【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体材料与器件，尤其涉及一种半导体材料的高温快速退火装置。
技术介绍
1、在半导体行业中，对半导体材料进行热处理必不可少，其主要目的是释放内应力、增加材料的延展性、减少变形和裂纹趋势，同时也可以改变半导体材料表面或内部的晶相组织结构、消除缺陷等，获得所需的特定性能。在实际生产中，退火处理是半导体材料热处理工艺中最常用的手段之一。
2、使用通过简单的cvd(化学气相沉积)进行高温快速退火，操作简单，设备成本低廉。由于样品在只用gaas和通氮气做保护的情况下会导致样品表面粗糙程度变高，甚至样品表面出现缺陷。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种半导体材料的高温快速退火装置，包括了切割的石墨支架和在cvd内部靠磁力耦合移动的石英棒，样品被上下用inp和gaas严密的保护，使用氢气退火，退火前充分的排除了氧气等杂质气体，旨在解决传统的cvd无法在高温快速退火过程中对样品起到很好保护作用的问题。
2、为实现上述目的，本技术提供了一种半导体材料的高温快速退火装置，包括退火腔体石英管、推拉机构和保护机构；
3、所述推拉机构包括把手、第一磁铁、第二磁铁和石英棒，所述石英棒安装在所述退火腔体石英管内，所述第二磁铁设置在所述石英棒的一侧，所述第一磁铁与所述第二磁铁磁力耦合，并设置在所述退火腔体石英管外侧，所述把手与所述第一磁铁固定连接，并位于所述第二磁铁的一侧，所述保护机构设置在所述石英棒的另一侧。
4、其中，所述保护机构包括石墨支架，
5、其中，所述石墨支架具有方形孔洞和方形凹槽，所述方形孔洞设在所述石墨支架中部；所述方形凹槽设在所述石墨支架底部。
6、其中，所述石英棒具有圆形孔洞，所述圆形孔洞位于所述石英棒的一侧用于放置所述第二磁铁。
7、其中，所述石英棒为一个半圆石英棒。
8、本技术的一种半导体材料的高温快速退火装置，本技术提供一种inp异质结(或半导体材料)的高温快速退火装置，具体包括cvd，石英管，推拉机构，和保护机构，推拉机构包括第一磁铁，第二磁铁和石英棒，保护机构包括石墨支架，inp衬底，gaas衬底，inp衬底抛光面朝上放置在石英棒上，石墨支架底部凹槽对准inp衬底放好，样品抛光面朝上通过石墨支架切割出的空洞放置在inp衬底上，最后gaas衬底抛光面朝下覆盖在样品上，通过把手带动第一磁铁在石英管外壁上移动，通过磁力耦合移动石英管内的石英棒来使得石墨支架移动到相应的退火位置，由于样品被上下用inp和gaas严密的保护，使用氢气退火，退火前充分的排除了氧气等杂质气体，所以使得退火后的样品表面粗糙度降低。
本文档来自技高网...【技术保护点】
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2.如权利要求1所述的半导体材料的高温快速退火装置，其特征在于，
3.如权利要求2所述的半导体材料的高温快速退火装置，其特征在于，
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【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘林生，杜豪，刘兴鹏，宋树祥，苏检德，黄兰清，李卓峰，袁奎，谭安旭，
申请(专利权)人：广西师范大学，
类型：新型
国别省市：
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