【技术实现步骤摘要】
本技术涉及切割设备，尤其涉及一种精度高的半导体晶圆切割设备。
技术介绍
1、晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主，在晶圆的生产过程中往往需要将原材料进行切割，使其成为一个个适用的半导体晶。而常见的切割方法有机械切割法、激光切割法和耦合切割法等，而随着科技的进步，对精度要求越来越高，激光切割是常用的切割方式。
2、而现有的切割设备在使用时，其流程一般都是将所需切割的晶圆方式在托持部件上，使其移动至切割装置下方，在完成切割后，对其进行取料，再上料，在下料上料过程中，则存在一定时间的切割空档，并不能进行无缝连接的循环切割，进而降低了装置后期的工作效率。
3、因此，有必要提供一种新的精度高的半导体晶圆切割设备解决上述技术问题。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本技术提供一种精度高的半导体晶圆切割设备。
2、本技术提供的精度高的半导体晶圆切割设备包括：
3、壳体，所述壳体内部的一侧架设有活动连接的激光器；
4、转动组件，所述转动组件设置在壳体内部，所述转动组件包括转动电机和支撑座，所述转动电机的底部与壳体的内底部固定连接，所述转动电机的输出端设有固定连接的转盘，且所述转盘的顶部设有若干均匀分布的放置盘；
5、所述转盘的底部架设有固定连接
6、所述支撑座固定安装在壳体内部，且所述支撑座外壁与气缸相对部位设有光电开关。
7、优选的，所述气缸的顶部设有固定连接的支撑片，所述支撑片顶部的中心设有固定连接的支撑柱，所述支撑片顶部设有若干固定连接的顶片，且所述顶片的外壁为倾斜的坡面。
8、优选的，所述转盘内部与放置盘相对部位的外侧开设有若干均匀分布的滑槽，所述滑槽的内部插设有滑动连接的滑杆，所述滑杆的顶部设有固定连接的限位片，所述滑杆的底端设有固定连接的挤压片，且所述挤压片的外壁为倾斜的坡面。
9、优选的，所述挤压片的外壁设有固定连接的弹簧，所述弹簧远离挤压片的一端设有固定连接的挡片，且所述挡片的顶端与转盘的底部固定连接。
10、优选的，所述转盘内部与每一放置盘中心相对部位均开设有通孔，所述放置盘内部与通孔相对部位开设有通槽，且所述通槽和通孔内部插设有滑动连接的顶杆。
11、优选的，若干所述顶杆的底端与同一连接环的顶部固定连接，所述连接环的顶部设有若干固定连接的拉绳，所述拉绳的外部套设有滑动连接的导向环，所述导向环的顶端与转盘的底部固定连接，且所若干所述拉绳的远离连接环的一端均与支撑柱的顶端固定连接。
12、优选的，所述壳体内部的一侧架设有第一电动滑轨，所述第一电动滑轨上设有第二电动滑轨，所述第二电动滑轨与激光器的顶端连接，且所述壳体的外部设有控制器。
13、与相关技术相比较，本技术提供的精度高的半导体晶圆切割设备具有如下有益效果：
14、1、本技术通过转动组件的设置，后期在使用过程中，可在激光器进行切割的过程中，对已切割完成的晶圆进行下料拿取，并顺利的进行下一批次所需切割的晶圆进行放置，即可顺利的进行不停机循环工作，进而提高本装置后期的工作效率。
15、2、本技术通过在转动板的底部设置顶杆，后期在完成切割后，解除限位片对晶圆限位的同时，即可顺利了的通过顶杆将晶圆向上顶起，使其与放置盘相分离进而可使工作人员后期的拿取下料更加方便。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种精度高的半导体晶圆切割设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的精度高的半导体晶圆切割设备，其特征在于，所述气缸(4)的顶部设有固定连接的支撑片(41)，所述支撑片(41)顶部的中心设有固定连接的支撑柱(43)，所述支撑片(41)顶部设有若干固定连接的顶片(42)，且所述顶片(42)的外壁为倾斜的坡面。
3.根据权利要求1所述的精度高的半导体晶圆切割设备，其特征在于，所述转盘(31)内部与放置盘(6)相对部位的外侧开设有若干均匀分布的滑槽(312)，所述滑槽(312)的内部插设有滑动连接的滑杆(51)，所述滑杆(51)的顶部设有固定连接的限位片(5)，所述滑杆(51)的底端设有固定连接的挤压片(54)，且所述挤压片(54)的外壁为倾斜的坡面。
4.根据权利要求3所述的精度高的半导体晶圆切割设备，其特征在于，所述挤压片(54)的外壁设有固定连接的弹簧(52)，所述弹簧(52)远离挤压片(54)的一端设有固定连接的挡片(53)，且所述挡片(53)的顶端与转盘(31)的底部固定连接。
5.根据权利要求4所述的精度高的半导体
6.根据权利要求5所述的精度高的半导体晶圆切割设备，其特征在于，若干所述顶杆(47)的底端与同一连接环(46)的顶部固定连接，所述连接环(46)的顶部设有若干固定连接的拉绳(44)，所述拉绳(44)的外部套设有滑动连接的导向环(45)，所述导向环(45)的顶端与转盘(31)的底部固定连接，且所若干所述拉绳(44)的远离连接环(46)的一端均与支撑柱(43)的顶端固定连接。
7.根据权利要求1所述的精度高的半导体晶圆切割设备，其特征在于，所述壳体(1)内部的一侧架设有第一电动滑轨(11)，所述第一电动滑轨(11)上设有第二电动滑轨(12)，所述第二电动滑轨(12)与激光器(2)的顶端连接，且所述壳体(1)的外部设有控制器(13)。
...【技术特征摘要】
1.一种精度高的半导体晶圆切割设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的精度高的半导体晶圆切割设备，其特征在于，所述气缸(4)的顶部设有固定连接的支撑片(41)，所述支撑片(41)顶部的中心设有固定连接的支撑柱(43)，所述支撑片(41)顶部设有若干固定连接的顶片(42)，且所述顶片(42)的外壁为倾斜的坡面。
3.根据权利要求1所述的精度高的半导体晶圆切割设备，其特征在于，所述转盘(31)内部与放置盘(6)相对部位的外侧开设有若干均匀分布的滑槽(312)，所述滑槽(312)的内部插设有滑动连接的滑杆(51)，所述滑杆(51)的顶部设有固定连接的限位片(5)，所述滑杆(51)的底端设有固定连接的挤压片(54)，且所述挤压片(54)的外壁为倾斜的坡面。
4.根据权利要求3所述的精度高的半导体晶圆切割设备，其特征在于，所述挤压片(54)的外壁设有固定连接的弹簧(52)，所述弹簧(52)远离挤压片(54)的一端设有固定连接的挡片(53)，且所述挡片(53)的顶端与转盘(31)的底部固定连接。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈实，胡旺安，张峰峰，程浩，
申请(专利权)人：深圳市宸悦存储电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。