本申请提供一种掺镓单晶的掺杂量计算方法、装置、电子设备和存储介质。该方法包括：根据掺镓单晶的目标电阻值和加料量，计算初始掺杂量；根据坩埚的挥发面积、目标电阻值和调温时长，预测所述掺镓单晶生长过程中的预测挥发量；根据所述初始掺杂量和所述预测挥发量确定生成所述掺镓单晶所需的目标掺杂量。本申请的方法，考虑了镓在高温下的挥发量，在硅料中加入掺杂剂时，避免在掺镓单晶生长过程中掺杂剂的挥发量影响掺镓单晶硅的电阻值，使得生成的掺镓单晶的电阻值达到目标电阻值，保障掺镓单晶的品质。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏，尤其涉及一种掺镓单晶的掺杂量计算方法、装置、电子设备和存储介质。
技术介绍
1、掺镓技术是在半导体制造过程中掺入少量镓元素，从而改变半导体的电性能。掺镓技术的应用使得半导体元件的光电性能和稳定性得到有效提升，因此，其在光伏行业中，尤其是在提高太阳能电池效率和稳定性的应用越来越广泛。掺镓单晶硅制作过程包括，将掺杂剂和硅料放入石英坩埚中，掺杂剂和硅料都经历高温熔化阶段。掺镓单晶硅的电阻值取决于掺镓浓度，也即掺镓量影响掺镓单晶硅的电阻值，而电阻值大小影响掺镓单晶硅的品质，因此掺杂剂量的确定尤其关键。
2、目前的相关技术中，单晶制造都是根据经验，采用定量掺杂法，每根硅棒的电阻值和镓含量比例是固定的，通过目标电阻值确定所需的镓含量，然后再根据镓含量来计算掺杂剂量。
3、然而，镓的熔点为29.78℃，在单晶制备过程中易挥发，在制备过程中会损失部分掺杂剂，导致掺镓单晶的镓含量与实际所需的镓含量存在偏差，影响掺镓单晶的品质。
技术实现思路
1、本申请提供一种掺镓单晶的掺杂量计算方法、装置、电子设备和存储介质，用以解决相关技术中，掺杂量的计算不够准确，导致掺镓单晶的电阻值不准确，进而影响掺镓单晶品质的问题。
2、第一方面，本申请提供一种掺镓单晶的掺杂量计算方法，包括：
3、根据掺镓单晶的目标电阻值和加料量，计算初始掺杂量；
4、根据坩埚的挥发面积、所述目标电阻值和调温时长，预测所述掺镓单晶生长过程中的预测挥发量；
>5、根据所述初始掺杂量和所述预测挥发量确定生成所述掺镓单晶所需的目标掺杂量。6、一种可能实现的方式中，所述根据坩埚的挥发面积、所述目标电阻值和调温时长，预测所述掺镓单晶生长过程中的预测挥发量，包括：
7、根据坩埚的挥发面积、掺杂剂的目标掺杂浓度和所述掺镓单晶本次生长过程中的设定调温时长，确定理想挥发量，其中，所述目标掺杂浓度是根据目标电阻值确定的；
8、根据掺镓单晶历史生长过程挥发信息确定挥发量修正值；
9、根据所述理想挥发量和所述挥发量修正值，预测所述掺镓单晶生成过程中的预测挥发量。
10、一种可能实现的方式中，所述根据掺镓单晶历史生长过程的实际调温时长确定挥发量修正值，包括：
11、根据坩埚的挥发面积、所述目标掺杂浓度、掺镓单晶历史生长过程的实际调温时长和设定调温时长的差值，确定所述挥发量修正值；
12、其中，所述挥发信息包括所述实际调温时长和所述设定调温时长的差值，所述掺镓单晶历史生长过程为前一次加料时掺镓单晶的生长过程。
13、一种可能实现的方式中，所述根据坩埚的挥发面积、所述目标电阻值和调温时长，预测所述掺镓单晶生长过程中的预测挥发量，包括：
14、根据坩埚的挥发面积、掺杂剂的目标掺杂浓度和所述掺镓单晶本次生长过程中的设定调温时长，确定理想挥发量，其中，所述目标掺杂浓度是根据目标电阻值确定的；
15、根据坩埚的挥发面积、所述目标掺杂浓度和掺镓单晶历史生长过程的实际调温时长，确定实际挥发量；
16、根据所述理想挥发量和所述实际挥发量，预测所述掺镓单晶生成过程中的预测挥发量。
17、一种可能实现的方式中，所述根据掺镓单晶的目标电阻值和加料量，计算初始掺杂量，包括：
18、根据目标电阻值确定目标掺杂浓度；
19、根据所述目标掺杂浓度、加料量确定目标杂质数量；
20、根据所述目标杂质数量确定初始掺杂用量。
21、一种可能实现的方式中，所述根据所述初始掺杂量和所述预测挥发量确定生成所述掺镓单晶所需的目标掺杂量，包括：
22、确定坩埚中的剩余掺杂量；
23、根据所述初始掺杂量、所述预测挥发量和所述剩余掺杂量，确定所述目标掺杂量。
24、第二方面，本申请提供一种掺镓单晶的掺杂量计算装置，所述装置，包括：
25、计算模块，用于根据掺镓单晶的目标电阻值和加料量，计算初始掺杂量；
26、预测模块，用于根据坩埚的挥发面积、所述目标电阻值和调温时长，预测所述掺镓单晶生长过程中的预测挥发量；
27、处理模块，用于根据所述初始掺杂量和所述预测挥发量确定生成所述掺镓单晶所需的目标掺杂量。
28、第三方面，本申请提供一种电子设备，包括：存储器和处理器；
29、存储器用于存储程序指令；处理器用于调用存储器中的程序指令执行第一方面及第一方面任一种可能的设计中的掺镓单晶的掺杂量计算方法。
30、第四方面，本申请提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质中存储有计算机程序/指令，当电子设备的至少一个处理器执行该计算机程序/指令时，电子设备执行第一方面及第一方面任一种可能的设计中的掺镓单晶的掺杂量计算方法。
31、第五方面，本申请提供一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括计算机程序/指令，当电子设备的至少一个处理器执行该计算机程序/指令时，电子设备执行第一方面及第一方面任一种可能的设计中的掺镓单晶的掺杂量计算方法。
32、本申请提供的一种掺镓单晶的掺杂量计算方法、装置、电子设备和存储介质，通过所需的掺镓单晶的目标电阻值和放入的硅料的加料量，确定需要掺杂的初始掺杂量；并预测该掺镓单晶生长过程中镓的预测挥发量，在硅料中加入掺杂剂时，基于预测挥发量和初始掺杂量，作为掺杂剂的加入量，如此，掺杂单晶硅生长过程中，即使部分掺杂剂挥发，也不会影响掺杂单晶生长所需的镓含量，使得生成的掺镓单晶的电阻值在目标电阻值范围内，保障掺镓单晶的品质。
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【技术保护点】
1.一种掺镓单晶的掺杂量计算方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据坩埚的挥发面积、所述目标电阻值和调温时长，预测所述掺镓单晶生长过程中的预测挥发量，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据掺镓单晶历史生长过程挥发信息确定挥发量修正值，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据坩埚的挥发面积、所述目标电阻值和调温时长，预测所述掺镓单晶生长过程中的预测挥发量，包括：
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述根据掺镓单晶的目标电阻值和加料量，计算初始掺杂量，包括：
6.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述根据所述初始掺杂量和所述预测挥发量确定生成所述掺镓单晶所需的目标掺杂量，包括：
7.一种掺镓单晶的掺杂量计算装置，其特征在于，所述装置，包括：
8.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备，包括：存储器，处理器；
9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质中存储有计算机程序/指令，所述计算机程序/指令被处理器执行时用于实现如权利要求1至6任一项所述的掺镓单晶的掺杂量计算方法。
10.一种计算机程序产品，其特征在于，所述计算机程序产品包括计算机程序/指令，所述计算机程序/指令被处理器执行时实现权利要求1至6任一项所述的掺镓单晶的掺杂量计算方法。
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【技术特征摘要】
1.一种掺镓单晶的掺杂量计算方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据坩埚的挥发面积、所述目标电阻值和调温时长，预测所述掺镓单晶生长过程中的预测挥发量，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据掺镓单晶历史生长过程挥发信息确定挥发量修正值，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据坩埚的挥发面积、所述目标电阻值和调温时长，预测所述掺镓单晶生长过程中的预测挥发量，包括：
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述根据掺镓单晶的目标电阻值和加料量，计算初始掺杂量，包括：
6.根据权利要求1-4任一...
【专利技术属性】
技术研发人员：张超，陈赫，刘小根，
申请(专利权)人：青海高景太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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