【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及层叠体、印刷基板和印刷基板的制造方法。更详细而言，涉及印刷基板制造用的、铜层的平滑性高且铜层与抗蚀层具有足以形成所期望的铜配线的密合性、并且抗蚀层剥离后的残渣少的层叠体等。
技术介绍
1、近年来，随着数字社会化的发展，要求铜配线为高密度且高精细的印刷基板。在印刷基板的制造工序中，在通过蚀刻对铜配线进行图案化之前，在铜层的表面接合蚀刻抗蚀层。为了形成高密度且高精细的铜配线，铜层与蚀刻抗蚀层之间要求高密合性。
2、以往，为了提高铜层与蚀刻抗蚀层的密合性，将铜层的表面粗糙化，利用锚固效果进行粘接。然而，经粗糙化的铜层的表面会成为对于5g、6g等通信技术中使用的短波长电波造成传输损耗的原因。因此，需要提高未经粗糙化的平滑的铜层与蚀刻抗蚀层的密合性的技术。
3、作为提高平滑的铜层与蚀刻抗蚀层的密合性的方法，考虑在铜层与蚀刻抗蚀层之间设置使用了有机材料的粘接层。例如在专利文献1中，作为能够提高平滑的金属层与树脂层的粘接性的材料，公开了一种含有三唑化合物的表面处理剂。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特开2019－135295号公报
技术实现思路
1、然而，已知在将专利文献1中记载的表面处理剂用于粘接层时，在印刷基板制造时的高温工艺中产生裂纹、空隙的频率变高，或者绝缘树脂层变得容易剥离。
2、对现有技术的上述问题的原因进行了深入研究，结果发现任一问题的原因都是剥离的蚀刻抗蚀层的一部分在铜层上
3、本专利技术是鉴于上述问题和情况而完成的，其所要解决的课题在于提供一种印刷基板制造用的、铜层的平滑性高且铜层与抗蚀层具有足以形成所期望的铜配线的密合性、并且抗蚀层剥离后的残渣少的层叠体。另外，本专利技术的另一所要解决的课题在于提供铜配线的表面的平滑性高、铜配线的图案的精度高且抗蚀层的残渣少的印刷基板和该印刷基板的制造方法。
4、本专利技术人为了解决上述课题，对上述课题的原因等进行了研究。其结果，本专利技术人发现通过在表面粗糙度ra为0.3μm以下的铜层与抗蚀层之间设置分子间相互作用层而能够解决上述课题，从而完成了本专利技术。
5、即，本专利技术所涉及的上述课题通过以下手段得以解决。
6、1.一种层叠体，其特征在于，是印刷基板制造用的层叠体，具有：铜层、抗蚀层以及粘接所述铜层与所述抗蚀层的分子间相互作用层，
7、所述铜层的所述分子间相互作用层侧的表面粗糙度ra为0.3μm以下。
8、2.根据第1项所述的层叠体，其特征在于，所述分子间相互作用层含有含氮杂环化合物。
9、3.根据第2项所述的层叠体，其特征在于，所述含氮杂环化合物为兼具含氮杂环和含有氮原子或氧原子的官能团的化合物，
10、所述含氮杂环中的氮原子的个数为2～4，该氮原子中的至少一个与氢原子键合。
11、4.根据第3项所述的层叠体，其特征在于，所述官能团为－cooh、－nh2、－oh、－nhr或－nr2，r表示烷基。
12、5.根据第2项所述的层叠体，其特征在于，所述含氮杂环化合物具有下述通式1或通式2表示的结构。
13、
14、[式中，w1～w7表示碳原子或氮原子。w1～w7中的2～4个表示氮原子，至少1个表示nh。
15、y1～y5表示碳原子或氮原子。y1～y5中的2～4个表示氮原子，至少1个表示nh。
16、z1表示－cooh、－nh2、－oh、－nhr或－nr2。z2表示－cooh、－oh、－nhr或－nr2。r表示烷基。
17、l表示单键或连接基团。]
18、6.根据第1项所述的层叠体，其特征在于，所述铜层的所述分子间相互作用层侧的表层中存在的zn、cr、ni和sn的合计量为0.001～1.000at％的范围内。
19、7.根据第1项所述的层叠体，其特征在于，所述铜层至少含有zn。
20、8.根据第1项所述的层叠体，其特征在于，所述抗蚀层含有感光性树脂。
21、9.一种印刷基板，其特征在于，具有铜配线，
22、所述铜配线的表面粗糙度ra为0.3μm以下，
23、在所述铜配线上没有抗蚀层的残渣。
24、10.一种印刷基板的制造方法，其特征在于，使用抗蚀层，具有如下工序：
25、工序(a)：用药液对表面粗糙度ra为0.3μm以下的铜层的表面进行清洗，
26、工序(b)：在所述清洗后的铜层的正上方形成分子间相互作用层，
27、工序(c)：在所述分子间相互作用层的正上方形成含有感光性树脂的抗蚀层，
28、工序(d)：通过曝光和显影对所述抗蚀层进行图案化，
29、工序(e)：通过蚀刻对所述铜层进行图案化，以及
30、工序(f)：对所述抗蚀层和所述分子间相互作用层进行剥离。
31、11.根据第10项所述的印刷基板的制造方法，其特征在于，所述工序(b)中的所述铜层的所述分子间相互作用层侧的表层中存在的zn、cr、ni和sn的合计量为0.001～1.000at％的范围内。
32、12.根据第10项所述的印刷基板的制造方法，其特征在于，所述工序(a)中使用的所述药液的25℃时的ph为2以下。
33、13.根据第10项所述的印刷基板的制造方法，其特征在于，所述工序(a)中使用的所述药液为含有甲酸、氯化氢、硫酸和硝酸中的至少一者的水溶液。
34、通过本专利技术的上述手段，能够提供一种印刷基板制造用的、铜层的平滑性高且铜层与抗蚀层具有足以形成所期望的铜配线的密合性、并且抗蚀层剥离后的残渣少的层叠体。
35、另外，通过本专利技术的上述手段，能够提供铜配线的表面的平滑性高、铜配线的图案的精度高且抗蚀层的残渣少的印刷基板和该印刷基板的制造方法。
36、本专利技术效果的表达机制或作用机理尚不明确，但推测如下。
37、蚀刻抗蚀层的残渣为裂纹、空隙的原因。另外，蚀刻抗蚀层的残渣因妨碍大多设计成确保与铜的密合性的绝缘树脂层与铜的接触而使绝缘树脂层容易剥离。
38、对残渣的原因进行了研究，结果发现在粘接层中存在原因。专利文献1中记载的表面处理剂通过三唑化合物与铜层和蚀刻抗蚀层进行共价键合而发挥出强力的粘接力。在该技术中，能够确保铜层与蚀刻抗蚀层的密合性，进而能够形成所期望的铜配线。但是，通过这样的共价键合而得到的强力粘接的粘接力过强，妨碍蚀刻抗蚀层被干净地剥离，成为蚀刻抗蚀层的残渣的原因。
39、与此相对，本专利技术的层叠体在铜层与抗蚀层之间具有粘接它们的分子间相互作用层。分子间相互作用层即便在使用表面粗糙度ra为0.3μm以下且平滑性高的铜层时也能够使铜层与抗蚀层之间产生足以形成所期望的铜配线的水平的密合性。另外，分子间相互作用与共价键相比粘接力适当较弱。因此，分子间相互作用层不易妨碍蚀本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种层叠体，其特征在于，是印刷基板制造用的层叠体，具有铜层、抗蚀层、以及粘接所述铜层与所述抗蚀层的分子间相互作用层，
2.根据权利要求1所述的层叠体，其特征在于，所述分子间相互作用层含有含氮杂环化合物。
3.根据权利要求2所述的层叠体，其特征在于，所述含氮杂环化合物为兼具含氮杂环和含有氮原子或氧原子的官能团的化合物，
4.根据权利要求3所述的层叠体，其特征在于，所述官能团为－COOH、－NH2、－OH、－NHR或－NR2，R表示烷基。
5.根据权利要求2所述的层叠体，其特征在于，所述含氮杂环化合物具有下述通式1或通式2表示的结构，
6.根据权利要求1所述的层叠体，其特征在于，所述铜层的所述分子间相互作用层侧的表层中存在的Zn、Cr、Ni和Sn的合计量为0.001～1.000at％的范围内。
7.根据权利要求1所述的层叠体，其特征在于，所述铜层至少含有Zn。
8.根据权利要求1所述的层叠体，其特征在于，所述抗蚀层含有感光性树脂。
9.一种印刷基板，其特征在于，具有铜配线，
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