【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子电路，特别涉及一种电平移位电路及芯片。
技术介绍
1、随着芯片工艺的缩小，芯片的电源域也随之减小，大部分低电压电源域下的芯片，例如soc（system on chip，系统级芯片）芯片会有着更高电压的输入输出需求，例如需要在1.8v电源域下使用3.3v的输入输出。但是在低电压电源域下下使用更高电压的输入输出信号会产生耐压问题，如在1.8v电源域下使用3.3v的输入输出信号时，在上下电过程中3.3v电源若先于1.8v电源上电或后于1.8v电源下电，或者3.3v电源正常，1.8v异常掉电时，soc芯片会因器件端口间压差超过1.8v而击穿损坏。因此，如何能够为soc芯片提供耐压保护，保证低电压电源后上电、先下电和异常掉电等场景下，高电压电源不会损坏soc芯片内的器件，是现今急需解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种电平移位电路及芯片，以对芯片提供耐压保护，保证低电压电源后上电、先下电和异常掉电等场景下，高电压电源不会损坏芯片内的器件。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种电平移位电路，包括：电平切换电路和电平移位器；其中，所述电平切换电路的输出端与所述电平移位器的输入端连接；
3、所述电平切换电路的输入端与第一电源连接，用于根据所述第一电源输出控制电平；
4、所述电平移位器的电源输入端与第二电源连接，用于根据所述控制电平输出第一电压和/或第二电压；
5、其中，所述第一电压为所述第一电源的电压，所述
6、在另一方面，所述电平切换电路用于根据所述第一电源输出控制电平，包括：
7、所述电平切换电路在所述第一电源输出所述第一电压时，输出电压值为所述第一电压的控制电平；在所述第一电源的输出未到达所述第一电压时，输出相对所述第一电压为低电平的控制电平。
8、在另一方面，所述电平移位器包括：电压偏置电路、输入转换电路以及电平转换输出电路；
9、所述电压偏置电路用于根据所述第二电源生成偏置电压并输出至所述电平转换输出电路，所述偏置电压与所述第一电压相等；
10、所述输入转换电路用于根据电平切换电路输出的所述控制电平，将第三电源输出的第三电压转换为与所述控制电平同相的第一输出电平和与所述控制电平反相的第二输出电平，并输出至所述电平转换输出电路；其中，所述第三电压小于所述第一电压且大于或等于所述第一电压的一半，所述第一输出电平和所述第二输出电平的高电平为所述第三电压；
11、电平转换输出电路用于根据所述偏置电压、所述第一输出电平和所述第二输出电平的控制，将所述第二电源输出的第二电压转换为预设输出端的输出电压。
12、在另一方面，所述电平切换电路的第一输入端与所述电压偏置电路的输出端连接，第二输入端与所述第一电源连接，输出端与所述电平移位器的输入端连接；
13、所述电平切换电路用于在所述第一电源输出的电压与所述偏置电压相同时，输出所述第一电压的高电平，在所述第一电源输出的电压与所述偏置电压不同时，输出第四电压。
14、在另一方面，所述电平切换电路为与门器件，所述与门器件的第一输入端和第二输入端分别作为所述电平切换电路的第一输入端和第二输入端，所述与门器件的输出端作为所述电平切换电路的输出端。
15、在另一方面，所述电压偏置电路包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管和第四pmos管；
16、其中，所述第一pmos管的源极用于与所述第二电源连接；所述第一pmos管的栅极与漏极连接，其公共端与所述第二pmos管的源极连接；所述第二pmos管的栅极与漏极连接，其公共端与所述第三pmos管的源极连接；所述第三pmos管的栅极与漏极连接，其公共端与所述第四pmos管的源极连接；所述第三pmos管的栅极与漏极连接，其公共端接地；所述第二pmos管的栅极与漏极和所述第三pmos管的源极相连的公共端作为所述电压偏置电路的输出端，用于输出所述偏置电压。
17、在另一方面，所述输入转换电路，包括：第五pmos管、第六pmos管、第一nmos管和第二nmos管；
18、其中，所述第五pmos管的源极与所述第六pmos管的源极连接，其公共端用于与所述第三电源连接；所述第五pmos管的栅极与所述第一nmos管的栅极连接，其公共端与所述电平切换电路的输出端连接；所述第五pmos管的漏极与所述第一nmos管的漏极连接，其公共端分别与所述第六pmos管的栅极与所述第二nmos管的栅极连接；所述第六pmos管的漏极与所述第二nmos管的漏极连接，所述第一nmos管的源极与所述第二nmos管的源极均接地；
19、所述第五pmos管的漏极和所述第一nmos管的漏极相连的公共端，用于输出所述第二输出电平；所述第六pmos管的漏极和所述第二nmos管的漏极相连的公共端，用于输出所述第一输出电平。
20、在另一方面，所述预设输出端的输出电压还包括第四电压，所述第四电压相对第一电压和第二电压均为低电平；所述预设输出端包括输出电压与所述控制电平输出同相的第一预设输出端、第三预设输出端和第五预设输出端以及输出电压与所述控制电平输出反相的第二预设输出端、第四预设输出端和第六预设输出端中的至少一项；
21、所述第一预设输出端和所述第二预设输出端的输出电压均包括第一电压和第二电压，所述第三预设输出端和所述第四预设输出端的输出电压均包括第二电压和第四电压，所述第五预设输出端和所述第六预设输出端的输出电压均包括第一电压和第四电压。
22、在另一方面，所述电平转换输出电路包括：第七pmos管、第八pmos管、第九pmos管、第十pmos管、第十一pmos管、第十二pmos管、第三nmos管、第四nmos管、第五nmos管、第六nmos管、第七nmos管和第八nmos管；
23、其中，所述第七pmos管的源极、所述第八pmos管的源极、所述第九pmos管的源极和所述第十pmos管的源极连接，其公共端用于与所述第二电源连接；所述第七pmos管的栅极和所述第九pmos管的栅极连接，其公共端与所述第八pmos管的漏极连接；所述第八pmos管的栅极和所述第十pmos管的栅极连接，其公共端与所述第七pmos管的漏极连接；所述第九pmos管的漏极与所述第三nmos管的漏极连接，其公共端与所述第四nmos管的栅极连接；所述第十pmos管的漏极与所述第四nmos管的漏极连接，其公共端与所述第三nmos管的栅极连接；所述第三nmos管的源极与所述第四nmos管的源极连接，其公共端与所述电压偏置电路的输出端连接；所述第七pmos管的漏极与所述第十一pmos管的源极连接，所述第十一pmos管的漏极与所述第五nmos管的漏极连接；所述第十一pmos管的栅极与所述第五nmos管的栅极连接，其公共端与所述电压偏置电路的输出端连接；所述第八pmos管的漏极与本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电平移位电路，其特征在于，包括：电平切换电路和电平移位器；
2.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，所述电平切换电路用于根据所述第一电源输出控制电平，包括：
3.根据权利要求2所述的电平移位电路，其特征在于，所述电平移位器包括：电压偏置电路、输入转换电路以及电平转换输出电路；
4.根据权利要求3所述的电平移位电路，其特征在于，所述电平切换电路的第一输入端与所述电压偏置电路的输出端连接，第二输入端与所述第一电源连接，输出端与所述电平移位器的输入端连接；
5.根据权利要求4所述的电平移位电路，其特征在于，所述电平切换电路为与门器件，所述与门器件的第一输入端和第二输入端分别作为所述电平切换电路的第一输入端和第二输入端，所述与门器件的输出端作为所述电平切换电路的输出端。
6.根据权利要求3所述的电平移位电路，其特征在于，所述电压偏置电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管；
7.根据权利要求3所述的电平移位电路，其特征在于，所述输入转换电路，包括：第五PMOS管、第六P
8.根据权利要求1至7任一项所述的电平移位电路，其特征在于，所述预设输出端的输出电压还包括第四电压，所述第四电压相对第一电压和第二电压均为低电平；所述预设输出端包括输出电压与所述控制电平输出同相的第一预设输出端、第三预设输出端和第五预设输出端以及输出电压与所述控制电平输出反相的第二预设输出端、第四预设输出端和第六预设输出端中的至少一项；
9.根据权利要求7所述的电平移位电路，其特征在于，所述电平转换输出电路包括：第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管；
10.根据权利要求9所述的电平移位电路，其特征在于，所述电平转换输出电路还包括：第十三PMOS管、第十四PMOS管、第十五PMOS管、第十六PMOS管、第九NMOS管和第十NMOS管；
11.一种芯片，其特征在于，包括：如权利要求1至10任一项所述的电平移位电路。
...【技术特征摘要】
1.一种电平移位电路，其特征在于，包括：电平切换电路和电平移位器；
2.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，所述电平切换电路用于根据所述第一电源输出控制电平，包括：
3.根据权利要求2所述的电平移位电路，其特征在于，所述电平移位器包括：电压偏置电路、输入转换电路以及电平转换输出电路；
4.根据权利要求3所述的电平移位电路，其特征在于，所述电平切换电路的第一输入端与所述电压偏置电路的输出端连接，第二输入端与所述第一电源连接，输出端与所述电平移位器的输入端连接；
5.根据权利要求4所述的电平移位电路，其特征在于，所述电平切换电路为与门器件，所述与门器件的第一输入端和第二输入端分别作为所述电平切换电路的第一输入端和第二输入端，所述与门器件的输出端作为所述电平切换电路的输出端。
6.根据权利要求3所述的电平移位电路，其特征在于，所述电压偏置电路包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管和第四pmos管；
7.根据权利要求3所述的电平移位电路，其特征在于，所述输入转换电路，包括：第五pmo...
【专利技术属性】
技术研发人员：王龙，康希，陈婷，李洁颖，
申请(专利权)人：湖南国科微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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