发光器件、发光器件的制备方法以及显示装置制造方法及图纸

技术编号：43074833 阅读：5 留言：0更新日期：2024-10-22 14:49

本申请公开了一种发光器件、发光器件的制备方法以及显示装置，发光器件包括：相对设置的阳极与阴极、设置于阳极与阴极之间的发光层、设置于阳极与发光层之间的空穴功能层以及设置于阴极与发光层之间的电子功能层，电子功能层的材料包含第二碳量子点，有利于促进电子‑空穴传输平衡，从而优化了发光器件的光电性能以及延长了发光器件的使用寿命，将所述发光器件或所述发光器件的制备方法制得的发光器件应用于显示装置中，有利于提高显示装置的显示效果和延长显示装置的使用寿命。

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【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光电，具体涉及一种发光器件、发光器件的制备方法以及显示装置。

技术介绍

1、光电器件是指利用半导体的光电效应或热电效应制成的一类器件，包括但不限于是光电池、发光器件等。以发光器件为例，有机发光二极管(organic light-emittingdiode,oled)和量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes,qled)均属于发光器件，oled或qled具有类似“三明治”的结构，即包括阳极、阴极以及发光层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间，光电二极管的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光区，空穴从器件的阳极注入至发光区，电子和空穴在发光区复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。

2、发光器件经过多年的发展，性能指标方面取得了巨大的进步，也展现出巨大的应用发展潜力，但是目前仍存在不足之处，发光器件的光电性能和使用寿命有待进一步地提升，尤其是对于量子点发光二极管。

技术实现思路

1、本申请提供了一种发光器件、发光器件的制备方法以及显示装置，从而改善发光器件的光电性能和器件寿命。

2、本申请的技术方案如下：

3、第一方面，本申请提供了一种发光器件，包括：

4、相对设置的阳极与阴极；

5、发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；

6、电子功能层，设置于所述阴极与所述发光层之间，所述电子功能层的材料包含第二碳量子点。

<p>7、可选地，所述电子功能层包括层叠设置的第一电子功能子层和第二电子功能子层，所述第一电子功能子层较所述第二电子功能子层更靠近所述发光层，所述第一电子功能子层的材料包含所述第二碳量子点和/或第一化合物，所述第二电子功能子层的材料包含所述第二碳量子点和/或第二化合物；

8、其中，所述第一化合物和所述第二化合物彼此独立地选自锌的氧化物、钛的氧化物、锡的氧化物、钡的氧化物、钽的氧化物、铝的氧化物、锆的氧化物、氧化锌镁、氧化锌钙、氧化锌锆、氧化锌镓、氧化锌铝、氧化锌锂、氧化锌钛、氧化钇锌、氧化铟锡以及氧化钛锂中的一种或多种。

9、可选地，所述第一电子功能子层和所述第二电子功能子层为下述任意一种情况：

10、(a)所述第一电子功能子层的材料为所述第二碳量子点和所述第一化合物的混合物，所述第二电子功能子层的材料为所述第二化合物；

11、(b)所述第一电子功能子层的材料为所述第二碳量子点，所述第二电子功能子层的材料为所述第二化合物；

12、(c)所述第一电子功能子层的材料为所述第一化合物；所述第二电子功能子层的材料为所述第二碳量子点，或者所述第二电子功能子层的材料为所述第二碳量子点和所述第二化合物的混合物。

13、可选地，所述电子功能层的厚度为25nm～60nm；和/或

14、所述第一化合物的平均粒径为2nm～30nm，和/或所述第二化合物的平均粒径为2nm～30nm；和/或

15、在情况(a)的条件下，所述第一电子功能子层的厚度为5nm～10nm，所述第二电子功能子层的厚度为20nm～50nm；或者，在情况(b)的条件下，所述第一电子功能子层的厚度为5nm～10nm，所述第二电子功能子层的厚度为20nm～50nm；或者，在情况(c)的条件下，所述第一电子功能子层的厚度为20nm～50nm，所述第二电子功能子层的厚度为5nm～10nm。

16、可选地，当所述第一电子功能子层的材料为所述第二碳量子点和所述第一化合物的混合物时，所述第一化合物对所述第二碳量子点的质量比为1：(0.01～1)；

17、或者，当所述第二电子功能子层的材料为所述第二碳量子点和所述第二化合物的混合物时，所述第二化合物对所述第二碳量子点的质量比为1：(0.01～1)。

18、可选地，所述发光器件还包括设置于所述阳极与所述发光层之间的空穴功能层，所述空穴功能层的材料包含第一碳量子点；

19、其中，所述空穴功能层中最靠近所述发光层的第一碳量子点层为第一子层，所述第一子层中所述第一碳量子点的平均带隙为第一带隙，所述第一子层的厚度为所述第一子层中最大的所述第一碳量子点的粒径；所述空穴功能层中最靠近阳极的第一碳量子点层为第二子层，所述第二子层中所述第一碳量子点的平均带隙为第二带隙，所述第二子层的厚度为所述第二子层中最大的所述第一碳量子点的粒径；所述第一带隙宽于所述第二带隙。

20、可选地，沿着所述阳极朝向所述发光层的方向上，所述空穴功能层中所述第一碳量子点的平均带隙逐渐变宽；和/或

21、沿着所述阳极朝向所述发光层的方向上，所述空穴功能层中所述第一碳量子点的平均粒径逐渐减小；和/或

22、所述空穴功能层中所述第一碳量子点的粒径分布范围为1nm～50nm，和/或所述第二碳量子点的平均粒径为1nm～50nm；和/或

23、所述空穴功能层的材料还包含第三化合物，所述第三化合物选自聚(3,4-乙烯二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酸)、酞菁铜、酞菁氧钛、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、3-己基取代聚噻吩、聚(9-乙烯基咔唑)、4,4'-二(9-咔唑)联苯、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、4,4'-环己基二[n,n-二(4-甲基苯基)苯胺]、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-共-(4,4'-(n-(4-仲丁基苯基)二苯胺)]、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-co-(4,4'-(n-(对丁基苯基))二苯胺)]、聚(n,n'-二(4-丁基苯基)-n,n'-二苯基-1,4-苯二胺-co-9,9-二辛基芴)、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4',4'-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、n,n'-二苯基-n,n'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、n,n'-二苯基-n,n'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、n,n'-双[4-(二苯基氨基)苯基]-n,n'-二苯基联苯胺、n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-二苯基-9,9-螺二芴-2,7-二胺、n2,n7-二-1-萘基-n2,n7-二苯基-9,9'-螺二[9h-芴]-2,7-二胺、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、2,2',7,7'-四[n,n-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、掺杂或非掺杂的氧化镍、掺杂或非掺杂的氧化钼、掺杂或非掺杂的氧化钨、掺杂或非掺杂的氧化钒、掺杂或非掺杂的p型氮化镓、掺杂或非掺杂的氧化铬、掺杂或非掺杂的氧化铜、过渡金属硫化物以及过渡金属硒化物中的一种或多种。

24、可选地，当所述空穴功能层的材料还包含第三化合物时，在所述空穴功能层中，所述第三化合物对所述第一碳量子点的质量比为1：(本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电子功能层包括层叠设置的第一电子功能子层和第二电子功能子层，所述第一电子功能子层较所述第二电子功能子层更靠近所述发光层，所述第一电子功能子层的材料包含所述第二碳量子点和/或第一化合物，所述第二电子功能子层的材料包含所述第二碳量子点和/或第二化合物；

3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一电子功能子层和所述第二电子功能子层为下述任意一种情况：

4.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述电子功能层的总厚度为25nm～60nm；和/或

5.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，当所述第一电子功能子层的材料为所述第二碳量子点和所述第一化合物的混合物时，所述第一化合物对所述第二碳量子点的质量比为1：(0.01～1)；

6.根据权利要求1至5任一项中所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括设置于所述阳极与所述发光层之间的空穴功能层，所述空穴功能层的材料包含第一碳量子点；

7.根据权利要求6所述的发光器

8.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，当所述空穴功能层的材料还包含第三化合物时，在所述空穴功能层中，所述第三化合物对所述第一碳量子点的质量比为1：(0.01～1)。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的材料包含有机发光材料和量子点中的一种或多种，其中，所述有机发光材料选自4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶合铱(III)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPX荧光材料、TBRb荧光材料、DBP荧光材料、延迟荧光材料、TTA材料、热活化延迟材料、含有B-N共价键合的聚合物、杂化局域电荷转移激发态材料以及激基复合物发光材料中的一种或多种；和/或

10.一种发光器件的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1至9任一项中所述的发光器件，所述发光器件的制备方法包括如下步骤：

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，当所述发光器件为正置型结构时，所述在所述发光层远离所述底电极的一侧形成电子功能层的步骤包括：在所述发光层远离所述底电极的一侧依次形成所述第一电子功能子层和所述第二电子功能子层；

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，当所述第一电子功能子层的材料为所述第二碳量子点和所述第一化合物的混合物时，所述第一电子功能子层的形成方法包括步骤：沉积包含所述第二碳量子点和所述第一化合物的第一分散液，然后对沉积的所述第一分散液进行第一干燥处理，获得第一电子功能子层；其中，在所述第一分散液中，所述第一化合物对所述第二碳量子点的质量比为1：(0.01～1)；

13.根据权利要求10至12任一项中所述的制备方法，其特征在于，当所述发光器件为正置型结构时，所述在所述底电极的一侧形成发光层的步骤之前，所述发光器件的制备方法还包括步骤：在所述底电极的一侧形成空穴功能层；或者，当所述发光器件为倒置型结构时，所述在所述发光层远离所述底电极的一侧形成顶电极的步骤之前，所述发光器件的制备方法还包括步骤：在所述发光层远离所述底电极的一侧形成空穴功能层；所述顶电极形成于所述空穴功能层远离所述发光层的一侧；

14.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至9任一项中所述的发光器件，或者如权利要求10至13任一项中所述的制备方法制得的发光器件。

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【技术特征摘要】

1.一种发光器件，其特征在于，包括：

3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一电子功能子层和所述第二电子功能子层为下述任意一种情况：

4.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述电子功能层的总厚度为25nm～60nm；和/或

7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，沿着所述阳极朝向所述发光层的方向上，所述空穴功能层中所述第一碳量子点的平均带隙逐渐变宽；和/或

9.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的材料包含有机发光材料和量子点中的一种或多种，其中，所述有机发光材料选自4,4'-双(n-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶合铱(iii)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族...

【专利技术属性】
技术研发人员：关杰豪，杨一行，周礼宽，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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