳焌，韩相瀷，
申请(专利权)人：天津威盛电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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