【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于单晶硅硅棒检验，尤其是涉及一种硅棒电阻率的温度补偿方法。
技术介绍
1、电阻率是用来表示各种物质电阻特性的物理量，反映物质对电流阻碍作用的属性，其与物质的种类、温度、压力和磁场等因素有关。单晶硅硅棒电阻率是太阳能电池光电性能的重要参考指标。硅棒进行电阻率检测时，硅棒表面的温度会影响电阻率检测值的准确性，造成产品等级混乱，增加产品的不良率。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种硅棒电阻率的温度补偿方法，有效的解决了硅棒电阻率检测值受表面温度影响准确性较低的问题，克服了现有技术的不足。
2、本专利技术采用的技术方案是：一种硅棒电阻率的温度补偿方法，所述硅棒电阻率的温度补偿公式为：
3、ρ0＝(t0-t)×α+ρ
4、其中，ρ0为补偿后的电阻率，t0为室温，t为硅棒表面温度，α为补偿系数，ρ为电阻率检测值。
5、进一步，所述室温为恒定值。
6、进一步，所述室温的选取范围为20-25℃。
7、进一步，所述硅棒表面温度与所述硅棒电阻率同时进行检测。
8、进一步，所述硅棒表面温度的检测位置与所述硅棒电阻率的检测位置之间的距离大于50mm小于70mm。
9、进一步，所述补偿系数根据所述电阻率检测值的范围区间进行选择。
10、进一步，所述范围区间包括第一范围区间、第二范围区间和第三范围区间。
11、进一步，所述第一范围区间为所述电阻率检测值大于等
12、进一步，所述第二范围区间为所述电阻率检测值小于所述第一阈值大于第二阈值。
13、进一步，所述第三范围区间为所述电阻率检测值小于等于所述第二阈值。
14、本专利技术具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，减小了硅棒表面温度对电阻率检测的影响，提高了硅棒电阻率检测的准确性，保证了产品等级的准确性，降低了产品的不良率。
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1.一种硅棒电阻率的温度补偿方法，其特征在于：所述硅棒电阻率的温度补偿公式为：
2.根据权利要求1所述的一种硅棒电阻率的温度补偿方法，其特征在于：所述室温为恒定值。
3.根据权利要求1所述的一种硅棒电阻率的温度补偿方法，其特征在于：所述室温的选取范围为20-25℃。
4.根据权利要求1所述的一种硅棒电阻率的温度补偿方法，其特征在于：所述硅棒表面温度与所述硅棒电阻率同时进行检测。
5.根据权利要求4所述的一种硅棒电阻率的温度补偿方法，其特征在于：所述硅棒表面温度的检测位置与所述硅棒电阻率的检测位置之间的距离大于50mm小于70mm。
6.根据权利要求1-5任一所述的一种硅棒电阻率的温度补偿方法，其特征在于：所述补偿系数根据所述电阻率检测值的范围区间进行选择。
7.根据权利要求6所述的一种硅棒电阻率的温度补偿方法，其特征在于：所述范围区间包括第一范围区间、第二范围区间和第三范围区间。
8.根据权利要求7所述的一种硅棒电阻率的温度补偿方法，其特征在于：所述第一范围区间为所述电阻率检测值大于等于第一阈值。
9.根据权利要求8所述的一种硅棒电阻率的温度补偿方法，其特征在于：所述第二范围区间为所述电阻率检测值小于所述第一阈值大于第二阈值。
10.根据权利要求9所述的一种硅棒电阻率的温度补偿方法，其特征在于：所述第三范围区间为所述电阻率检测值小于等于所述第二阈值。
...【技术特征摘要】
1.一种硅棒电阻率的温度补偿方法，其特征在于：所述硅棒电阻率的温度补偿公式为：
2.根据权利要求1所述的一种硅棒电阻率的温度补偿方法，其特征在于：所述室温为恒定值。
3.根据权利要求1所述的一种硅棒电阻率的温度补偿方法，其特征在于：所述室温的选取范围为20-25℃。
4.根据权利要求1所述的一种硅棒电阻率的温度补偿方法，其特征在于：所述硅棒表面温度与所述硅棒电阻率同时进行检测。
5.根据权利要求4所述的一种硅棒电阻率的温度补偿方法，其特征在于：所述硅棒表面温度的检测位置与所述硅棒电阻率的检测位置之间的距离大于50mm小于70mm。
6.根据权利要求1-5任一所述的一种硅棒...
【专利技术属性】
技术研发人员：王志伟，李雪峰，刘源浩，
申请(专利权)人：内蒙古中环晶体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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