【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体检测，尤其涉及一种基于实时滤波的半导体设备改造方法、装置及设备。
技术介绍
1、随着第三代半导体兴起，半导体设备面临众多新应用场景，例如，碳化硅、氮化镓等透明晶圆（wafer）的检测及生产场景。
2、在现有的半导体设备的预定位装置中，通常采用硅光传感器或者图像传感器对晶圆的圆心及缺口进行预定位，以满足晶圆搬运需求的系统。当硅光传感器或者图像传感器的光通路被晶圆遮挡时，传感器输出高电平，当硅光传感器或者图像传感器的光通路未被晶圆遮挡时，传感器输出低电平，由此，通过读取传感器检测信号的占空比变化对晶圆进行预定位。
3、图1为现有的一种预定位装置的硅片检测信号的波形示意图；图2为现有的一种预定位装置的透明晶圆检测信号的波形示意图。其中，曲线ⅰ表示传感器输出的硅片晶圆的检测信号的波形曲线，即硅片晶圆采样信号；曲线ⅱ表示曝光触发信号的波形曲线；曲线ⅰ＇表示传感器输出的透明晶圆的检测信号的波形曲线，即透明晶圆采样信号；曲线ⅱ＇表示采样信号对应的数值化波形。曲线ⅰ、曲线ⅱ、曲线ⅰ＇和曲线ⅱ＇的纵坐标为电压，横坐标为时间。
4、参见图1和图2所示，在对硅片晶圆进行预定位检测时，硅片晶圆未遮蔽光通路时，传感器输出持续的低电平信号，在检测到晶圆边缘或者缺口位置（参见图1中的t0＇时刻）之后，硅片晶圆遮蔽光通路，持续输出高电平信号。由于透明晶圆相较于原硅片晶圆具有透光性，无法持续遮挡形成持续高电平，在透明晶圆的边缘对应的t1＇时刻产生全反射形成一个尖峰波形（即黑边效应），破坏了检测信号的信号特征
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种基于实时滤波的半导体设备改造方法、装置及设备，以解决现有的透明晶圆透光破坏了半导体量测机台的定位信号特征和时序，导致预定位分析失败的问题，使半导体设备能够兼容透明晶圆使用场景。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种基于实时滤波的半导体设备改造方法，所述半导体设备包括光源和像素阵列排布的图像传感器，所述图像传感器用于采集所述光源照射下的待测晶圆的图像，相邻两个所述图像传感器的采样信号分别经第一通道和第二通道输出，所述方法包括：对所述光源进行减亮调整，以获取所述第一通道输出的第一采样信号和所述第二通道输出的第二采样信号；基于阈值调整获取所述第一采样信号对应的第一数值化波形和所述第二采样信号对应的第二数值化波形；同步采集同一帧周期内所述第一数值化波形的第一上升沿和所述第二数值化波形的第二上升沿；根据所述第一上升沿和所述第二上升沿中的在先上升沿对所述第一数值化波形和所述第二数值化波形进行实时滤波处理。
3、可选地，所述根据所述第一上升沿和所述第二上升沿中的在先上升沿对所述第一数值化波形和所述第二数值化波形进行实时滤波处理，包括：在所述第一上升沿为所述在先上升沿之时，基于所述第一上升沿将当前帧周期内的所述第一数值化波形置为高电平，经过预设延时时间之后，将当前帧周期内的所述第二数值化波形置为高电平；在所述第二上升沿为所述在先上升沿之时，基于所述第二上升沿将当前帧周期内的所述第二数值化波形置为高电平，经过所述预设延时时间之后，将当前帧周期内的所述第一数值化波形置为高电平。
4、可选地，所述预设延时时间基于单个帧周期内的移位时钟周期建立。
5、可选地，所述同步采集同一帧周期内所述第一数值化波形的第一上升沿和所述第二数值化波形的第二上升沿，包括：基于第一边沿中断响应所述第一上升沿；基于第二边沿中断响应所述第二上升沿；其中，所述第一边沿中断与所述第二边沿中断并行处理。
6、可选地，所述第一边沿中断的响应时间小于1微秒，且所述第二边沿中断的响应时间小于1微秒。
7、可选地，在同一帧周期内，所述第一边沿中断和所述第二边沿中断仅执行一次中断响应。
8、可选地，所述基于阈值调整获取所述第一采样信号对应的第一数值化波形和所述第二采样信号对应的第二数值化波形，包括：基于所述第一采样信号中的晶圆边缘波形确定第一阈值，并基于所述第一阈值对所述第一采样信号进行数值化处理，得到第一数值化波形；基于所述第二采样信号中的晶圆边缘波形确定第二阈值，并基于所述第二阈值对所述第二采样信号进行数值化处理，得到第二数值化波形。
9、可选地，在所述根据所述第一上升沿和所述第二上升沿中的在先上升沿对所述第一数值化波形和所述第二数值化波形进行实时滤波处理之后，所述方法还包括：基于曝光触发信号对滤波后的波形进行清零处理；和/或，基于所述曝光触发信号启动下一帧周期的上升沿采集。
10、根据本专利技术的另一方面，提供了一种基于实时滤波的半导体设备改造装置，所述半导体设备包括光源和像素阵列排布的图像传感器，所述图像传感器用于采集所述光源照射下的待测晶圆的图像，相邻两个所述图像传感器的采样信号分别经第一通道和第二通道输出，所述装置包括：光路调整模块，用于对所述光源进行减亮调整，以获取所述第一通道输出的第一采样信号和所述第二通道输出的第二采样信号；电路调整模块，用于基于阈值调整获取所述第一采样信号对应的第一数值化波形和所述第二采样信号对应的第二数值化波形；边沿采集模块，用于同步采集同一帧周期内所述第一数值化波形的第一上升沿和所述第二数值化波形的第二上升沿；滤波处理模块，用于根据所述第一上升沿和所述第二上升沿中的在先上升沿对所述第一数值化波形和所述第二数值化波形进行实时滤波处理。
11、根据本专利技术的另一方面，提供了一种电子设备，所述电子设备包括：至少一个处理器；以及与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行上述基于实时滤波的半导体设备改造方法。
12、本专利技术实施例的技术方案，通过对光源进行减亮调整，获取第一通道输出的第一采样信号和第二通道输出的第二采样信号；基于采样阈值调整获取第一采样信号对应的第一数值化波形和第二采样信号对应的第二数值化波形；同步采集同一帧周期内第一数值化波形的第一上升沿和第二数值化波形的第二上升沿；根据第一上升沿和第二上升沿中的在先上升沿对第一数值化波形和第二数值化波形进行实时滤波处理，将透明晶圆的定位信号滤波处理成常规晶圆对应的波形特征，解决了现有的透明晶圆透光破坏了半导体量测机台的定位信号特征和时序，导致预定位分析失败的问题，使半导体设备能够兼容透明晶圆使用场景，改造方案简单，成本低，能够提高半导体设备的使用价值和市场价值。
13、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
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1.一种基于实时滤波的半导体设备改造方法，所述半导体设备包括光源和像素阵列排布的图像传感器，所述图像传感器用于采集所述光源照射下的待测晶圆的图像，相邻两个所述图像传感器的采样信号分别经第一通道和第二通道输出，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的基于实时滤波的半导体设备改造方法，其特征在于，所述预设延时时间基于单个帧周期内的移位时钟周期建立。
3.根据权利要求1所述的基于实时滤波的半导体设备改造方法，其特征在于，所述同步采集同一帧周期内所述第一数值化波形的第一上升沿和所述第二数值化波形的第二上升沿，包括：
4.根据权利要求3所述的基于实时滤波的半导体设备改造方法，其特征在于，所述第一边沿中断的响应时间小于1微秒，且所述第二边沿中断的响应时间小于1微秒。
5.根据权利要求3所述的基于实时滤波的半导体设备改造方法，其特征在于，在同一帧周期内，所述第一边沿中断和所述第二边沿中断仅执行一次中断响应。
6.根据权利要求1所述的基于实时滤波的半导体设备改造方法，其特征在于，所述基于阈值调整获取所述第一采样信号对应的第一
7.根据权利要求1所述的基于实时滤波的半导体设备改造方法，其特征在于，在所述根据所述第一上升沿和所述第二上升沿中的在先上升沿对所述第一数值化波形和所述第二数值化波形进行实时滤波处理之后，所述方法还包括：
8.一种基于实时滤波的半导体设备改造装置，所述半导体设备包括光源和像素阵列排布的图像传感器，所述图像传感器用于采集所述光源照射下的待测晶圆的图像，相邻两个所述图像传感器的采样信号分别经第一通道和第二通道输出，其特征在于，所述装置包括：
9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：
...【技术特征摘要】
1.一种基于实时滤波的半导体设备改造方法，所述半导体设备包括光源和像素阵列排布的图像传感器，所述图像传感器用于采集所述光源照射下的待测晶圆的图像，相邻两个所述图像传感器的采样信号分别经第一通道和第二通道输出，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的基于实时滤波的半导体设备改造方法，其特征在于，所述预设延时时间基于单个帧周期内的移位时钟周期建立。
3.根据权利要求1所述的基于实时滤波的半导体设备改造方法，其特征在于，所述同步采集同一帧周期内所述第一数值化波形的第一上升沿和所述第二数值化波形的第二上升沿，包括：
4.根据权利要求3所述的基于实时滤波的半导体设备改造方法，其特征在于，所述第一边沿中断的响应时间小于1微秒，且所述第二边沿中断的响应时间小于1微秒。
5.根据权利要求3所述的基于实时滤波的半导体设备改造方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：戴金方，相宇阳，耿晓杨，
申请(专利权)人：无锡卓海科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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