【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及单晶硅生产领域，特别涉及一种单晶炉及锑掺杂单晶硅棒的制备方法。
技术介绍
1、由于n型硅片相比p型硅片更具有高效性，故目前光伏行业中广泛使用磷类掺杂剂的方法，使硅片的电性能显示为n型。随着光伏行业竞争愈发激烈，新型掺杂元素的研究与应用已急不可待。砷、锑、铋、硒、碲等元素的相关掺杂剂的单晶硅电池性能及其相关研究在学术界和工业界也备受关注研究。由于砷、锑、铋、硒、碲等新型掺杂元素本身存在分凝系数极小、蒸发系数极大的特性，故拉晶过程中，随着埚料减少，按照传统方式来控制晶棒的电阻率具有不可靠的问题。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种单晶炉及锑掺杂单晶硅棒的制备方法，至少有利于提高控制特殊掺杂单晶硅的电阻率的可靠性。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种单晶炉，包括：
3、炉体，所述炉体上设置有投放口；
4、坩埚，所述坩埚设置于所述炉体内，所述坩埚位于所述投放口的下侧；
5、投放器，所述投放器包括外基体和内基体，所述外基体位于所述炉体外，所述外基体的一端与所述投放口对接，所述外基体靠近所述炉体的端面上设置有与所述投放口连通的安装孔，所述内基体的一端能够沿着所述安装孔滑动地设置于所述安装孔内，所述内基体靠近所述炉体的一端设置有用于容纳掺杂剂的投放舱；
6、其中，在所述投放器处于投放状态时，所述内基体位于伸出位置，所述投放舱自所述投放口处伸入所述炉体内，所述投放舱位于所述坩埚的正上方，以将所述投放舱
7、在一些实施例中，所述内基体的一端能够沿着所述内基体的滑动方向上的轴线旋转地设置于所述安装孔内。
8、在一些实施例中，所述外基体的外表面上设置有与所述安装孔连通的避让槽，所述内基体位于所述安装孔内的一端设置有操作件，所述操作件远离所述内基体的一端自所述避让槽处伸出至所述安装孔外，以通过操作所述操作件远离所述内基体的一端驱动所述内基体滑动和旋转。
9、在一些实施例中，所述避让槽包括：
10、滑动段，所述滑动段呈沿着所述内基体的滑动方向延伸设置，所述滑动段与所述操作件在所述内基体的滑动方向上形成滑动配合；
11、第一旋转段，所述第一旋转段呈沿着所述内基体的旋转方向延伸设置，所述第一旋转段连通所述滑动段靠近所述投放舱的一端，所述第一旋转段与所述操作件在所述内基体的旋转方向上形成滑动配合；
12、其中，在所述内基体位于伸出位置时，所述操作件进入所述第一旋转段内。
13、在一些实施例中，所述避让槽还包括第二旋转段，所述第二旋转段呈沿着所述内基体的旋转方向延伸设置，所述第二旋转段连通所述滑动段远离所述投放舱的一端，所述第二旋转段与所述操作件在所述内基体的旋转方向上形成滑动配合，其中，在所述内基体位于缩回位置时，所述操作件进入所述第二旋转段内。
14、在一些实施例中，所述滑动段沿着所述内基体的旋转方向间隔地设置有多个。
15、在一些实施例中，所述投放口为设置于所述炉体上的喉口处的观察口，所述外基体为可拆卸地设置于所述观察口处。
16、根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种锑掺杂单晶硅棒的制备方法，基于如上述实施例中任意一项的单晶炉实现，所述锑掺杂单晶硅棒的制备方法包括：
17、在引晶阶段之前，制备样品单晶硅棒；
18、将所述样品单晶硅棒从单晶炉内取出后，测量所述样品单晶硅棒的电阻率；
19、基于所述样品单晶硅棒的电阻率确定锑掺杂剂的投入量；
20、若所述锑掺杂剂的投入量低于预设标准量，则向所述单晶炉的坩埚内添加所述锑掺杂剂；
21、若所述锑掺杂剂的投入量高于所述预设标准量，则调节所述单晶炉以加快所述锑掺杂剂的挥发。
22、在一些实施例中，所述在引晶阶段之前，制备样品单晶硅棒之前，还包括：
23、将第一预设重量的多晶硅原料放入所述坩埚内进行熔化；
24、多次向所述坩埚内加入第二预设重量的所述多晶硅原料，并在最后一次加入所述多晶硅原料时，将第三预设重量的所述锑掺杂剂加入所述坩埚内。
25、在一些实施例中，所述多次向所述坩埚内加入第二预设重量的所述多晶硅原料，并在最后一次加入所述多晶硅原料时，将第三预设重量的所述锑掺杂剂加入所述坩埚内之后，还包括：
26、维持所述单晶炉的炉内压力和惰性气体流量分别在预设压力范围和预设流量范围内到等径阶段，其中，所述预设压力范围为7托～30托，所述预设流量范围为70slpm～100slpm。
27、在一些实施例中，所述在引晶阶段之前，制备样品单晶硅棒，包括：
28、若出现断线与所述出现断线之前一次调温的间隔时长大于预设时长，则在引晶阶段之前，制备样品单晶硅棒。
29、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
30、本公开实施例提供的单晶炉中，在炉体的投放口处设置投放器，将特殊掺杂剂放置于投放器的投放舱内，在向坩埚内添加特殊掺杂剂前，投放器处于收缩状态，此时投放舱的至少部分位于投放口或者安装孔内，从而能够避免炉内过高的温度让投放舱内的特殊掺杂剂熔化或者蒸发损失，在需要向坩埚内添加特殊掺杂剂时，将位于缩回位置的内基体推动到伸出位置，此时处于收缩状态的投放器转换为投放状态，投放舱活动到坩埚的正上方，从而能够将投放舱内的特殊掺杂剂添加到坩埚内，单晶炉通过投放器可以有效地向坩埚内投入特殊掺杂剂，可以更好地减少特殊掺杂剂由于自身物理特性的损失，保证在拉晶过程中可以有效实现单晶硅的头尾电阻率的变化趋势的调控，并且投放器与炉体实现巧妙结合，不再占用单晶炉的重锤与钨丝绳的空间。
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1.一种单晶炉，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，所述内基体的一端能够沿着所述内基体的滑动方向上的轴线旋转地设置于所述安装孔内。
3.根据权利要求2所述的单晶炉，其特征在于，所述外基体的外表面上设置有与所述安装孔连通的避让槽，所述内基体位于所述安装孔内的一端设置有操作件，所述操作件远离所述内基体的一端自所述避让槽处伸出至所述安装孔外，以通过操作所述操作件远离所述内基体的一端驱动所述内基体滑动和旋转。
4.根据权利要求3所述的单晶炉，其特征在于，所述避让槽包括：
5.根据权利要求4所述的单晶炉，其特征在于，所述避让槽还包括第二旋转段，所述第二旋转段呈沿着所述内基体的旋转方向延伸设置，所述第二旋转段连通所述滑动段远离所述投放舱的一端，所述第二旋转段与所述操作件在所述内基体的旋转方向上形成滑动配合，其中，在所述内基体位于缩回位置时，所述操作件进入所述第二旋转段内；和/或，
6.根据权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，所述投放口为设置于所述炉体上的喉口处的观察口，所述外基体为可拆卸地设置于所述观察口
7.一种锑掺杂单晶硅棒的制备方法，基于如权利要求1-6任意一项所述的单晶炉实现，其特征在于，所述锑掺杂单晶硅棒的制备方法包括：
8.根据权利要求7所述的锑掺杂单晶硅棒的制备方法，其特征在于，所述在引晶阶段之前，制备样品单晶硅棒之前，还包括：
9.根据权利要求8所述的锑掺杂单晶硅棒的制备方法，其特征在于，所述多次向所述坩埚内加入第二预设重量的所述多晶硅原料，并在最后一次加入所述多晶硅原料时，将第三预设重量的所述锑掺杂剂加入所述坩埚内之后，还包括：
10.根据权利要求8所述的锑掺杂单晶硅棒的制备方法，其特征在于，所述在引晶阶段之前，制备样品单晶硅棒，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种单晶炉，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，所述内基体的一端能够沿着所述内基体的滑动方向上的轴线旋转地设置于所述安装孔内。
3.根据权利要求2所述的单晶炉，其特征在于，所述外基体的外表面上设置有与所述安装孔连通的避让槽，所述内基体位于所述安装孔内的一端设置有操作件，所述操作件远离所述内基体的一端自所述避让槽处伸出至所述安装孔外，以通过操作所述操作件远离所述内基体的一端驱动所述内基体滑动和旋转。
4.根据权利要求3所述的单晶炉，其特征在于，所述避让槽包括：
5.根据权利要求4所述的单晶炉，其特征在于，所述避让槽还包括第二旋转段，所述第二旋转段呈沿着所述内基体的旋转方向延伸设置，所述第二旋转段连通所述滑动段远离所述投放舱的一端，所述第二旋转段与所述操作件在所述内基体的旋转方向上形成滑动配合，其中，在所述内基体位于缩...
【专利技术属性】
技术研发人员：邱渤杰，王唯佳，孙伟刚，徐炳珩，
申请(专利权)人：晶科能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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