【技术实现步骤摘要】
本申请涉及存储芯片封装，尤其涉及一种nand闪存及闪存芯片连接底座、和固态存储器。
技术介绍
1、现在的ssd(固态存储)产品，会用到nand flash(闪存)颗粒，其中，nand flash的常用封装形式有bga152(152个管脚)封装，如图1所示，它完全兼容bga132(132个管脚)的封装，如图2所示，这两个是onfi(open nand flash interface)联盟定义的标准封装。一个bga152/132封装的nand flash一般支持两个通道，如图1中信号名字以“_1”结尾的是通道1，而信号名字以“_0”结尾的是通道0。bga152/132封装的nand flash有一个很重要的特点，就是对称性，即将其旋转180°后，通道1的信号能完全匹配通道0，仅仅是在互换通道的差别。
2、对于现有的ssd产品，为了追求成本控制，会采用nand flash在pcb上进行正反面双面对贴的形式，即正面和反面各有一个nand flash颗粒，视觉上是完全重合在一起的。ssd控制器通常有多个通道，如图3所示为常见的ssd(两个通道)应用架构，每个通道连接到了4个nand flash颗粒。同时，nand flash的速率越来越高，如从最初的50mt/s到现如今的2400mt/s甚至更高，在图3的一拖多的场景中，需要选择合适的拓扑结构来满足信号完整性的要求。
3、其中，常见的拓扑结构有t型，菊花链型(fly-by)，t+t型，以及这二者的混合型，如图4所示。经实践表明，满足要求的t+t型拓扑结构能够实现更好
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例提供一种nand闪存及闪存芯片连接底座、和固态存储器。
2、第一方面，本申请实施例提供一种nand闪存，所述nand闪存通过对基于球栅阵列封装格式的芯片引脚排布进行部分引脚重新定义得到，包括：
3、将每个通道区域中的dq引脚均匀设置在纵向通道的左右两列的头部或尾部，且所述左右两列相差至少三列的距离，其中，所述纵向通道由所述球栅阵列中的正中间列形成；
4、将每个通道区域中的dqs差分对引脚、re差分对引脚、以及wp与we引脚分别设置在位于所述纵向通道同一侧的相邻上下行或相邻左右列。
5、在一些实施例中，该nand闪存还包括：
6、将与所述球栅阵列中的正中间行相邻的上下两行的相应引脚移除或移动至其他行，以形成两条横向通道。
7、在一些实施例中，该nand闪存还包括：
8、将与所述球栅阵列中的正中间行相邻的左下一行和右上一行的引脚移动至其他行，以形成两条半横向通道；
9、以及，将位于与所述球栅阵列中的正中间行相邻的左上三行和右下三行的引脚调整为上三角及下三角排布，其中，vssq、vccq及vddi引脚保持原始位置不变。
10、在一些实施例中，所述引脚的行间距和列间距均设为1mm。
11、在一些实施例中，当所述nand闪存支持两个通道且采用bga152封装格式时，第一通道区域中的八个dq引脚依次分布在所述球栅阵列中的第5列和第9列的第a～d行；第二通道区域中的八个dq引脚依次分布在所述球栅阵列中的第5列和第9列的第p～u行；
12、其中，所述第一通道区域中的八个dq引脚的通道序列与所述第二通道区域中的八个dq引脚的通道序列呈中心对称。
13、在一些实施例中，所述第一通道区域中的dqs差分引脚调整至所述球栅阵列中的第6列的第e～f行；
14、所述第一通道区域中的re差分引脚调整至所述球栅阵列中的第8～9列的第g行；
15、所述第一通道区域中的wp引脚与we引脚调整至所述球栅阵列中的第8列的第e～f行；
16、其中，所述第二通道区域中的dqs差分引脚、re差分引脚、以及wp引脚与we引脚的位置分别与所述第一通道区域中的相同定义引脚的位置呈中心对称。
17、在一些实施例中，当所述nand闪存支持两个通道且采用bga132封装格式时，第一通道区域中的八个dq引脚依次分布在所述球栅阵列中的第4列和第8列的第a～d行；第二通道区域中的八个dq引脚依次分布在所述球栅阵列中的第4列和第8列的第p～u行；
18、其中，所述第一通道区域中的八个dq引脚的通道序列与所述第二通道区域中的八个dq引脚的通道序列呈中心对称。
19、在一些实施例中，所述第一通道区域中的dqs差分引脚调整至所述球栅阵列中的第5列的第e～f行；
20、所述第一通道区域中的re差分引脚调整至所述球栅阵列中的第7～8列的第g行；
21、所述第一通道区域中的wp引脚与we引脚调整至所述球栅阵列中的第7列的第e～f行；
22、其中，所述第二通道区域中的dqs差分引脚、re差分引脚、以及wp引脚与we引脚的位置分别与所述第一通道区域中的相同定义引脚的位置呈中心对称。
23、第二方面，本申请实施例提供一种闪存芯片连接底座，所述闪存芯片连接底座采用所述的nand闪存的引脚排布。
24、第三方面，本申请实施例提供一种固态存储器，包括控制器和采用正反面对贴形式设置的至少两个闪存颗粒，每个所述闪存颗粒均与所述控制器连接，其中，每个所述闪存颗粒为所述的nand闪存。
25、本申请的实施例具有如下有益效果：
26、本申请提出的闪存芯片连接底座通过对基于球栅阵列封装格式的闪存芯片引脚排布进行部分引脚重新定义得到，其中包括：将每个通道区域中的dq引脚均匀设置在纵向通道的左右两列的头部或尾部，且左右两列相差至少三列的距离，其中，纵向通道由球栅阵列中的正中间列形成；以及，将每个通道区域中的dqs差分引脚、re差分引脚、以及wp与we引脚分别设置在位于纵向通道同一侧的相邻上下行或相邻左右列。通过采用新的引脚布局，即重新排布dq引脚、dqs和re差分引脚、以及wp与we引脚等的位置，同时在封装的中间留出纵向通道，不仅可以避免差分走线时产生相互干扰，还方便出线，可以降低布线难度和布线密度等。
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1.一种NAND闪存，其特征在于，所述NAND闪存通过对基于球栅阵列封装格式的芯片引脚排布进行部分引脚重新定义得到，包括：
2.根据权利要求1所述的NAND闪存，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的NAND闪存，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1至3中任一项所述的NAND闪存，其特征在于，所述引脚的行间距和列间距均设为1mm。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的NAND闪存，其特征在于，当所述NAND闪存支持两个通道且采用BGA152封装格式时，第一通道区域中的八个DQ引脚依次分布在所述球栅阵列中的第5列和第9列的第A～D行；第二通道区域中的八个DQ引脚依次分布在所述球栅阵列中的第5列和第9列的第P～U行；
6.根据权利要求5所述的NAND闪存，其特征在于，所述第一通道区域中的DQS差分引脚调整至所述球栅阵列中的第6列的第E～F行；
7.根据权利要求1至3中任一项所述的NAND闪存，其特征在于，当所述NAND闪存支持两个通道且采用BGA132封装格式时，第一通道区域中的八个DQ引脚依次分布在
8.根据权利要求7所述的NAND闪存，其特征在于，所述第一通道区域中的DQS差分引脚调整至所述球栅阵列中的第5列的第E～F行；
9.一种闪存芯片连接底座，其特征在于，所述闪存芯片连接底座采用如权利要求1至8中任一项所述的NAND闪存的引脚排布。
10.一种固态存储器，其特征在于，包括控制器和采用正反面对贴形式设置的至少两个闪存颗粒，每个所述闪存颗粒均与所述控制器连接，其中，每个所述闪存颗粒为如权利要求1至8中任一项所述的NAND闪存。
...【技术特征摘要】
1.一种nand闪存，其特征在于，所述nand闪存通过对基于球栅阵列封装格式的芯片引脚排布进行部分引脚重新定义得到，包括：
2.根据权利要求1所述的nand闪存，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的nand闪存，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1至3中任一项所述的nand闪存，其特征在于，所述引脚的行间距和列间距均设为1mm。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的nand闪存，其特征在于，当所述nand闪存支持两个通道且采用bga152封装格式时，第一通道区域中的八个dq引脚依次分布在所述球栅阵列中的第5列和第9列的第a～d行；第二通道区域中的八个dq引脚依次分布在所述球栅阵列中的第5列和第9列的第p～u行；
6.根据权利要求5所述的nand闪存，其特征在于，所述第一通道区域中的dqs差分引脚调整至所述球栅阵列中...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁小龙，王斐，叶云杰，
申请(专利权)人：深圳市德明利技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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