【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，特别涉及一种倒装发光二极管及其制备方法。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，led)因具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，目前已经被广泛应用于背光、照明、景观等各个光源领域。
2、相关技术中，倒装led包括依次层叠的蓝宝石衬底、键合层和外延层，其中，蓝宝石衬底的靠近键合层的表面为平面。
3、然而，由于键合层和蓝宝石衬底的交界面的全反射角的大小由键合层和蓝宝石衬底的材料的折射率决定，在材料固定的情况下，全反射角的大小固定，蓝宝石衬底的靠近键合层的表面为平面，外延层发出的光线经过键合层射向蓝宝石衬底的入射角较大，容易在键合层和蓝宝石衬底交界面产生全反射，增加光线在倒装led内部的传播行程，影响倒装led的出光效率和发光角度。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种倒装发光二极管及其制备方法，能提高倒装led的出光效率和发光角度。所述技术方案如下：
2、一方面，提供了一种倒装发光二极管，包括依次层叠的蓝宝石衬底、填平层、键合层和外延层；所述蓝宝石衬底包括本体和多个凸起，所述多个凸起位于所述本体的表面；所述填平层覆盖所述多个凸起，并且所述填平层的远离所述蓝宝石衬底的表面为平面。
3、可选地，所述填平层包括交替层叠设置的多个高折射率层和多个低折射率层。
4、可选地，所述高折射率层为tio2层，所述低折射率层为sio2层。
5、可选地，所述填平层为sio
6、可选地，所述填平层的最大厚度与所述凸起的高度的差值为0至5μm。
7、可选地，所述多个凸起在所述本体的表面沿第一方向和第二方向阵列布置，所述第一方向和所述第二方向之间的夹角为40°至90°。
8、可选地，所述外延层包括沿远离所述键合层的方向依次层叠的窗口层、第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述外延层具有从所述第二半导体层的远离所述发光层的表面向所述窗口层延伸的台面。
9、另一方面，提供了一种倒装发光二极管的制备方法，包括：在蓝宝石衬底上形成填平层，并且在外延层上形成键合层，所述蓝宝石衬底包括本体和多个凸起，所述多个凸起位于所述本体的表面，所述填平层覆盖所述多个凸起，并且所述填平层的远离所述蓝宝石衬底的表面为平面；将所述填平层和所述键合层相互键合。
10、可选地，所述在蓝宝石衬底上形成填平层，并且在外延层上形成键合层，包括：在所述蓝宝石衬底上形成初始填平层，并且在所述外延层上形成初始键合层；对所述初始填平层和所述初始键合层进行抛光，得到所述填平层和所述键合层。
11、可选地，在对所述初始填平层和所述初始键合层进行抛光之后，所述方法还包括：对所述填平层的抛光面和所述键合层的抛光面进行活化。
12、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
13、本公开实施例中，蓝宝石衬底包括本体和多个凸起，多个凸起位于本体的表面，填平层覆盖多个凸起，并且填平层的远离蓝宝石衬底的表面为平面，因此，外延层发出的光线经过键合层和填平层射向蓝宝石衬底时，相同角度的光线会有一部分射向本体，另一部分射向多个凸起，与射向本体的光线在填平层和本体交界面的入射角相比，部分射向多个凸起的光线在填平层和多个凸起交界面的入射角较小且多个凸起有利于光线产生漫反射和散射，可以减少光线在填平层和蓝宝石衬底的交界面产生全反射的几率，减少光线在倒装led内部的传播行程，以及增大光线从蓝宝石衬底所在的一侧出射时出射角的大小，从而提高倒装led的出光效率和发光角度。
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1.一种倒装发光二极管，其特征在于，包括依次层叠的蓝宝石衬底(10)、填平层(20)、键合层(30)和外延层(40)；
2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述填平层(20)包括交替层叠设置的多个高折射率层和多个低折射率层。
3.根据权利要求2所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述高折射率层为TiO2层，所述低折射率层为SiO2层。
4.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述填平层(20)为SiO2层或SiN层。
5.根据权利要求1至4任一项所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述填平层(20)的最大厚度与所述凸起(12)的高度的差值为0至5μm。
6.根据权利要求1至4任一项所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述多个凸起(12)在所述本体(11)的表面沿第一方向和第二方向阵列布置，所述第一方向和所述第二方向之间的夹角为40°至90°。
7.根据权利要求1至4任一项所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述外延层(40)包括沿远离所述键合层(30)的方向依次层叠的窗口层(41)、第一半
8.一种倒装发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述在蓝宝石衬底(10)上形成填平层(20)，并且在外延层(40)上形成键合层(30)，包括：
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在对所述初始填平层(201)和所述初始键合层进行抛光之后，所述方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种倒装发光二极管，其特征在于，包括依次层叠的蓝宝石衬底(10)、填平层(20)、键合层(30)和外延层(40)；
2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述填平层(20)包括交替层叠设置的多个高折射率层和多个低折射率层。
3.根据权利要求2所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述高折射率层为tio2层，所述低折射率层为sio2层。
4.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述填平层(20)为sio2层或sin层。
5.根据权利要求1至4任一项所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述填平层(20)的最大厚度与所述凸起(12)的高度的差值为0至5μm。
6.根据权利要求1至4任一项所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述多个凸起(12)在所述本体(11)的表面沿第一方向和...
【专利技术属性】
技术研发人员：程少文，吕伟强，王洪占，曹栋，赵瑞德，王涛，梁廷辉，
申请(专利权)人：京东方华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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