【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，具体涉及一种免除胶的led支架的后镀制备方法。
技术介绍
1、现有技术中，led支架可以采用前镀和后镀两种工艺来制造。前镀工艺的流程为：首先利用蚀刻或冲切的方式在基材上刻出led支架基材，然后利用电镀的方法将金属材料镀在led支架基材上，再将热固性材料注塑在led支架基材的表面，最后利用化学药剂或喷砂等方式，将led支架基材上方的毛边和残留的热固性材料去除，所形成的成品中与注塑层结合的是电镀层。前镀工艺的缺点为：镀层和注塑胶料的结合性差，易脱落；除胶使用化学药剂的除胶过程，可能会破坏支架结构的气密性，导致led芯片无法正常工作；无法除净注塑过程残留的溢胶，影响产品的表面光亮度，也可能造成导电不良。
2、后镀工艺的流程为：首先利用蚀刻或冲切的方式在基材上刻出led支架基材，然后将热固性材料注塑在led支架基材的表面，再利用化学药剂或喷砂等方式，将led支架基材上方的毛边和残留的热固性材料去除，最后利用电镀的方法将金属材料镀在led支架基材上，所形成的成品中与注塑层结合的是支架基材。后镀工艺的缺点为：除胶使用化学药剂的除胶过程，可能会破坏支架结构的气密性，导致led芯片无法正常工作；无法除净注塑过程残留的溢胶，影响产品的表面光亮度，也可能造成导电不良。
3、由此可见，在现有技术中，无论采用前镀工艺还是采用后镀工艺，都需要进行除胶工序。但在实际生产过程中，除胶工序存在不能完全除尽残胶的问题，而且除胶工序过程中还可能会影响到led支架结构的气密性。
技术实现思
1、本专利技术的目的是提供一种免除胶的led支架的后镀制备方法，无需进行任何的除胶工序，解决了以往因除胶工序会影响led支架结构气密封的问题。
2、根据本专利技术的一种免除胶的led支架的后镀制备方法，包括以下步骤：
3、步骤a，基材成型，利用蚀刻或冲切在金属基材上形成led支架基材，led支架基材形成有多个相互导通的凹槽和镂空部；
4、步骤b，贴膜，将步骤a中制备出来的led支架基材的前后两侧面分别贴上密封膜，并在各个密封膜开设至少一个与凹槽和镂空部导通的注塑口；
5、步骤c，注塑，往步骤b中贴膜后的led支架基材的注塑口注入熔融状态下的热固性材料，以填充led支架基材的多个凹槽和镂空部；
6、步骤d，固化撕膜，对步骤c中注塑后的led支架基材进行冷却，以使熔融状态下的热固性材料冷却凝固成型，然后撕去密封膜；
7、步骤e，电镀，利用电镀设备对步骤d中的led支架基材进行电镀，以使led支架基材的表面形成金属反射层。
8、其中，步骤a中的金属基材为铜基材或铁基材。
9、其中，步骤a中的led支架基材通过蚀刻方式制备。
10、其中，在步骤a中，包括以下步骤：
11、步骤a，一次除尘，先对金属基材的前后两侧面进行一次除尘，将金属基材放入粘尘机进行除尘，粘尘机的粘尘纸的压力为0.2～0.4mpa；
12、步骤b，预热，除尘后的金属基材进入预热机中进行预热，预热温度为90～110℃；
13、步骤c，贴附干膜，预热后的金属基材进入压膜机，对金属基材的前后两个侧面进行压覆干膜，压膜机的输送速度为2.3～3.3m/min，用于覆膜的热压膜轮温度为110～120℃，且热压膜轮的压力为0.3～0.5mpa，用于裁切的压膜条温度为40～60摄氏度；
14、步骤d，曝光，金属基材完成贴附干膜后，对干膜的部分区域进行曝光，以使干膜形成图形；
15、步骤e，显影，用显影液去除干膜未被曝光的区域，显影液为碳酸钾溶液，碳酸钾的质量浓度为8～14g/l；
16、步骤f，一次水洗，利用纯水对干膜表面残留的显影液进行清洗；
17、步骤g，蚀刻，利用蚀刻液使金属基材蚀刻出镂空部和凹槽，蚀刻液包括如下质量浓度的组分：cu2+浓度为120～150g/l，盐酸浓度为0.7～1.3mol/l，其余为纯水；
18、步骤h，二次水洗，利用纯水对金属基材残留的蚀刻液进行清洗；
19、步骤i，去除干膜，利用去膜加速剂对金属基材前后两侧面的干膜进行去除；
20、步骤j，三次水洗，利用纯水对金属基材残留的去膜加速剂进行清洗；
21、步骤k，酸洗，利用酸洗液对残留的去膜加速剂进行清洗，酸洗液可以为浓度为3～5％的硫酸、6～20g/l的双氧水和cu2+浓度为5～45g/l的微蚀液中的一种或两种以上的组合；
22、步骤l，四次水洗，利用纯水对金属基材残留的酸洗液进行清洗；
23、步骤m，烘干，对金属基材进行烘干，烘干温度为80～100℃，以形成led支架基材。
24、其中，还可以包括步骤n，对步骤m制备出来的led支架基材进行半蚀刻位粗化处理；在步骤n中，包括以下步骤，
25、步骤s1，纯水清洗，利用纯水对步骤n制备的led支架基材进行清洗；
26、步骤s2，除油，将步骤s1中清洗后的led支架基材用浓度为3～5％的硫酸进行除油；
27、步骤s3，超粗化，将粗化液喷到led支架基材待粗化的区域，超粗化的温度为24～28℃，粗化液的cu2+浓度为15～45g/l，微蚀量为0.6～1μm；
28、步骤s4，酸洗，酸洗液为盐酸溶液，其中盐酸浓度为3～4％，cu2+含量≤2g/l，酸洗温度80～100℃；
29、步骤s5，烘干，对led支架基材进行烘干，烘干温度为80～100℃；
30、步骤s6，水破测试，酸洗后的led支架基进行水破测试，挂水时间≥30s。
31、其中，金属反射层为金、银、铜、镍、钯中的其中一种
32、本专利技术有以下有益效果：在注塑步骤之前先在led支架基材的前后两侧面贴覆一层密封膜，然后通过密封膜上的注塑口向led支架基材的凹槽和镂空部注入热固性材料，待热固性材料凝固后再去除两侧的密封膜；通过本专利技术的制备方法，无需进行任何的除胶步骤，从而避免了注塑材料不能除尽、影响光亮度、导电不良以及影响结构气密性的技术缺陷。
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1.一种免除胶的LED支架的后镀制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的免除胶的LED支架的后镀制备方法，其特征在于，步骤A中的金属基材为铜基材或铁基材。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的免除胶的LED支架的后镀制备方法，其特征在于，步骤A中的LED支架基材通过蚀刻方式制备。
4.根据权利要求3所述的免除胶的LED支架的后镀制备方法，其特征在于，在步骤A中，包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的免除胶的LED支架的后镀制备方法，其特征在于，还包括步骤n，对步骤m制备出来的LED支架基材进行半蚀刻位粗化处理；
6.根据权利要求1-2、4-5中任一项所述的免除胶的LED支架的后镀制备方法，其特征在于，所述金属反射层为金、银、铜、镍、钯中的其中一种。
【技术特征摘要】
1.一种免除胶的led支架的后镀制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的免除胶的led支架的后镀制备方法，其特征在于，步骤a中的金属基材为铜基材或铁基材。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的免除胶的led支架的后镀制备方法，其特征在于，步骤a中的led支架基材通过蚀刻方式制备。
4.根据权利要求3所述的免除胶...
【专利技术属性】
技术研发人员：银光耀，王志甲，韩浩，
申请(专利权)人：深圳市唯亮光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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