System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind()
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用了多种溶剂的氢化聚合物的制造方法等。特别是,本专利技术涉及通过将芳香族乙烯基化合物系聚合物的芳香环氢化(环上氢化)来制造氢化聚合物的方法。
技术介绍
1、近年来,以丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、苯乙烯系树脂、聚碳酸酯树脂、环状聚烯烃树脂为代表的聚合物用于各种用途,特别是由于其光学特性,作为光学透镜、光盘基板等光学材料的需求很多。这种光学材料不仅需要高透明性,还需要高耐热性、低吸水性、机械性能等的均衡性优异的高性能。
2、为了应对这样的需求,一直进行着聚合物的各种改良,作为这样的改良的一例,可以举出芳香族聚合物的氢化(环上氢化)。
3、例如,日本特许第5540703号公报(专利文献1)涉及芳香族乙烯基化合物/(甲基)丙烯酸酯系共聚物的氢化,日本特开2014-77044号公报(专利文献2)涉及使用了无硫原料的环上氢化聚合物的制造方法。此外,日本特许第2890748号公报(专利文献3)涉及氢化苯乙烯系树脂的制造方法,日本特表2001-527095号公报(专利文献4)、特表2002-511501号公报(专利文献5)和特表2002-511508号公报(专利文献6)涉及芳香族聚合物的氢化方法。日本特许第4224655号公报(专利文献7)和特许第5007688号公报(专利文献8)涉及脂环式烃系共聚物或含脂环结构的聚合物,记载了这些聚合物可以通过芳香族聚合物的氢化得到。
4、在先技术文献
5、专利文献
6、专利文献1:日本特许第5540703号公报
7、专利
8、专利文献3:日本特许第2890748号公报
9、专利文献4:日本特表2001-527095号公报
10、专利文献5:日本特表2002-511501号公报
11、专利文献6:日本特表2002-511508号公报
12、专利文献7:日本特许第4224655号公报
13、专利文献8:日本特许第5007688号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、但是,在芳香族聚合物的氢化过程中,由于氢化后所得到的氢化聚合物对于反应溶剂的溶解性低,所以有时会产生沉淀,包括除去该沉淀的工序,有可能使得生产率下降。
3、基于上述状况,需求使用了能够很好地溶解氢化前后的聚合物的溶剂的氢化方法。
4、用于解决课题的技术手段
5、本专利技术的专利技术人经过深入研究,结果发现:在通过将芳香族乙烯基化合物系聚合物的芳香环氢化来制造氢化聚合物的方法中,使用包含至少一种的第一溶剂和至少一种的第二溶剂的混合溶剂,调节各溶剂或它们的混合溶剂的汉森溶解度参数(hsp),从而完成了本专利技术。
6、即,本专利技术提供下述所示的制造方法等。
7、[1]一种氢化聚合物的制造方法,通过将芳香族乙烯基化合物系聚合物的芳香环氢化来制造氢化聚合物,
8、该制造方法包括使用上述芳香族乙烯基化合物系聚合物、溶剂和氢化催化剂进行氢化反应的步骤,
9、上述溶剂为包含至少一种的第一溶剂和至少一种的第二溶剂的混合溶剂,
10、上述混合溶剂的汉森溶解度参数(hsp)值
11、1)落入氢化前的上述芳香族乙烯基化合物系聚合物的由δd轴、δp轴和δh轴构成的三维空间上的汉森球中,并且
12、2)落入氢化后的上述芳香族乙烯基化合物系聚合物的由δd轴、δp轴和δh轴构成的三维空间上的汉森球中。
13、[2]一种氢化聚合物的制造方法,通过将芳香族乙烯基化合物系聚合物的芳香环氢化来制造氢化聚合物,
14、该制造方法包括使用上述芳香族乙烯基化合物系聚合物、溶剂和氢化催化剂进行氢化反应的步骤,
15、上述溶剂为包含至少一种的第一溶剂和至少一种的第二溶剂的混合溶剂,
16、上述至少一种的第一溶剂的汉森溶解度参数(hsp)分别如下,
17、δd:10~20(优选11~19、更优选12~18、进一步优选14~17)、δp:1~15(优选2~12、更优选3~10、进一步优选4~8)、
18、δh:1~25(优选2~20、更优选4~15、进一步优选5~10),
19、上述至少一种的第二溶剂的hsp分别如下,
20、δd:10~20(优选11~19、更优选12~18、进一步优选14~18)、
21、δp:0以上且小于1(优选0~0.9、更优选0~0.6、进一步优选0~0.4)、
22、δh:0~2(优选0~1.5、更优选0~1、进一步优选0~0.8),
23、上述至少一种的第一溶剂与上述至少一种的第二溶剂的重量比(第一溶剂∶第二溶剂)为1∶9~9∶1(优选2∶8~9∶1、更优选2∶8~8∶2),
24、上述第一溶剂为选自酯系溶剂、芳香族系溶剂、单环式单萜和二噁烷中的溶剂。
25、[3]根据[1]所述的制造方法,其中,上述至少一种的第一溶剂与上述至少一种的第二溶剂的重量比(第一溶剂∶第二溶剂)为1∶9~9∶1(优选2∶8~9∶1、更优选2∶8~8∶2)。
26、[4]根据[1]或[3]所述的制造方法,其中,还包括得到氢化前的上述芳香族乙烯基化合物系聚合物的汉森球和氢化后的上述芳香族乙烯基化合物系聚合物的汉森球的步骤。
27、[5]根据[1]~[4]中任一项所述的制造方法,其中,上述混合溶剂的hsp分别如下,
28、δd:15.6~16.7、
29、δp:0.3~4.7、
30、δh:0.5~5.8。
31、[6]根据[1]~[5]中任一项所述的制造方法,其中,上述至少一种的第一溶剂包含选自乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、异丁酸甲酯、丙酸甲酯和丙二醇单甲醚乙酸酯中的一种以上,优选包含选自乙酸丁酯、异丁酸甲酯和丙酸甲酯中的一种以上。
32、[7]根据[1]~[6]中任一项所述的制造方法,其中,上述至少一种的第二溶剂包含选自饱和烃系溶剂和单环式单萜的氢化物中的一种以上。
33、[8]根据[1]~[7]中任一项所述的制造方法,其中,上述至少一种的第二溶剂包含选自环己烷、c7~c15单烷基环己烷、c8~c15二烷基环己烷、c9~c15三烷基环己烷、c10~c15四烷基环己烷、环辛烷、c9~c15单烷基环辛烷、c10~c15二烷基环辛烷、c11~c15三烷基环辛烷、c12~c15四烷基环辛烷、正辛烷和正癸烷中的一种以上,优选包含选自环己烷、c7~c15单烷基环己烷、c8~c15二烷基环己烷、c9~c15三烷基环己烷和c10~c15四烷基环己烷中的一种以上。
34、[9]根据[1]~[7]中任一项所述的制造方法,其中,上述至少一种的第二溶剂包含c9烷基环己烷和/或c10烷基环己烷。
35、[10]根据[1本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种氢化聚合物的制造方法,通过将芳香族乙烯基化合物系聚合物的芳香环氢化来制造氢化聚合物,该制造方法的特征在于,
2.一种氢化聚合物的制造方法,通过将芳香族乙烯基化合物系聚合物的芳香环氢化来制造氢化聚合物,该制造方法的特征在于,
3.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,
4.根据权利要求1或3所述的制造方法,其特征在于,
5.根据权利要求1~4中任一项所述的制造方法,其特征在于,
6.根据权利要求1~5中任一项所述的制造方法,其特征在于,
7.根据权利要求1~6中任一项所述的制造方法,其特征在于,
8.根据权利要求1~7中任一项所述的制造方法,其特征在于,
9.根据权利要求1~7中任一项所述的制造方法,其特征在于,
10.根据权利要求1~9中任一项所述的制造方法,其特征在于,
11.根据权利要求1~10中任一项所述的制造方法,其特征在于,
12.根据权利要求1~11中任一项所述的制造方法,其特征在于,
13.根据权利要求1~12中
14.根据权利要求1~13中任一项所述的制造方法,其特征在于,
15.根据权利要求1~14中任一项所述的制造方法,其特征在于,
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种氢化聚合物的制造方法,通过将芳香族乙烯基化合物系聚合物的芳香环氢化来制造氢化聚合物,该制造方法的特征在于,
2.一种氢化聚合物的制造方法,通过将芳香族乙烯基化合物系聚合物的芳香环氢化来制造氢化聚合物,该制造方法的特征在于,
3.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,
4.根据权利要求1或3所述的制造方法,其特征在于,
5.根据权利要求1~4中任一项所述的制造方法,其特征在于,
6.根据权利要求1~5中任一项所述的制造方法,其特征在于,
7.根据权利要求1~6中任一项所述的制造方法,其特征在于,
...【专利技术属性】
技术研发人员:佐藤英之,荒井启克,中村裕介,松下海瑠,加藤宣之,
申请(专利权)人:三菱瓦斯化学株式会社,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。