【技术实现步骤摘要】
目前公开的主题一般而言涉及结势垒肖特基二极管，并且在一些非限制性实施例或方面中，涉及埋栅双结势垒肖特基二极管及其制造方法。
技术介绍
1、某些二极管在功率电子器件中特别有用，用于各种应用，诸如汽车设备、光伏逆变器(例如，用于太阳能)、风力发电设备、配电等。例如，某些二极管当在一个方向(例如，正向方向、从阳极到阴极等)施加电压时传导电流，并且当在另一个方向(例如，相反方向、从阴极到阳极等)施加电压时阻断电流。
2、但是，当在相反方向上施加电压时，此类二极管可能无法完美地阻断电流。例如，此类二极管可能具有泄漏电流，该泄漏电流可能是当在相反方向上施加电压时泄漏的电流(例如，在相反方向上、从阴极到阳极等传导)。即使少量的泄漏电流也可能是不期望的和/或有问题的，尤其是在高功率(例如，相对高的电压、电流等)应用中。此外，当在正向方向上施加电压时，此类二极管可能无法完美地传导电流。例如，此类二极管可能具有不令人满意的(例如，高于期望的)阈值电压、正向电压降、导通电阻和/或传导损耗。而且，采用此类二极管(例如，改变此类二极管的结构、拓扑和/或材料)以改善阻断(例如，当在相反方向上施加电压时)和/或电流传导(例如，当在正向方向上施加电压时)之一的性能可能导致另一个的性能降低(例如，改善阻断性能可能导致电流传导性能降低，反之亦然)。
技术实现思路
1、因而，当前公开的主题的目的是提供克服上述缺陷中的一些或全部的埋栅双结势垒肖特基二极管及其制造方法。
2、根据非限制性实施例或方面
3、在一些非限制性实施例或方面中，埋栅双结势垒肖特基二极管还可以包括基板层。例如，基板层可以在漂移层下方。
4、在一些非限制性实施例或方面中，埋栅双结势垒肖特基二极管还可以包括金属化层。例如，基板层可以在金属化层上。
5、在一些非限制性实施例或方面中，埋栅双结势垒肖特基二极管还可以包括在基板层上的缓冲层。例如，漂移层可以在缓冲层上。
6、在一些非限制性实施例或方面中，栅格层的顶表面可以在平面中，并且漂移层的顶表面可以在该平面(例如，同一平面)中。再生长层可以在栅格层的顶表面和漂移层的顶表面上。
7、在一些非限制性实施例或方面中，第二肖特基材料层可以具有比第一肖特基材料层高的肖特基势垒高度。
8、在一些非限制性实施例或方面中，第一肖特基材料层可以在第二肖特基材料层上，并且第二肖特基材料层可以至少部分地在第一肖特基材料层中。
9、在一些非限制性实施例或方面中，第二肖特基材料层可以在第一肖特基材料层上，并且第一肖特基材料层可以至少部分地在第二肖特基材料层中。
10、在一些非限制性实施例或方面中，第一肖特基材料层或第二肖特基材料层中的至少一个可以包括阳极。附加地或可替代地，埋栅双结势垒肖特基二极管还可以包括在漂移层的与阳极相反的一侧的阴极。
11、在一些非限制性实施例或方面中，当从阳极向阴极施加大于阈值电压的正电压时，埋栅双结势垒肖特基二极管可以以电流传导模式操作。附加地或可替代地，当从阳极向阴极施加负电压时，埋栅双结势垒肖特基二极管可以以电压阻断模式操作。
12、在一些非限制性实施例或方面中，埋栅双结势垒肖特基二极管还可以包括至少部分地在第一肖特基材料层或第二肖特基材料层中的至少一个上的阳极。附加地或可替代地，埋栅双结势垒肖特基二极管还可以包括在漂移层的与阳极相反的一侧的阴极。
13、在一些非限制性实施例或方面中，第一肖特基材料层可以包括多个片段，第一肖特基材料层的每个相应片段至少部分地重叠栅格层的多个栅格片段中的相应栅格片段。
14、在一些非限制性实施例或方面中，第一肖特基材料层的每个相应片段的宽度可以小于栅格层的多个栅格片段中的相应栅格片段的宽度。
15、在一些非限制性实施例或方面中，第一肖特基材料层的每个相应片段的宽度可以大于或等于栅格层的多个栅格片段中的相应栅格片段的宽度。
16、在一些非限制性实施例或方面中，至少一个栅格间距区域可以包括多个栅格间距区域，并且第二肖特基材料层可以包括多个片段，第二肖特基材料层的每个相应片段至少部分地重叠多个栅格间距区域中的相应栅格间距区域。
17、在一些非限制性实施例或方面中，第二肖特基材料层的每个相应片段的宽度可以小于多个栅格间距区域中的相应栅格间距区域的宽度。
18、在一些非限制性实施例或方面中，第二肖特基材料层的每个相应片段的宽度可以大于或等于多个栅格间距区域中的相应栅格间距区域的宽度。
19、根据非限制性实施例或方面，提供了一种制造埋栅双结势垒肖特基二极管的方法。该方法可以包括形成漂移层。该方法可以包括形成包括至少部分地在漂移层中的多个栅格片段的栅格层，并且多个栅格片段可以限定多个栅格片段中的相邻栅格片段之间的至少一个栅格间距区域。该方法可以包括在栅格层和漂移层上形成再生长层。该方法可以包括形成至少部分地在再生长层上并且至少部分地重叠栅格层的多个栅格片段的第一肖特基材料层。该方法可以包括形成至少部分地在再生长层上并且至少部分地重叠至少一个栅格间距区域的第二肖特基材料层，第二肖特基材料层具有与第一肖特基材料层不同的肖特基势垒高度。
20、在一些非限制性实施例或方面中，该方法还可以包括提供基板层。在一些非限制性实施例或方面中，该方法还可以包括在基板层上形成缓冲层。在一些非限制性实施例或方面中，形成漂移层可以包括在缓冲层上形成漂移层。
21、在一些非限制性实施例或方面中，形成第一肖特基材料层可以包括在再生长层上形成中间第一肖特基材料层，并且对中间第一肖特基材料层进行图案化以形成至少部分地重叠栅格层的多个栅格片段的第一肖特基材料层。附加地或可替代地，形成第二肖特基材料层可以包括在第一肖特基材料层上形成第二肖特基材料层。
22、在一些非限制性实施例或方面中，形成第二肖特基材料层可以包括在再生长层上形成中间第二肖特基材料层，并且对中间第二肖特基材料层进行图案化以形成至少部分地重叠至少一个栅格间距区域的第二肖特基材料层。附加地或可替代地，形成第一肖特基材料层可以包括在第二肖特基材料层上形成第一肖特基材料层。
23、在一些非限制性实施例或方面中，该方法还可以包括在基板层的与缓冲层相反的一侧形成金属化层。
24、进一步的实施例或方面在以下本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种埋栅双结势垒肖特基二极管，包括：
2.根据权利要求1所述的埋栅双结势垒肖特基二极管，还包括：
3.根据权利要求2所述的埋栅双结势垒肖特基二极管，还包括：
4.根据权利要求2所述的埋栅双结势垒肖特基二极管，还包括：
5.根据权利要求1所述的埋栅双结势垒肖特基二极管，其中，所述栅格层的顶表面在一平面内，所述漂移层的顶表面在该平面内，并且所述再生长层在所述栅格层的顶表面和所述漂移层的顶表面上。
6.根据权利要求1所述的埋栅双结势垒肖特基二极管，其中，所述第二肖特基材料层具有比所述第一肖特基材料层高的肖特基势垒高度。
7.根据权利要求1所述的埋栅双结势垒肖特基二极管，其中，所述第一肖特基材料层在所述第二肖特基材料层上，并且所述第二肖特基材料层至少部分地在所述第一肖特基材料层中。
8.根据权利要求1所述的埋栅双结势垒肖特基二极管，其中，所述第二肖特基材料层在所述第一肖特基材料层上，并且所述第一肖特基材料层至少部分地在所述第二肖特基材料层中。
9.根据权利要求1所述的埋栅双结势垒肖特基二极
10.根据权利要求9所述的埋栅双结势垒肖特基二极管，其中，当从所述阳极向所述阴极施加大于阈值电压的正电压时，所述埋栅双结势垒肖特基二极管以电流传导模式操作，以及
11.根据权利要求1所述的埋栅双结势垒肖特基二极管，还包括：
12.根据权利要求1所述的埋栅双结势垒肖特基二极管，其中，所述第一肖特基材料层包括多个片段，所述第一肖特基材料层的每个相应片段至少部分地重叠所述栅格层的所述多个栅格片段中的相应栅格片段。
13.根据权利要求12所述的埋栅双结势垒肖特基二极管，其中，所述第一肖特基材料层的每个相应片段的宽度小于所述栅格层的所述多个栅格片段中的相应栅格片段的宽度。
14.根据权利要求12所述的埋栅双结势垒肖特基二极管，其中，所述第一肖特基材料层的每个相应片段的宽度大于或等于所述栅格层的所述多个栅格片段中的相应栅格片段的宽度。
15.根据权利要求1所述的埋栅双结势垒肖特基二极管，其中，所述至少一个栅格间距区域包括多个栅格间距区域，并且其中所述第二肖特基材料层包括多个片段，所述第二肖特基材料层的每个相应片段至少部分地重叠所述多个栅格间距区域中的相应栅格间距区域。
16.根据权利要求15所述的埋栅双结势垒肖特基二极管，其中，以下之一：
17.一种制造埋栅双结势垒肖特基二极管的方法，包括：
18.根据权利要求17所述的方法，还包括：
19.根据权利要求18所述的方法，其中，形成所述第一肖特基材料层包括：
20.根据权利要求18所述的方法，其中，形成所述第二肖特基材料层包括：
...【技术特征摘要】
1.一种埋栅双结势垒肖特基二极管，包括：
2.根据权利要求1所述的埋栅双结势垒肖特基二极管，还包括：
3.根据权利要求2所述的埋栅双结势垒肖特基二极管，还包括：
4.根据权利要求2所述的埋栅双结势垒肖特基二极管，还包括：
5.根据权利要求1所述的埋栅双结势垒肖特基二极管，其中，所述栅格层的顶表面在一平面内，所述漂移层的顶表面在该平面内，并且所述再生长层在所述栅格层的顶表面和所述漂移层的顶表面上。
6.根据权利要求1所述的埋栅双结势垒肖特基二极管，其中，所述第二肖特基材料层具有比所述第一肖特基材料层高的肖特基势垒高度。
7.根据权利要求1所述的埋栅双结势垒肖特基二极管，其中，所述第一肖特基材料层在所述第二肖特基材料层上，并且所述第二肖特基材料层至少部分地在所述第一肖特基材料层中。
8.根据权利要求1所述的埋栅双结势垒肖特基二极管，其中，所述第二肖特基材料层在所述第一肖特基材料层上，并且所述第一肖特基材料层至少部分地在所述第二肖特基材料层中。
9.根据权利要求1所述的埋栅双结势垒肖特基二极管，其中，所述第一肖特基材料层或所述第二肖特基材料层中的至少一个包括阳极，所述埋栅双结势垒肖特基二极管还包括：
10.根据权利要求9所述的埋栅双结势垒肖特基二极管，其中，当从所述阳极向所述阴极施加大于阈值电压的正电压时，所述埋栅双结势垒肖特基二极管以电流传...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯硕本，S·雷沙诺夫，A·舍纳，
申请(专利权)人：IIVI特拉华股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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