【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及量子领域，尤其涉及一种提高倒装焊压焊均匀性的方法。
技术介绍
1、超导量子比特是量子电路的关键部件，是量子计算机的主要组成部分。在超导量子器件中，比特数目较少时，采用平面工艺制备，但是当比特数目较多时，由于布线问题，平面电路尺寸会扩大。而倒装焊工艺可以使主要元件与所布线路分布在两个平面上，缩小平面尺寸，适于三维集成。但是由于在倒装焊工艺中，铟柱高度的不均匀性及压焊过程中压力的不均匀性，导致最后得到的三维芯片的高度均匀性很差。而为了解决这一问题，工业上通过采用铜柱作为支撑柱，使在压焊过程中高度基本无变化，从而解决两个样品间的距离，但是由于采用铜柱可能会产生噪声干扰甚至对量子比特耦合强度造成影响，从而影响电路性能。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种提高倒装焊压焊均匀性的方法。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：一种提高倒装焊压焊均匀性的方法，具体步骤包括：
3、s1，在平面电路表面制备氧化硅层；
4、s2，匀胶曝光；
5、s3，形成氧化硅柱；
6、s4，匀负胶曝光；
7、s5，显影，以得到用于铟柱生长的孔洞；
8、s6，铟柱生长；
9、s7，铟柱剥离；
10、s8，对两个相同结构的所述平面电路以及表面的铟柱进行倒装焊；
11、s9，对倒装焊结束的结构进行压焊；
12、s10，利用
13、作为上述技术方案的进一步描述，在步骤s1中，使用化学沉积设备在所述平面电路表面镀氧化硅层。
14、作为上述技术方案的进一步描述，在步骤s1前，先制备平面电路，具体步骤包括：
15、s00，光刻，涂覆光刻胶后，进行前烘，其中前烘时间为1.4-2.5min，前烘温度为80-120℃，曝光时间为0.5-1s；
16、s01，显影，其中显影时间为35s，显影后进行坚膜，其中坚膜时间为1.3-2.2min，坚膜温度为75-110℃；
17、s02，刻蚀，采用对应制程工艺，其中刻蚀时间为22-25s。
18、作为上述技术方案的进一步描述，在步骤s3中，通过显影刻蚀去胶以形成氧化硅柱。
19、作为上述技术方案的进一步描述，在步骤s3中，通过光刻显影镀膜以形成氧化硅柱。
20、作为上述技术方案的进一步描述，所述光刻显影镀膜的具体步骤包括：
21、s31，光刻，涂覆光刻胶后，进行前烘，其中前烘时间为2.4-3.3min，前烘温度为110-150℃，曝光时间不低于20s；
22、s32，显影，进行后烘，其中后烘时间为3.3-5.3min，后烘温度为70-110℃，显影时间为1-3min；
23、s33，镀膜，使用化学沉积设备，低温生长高度为4μm的氧化硅柱。
24、作为上述技术方案的进一步描述，所述氧化硅柱设置在所述平面电路的至少四个角，且所述氧化硅柱的尺寸为50*50*4μm。
25、作为上述技术方案的进一步描述，在步骤s5中，铟柱生长的孔洞的截面为梯形结构。
26、作为上述技术方案的进一步描述，在步骤s10中，通过采用氢氟酸或者缓冲氧化物刻蚀液去除氧化硅柱。
27、本专利技术具有如下有益效果：
28、1、本专利技术过工艺方法制备一定的高度的氧化硅柱即二氧化硅柱作为支撑结构，而后匀厚胶将整个元件覆盖柱，光刻处铟柱区域，再通过热蒸镀铟并剥离得到铟柱，在压焊过程中以二氧化硅柱的高度作为最终的压焊高度，在压焊结束后，通过采用刻蚀液去除二氧化硅柱，不会对平面电路的性能造成影响，相较于现有技术，可以使最终的三维芯片的高度均匀性可得到保证。
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1.一种提高倒装焊压焊均匀性的方法，其特征在于，具体步骤包括：
2.根据权利要求1所述的一种提高倒装焊压焊均匀性的方法，其特征在于，在步骤S1中，使用化学沉积设备在所述平面电路表面镀氧化硅层。
3.根据权利要求1所述的一种提高倒装焊压焊均匀性的方法，其特征在于，在步骤S1前，先制备平面电路，具体步骤包括：
4.根据权利要求1所述的一种提高倒装焊压焊均匀性的方法，其特征在于，在步骤S3中，通过显影刻蚀去胶以形成氧化硅柱。
5.根据权利要求1所述的一种提高倒装焊压焊均匀性的方法，其特征在于，在步骤S3中，通过光刻显影镀膜以形成氧化硅柱。
6.根据权利要求5所述的一种提高倒装焊压焊均匀性的方法，其特征在于，所述光刻显影镀膜的具体步骤包括：
7.根据权利要求6所述的一种提高倒装焊压焊均匀性的方法，其特征在于，所述氧化硅柱设置在所述平面电路的至少四个角，且所述氧化硅柱的尺寸为50*50*4μm。
8.根据权利要求1所述的一种提高倒装焊压焊均匀性的方法，其特征在于，在步骤S5中，铟柱生长的孔洞的截面为梯形结构
9.根据权利要求1所述的一种提高倒装焊压焊均匀性的方法，其特征在于，在步骤S10中，通过采用氢氟酸或者缓冲氧化物刻蚀液去除氧化硅柱。
10.根据权利要求1所述的一种提高倒装焊压焊均匀性的方法，其特征在于，所述氧化硅柱的数量少于所述铟柱的数量，所述氧化硅柱的直径大于所述铟柱的直径。
...【技术特征摘要】
1.一种提高倒装焊压焊均匀性的方法，其特征在于，具体步骤包括：
2.根据权利要求1所述的一种提高倒装焊压焊均匀性的方法，其特征在于，在步骤s1中，使用化学沉积设备在所述平面电路表面镀氧化硅层。
3.根据权利要求1所述的一种提高倒装焊压焊均匀性的方法，其特征在于，在步骤s1前，先制备平面电路，具体步骤包括：
4.根据权利要求1所述的一种提高倒装焊压焊均匀性的方法，其特征在于，在步骤s3中，通过显影刻蚀去胶以形成氧化硅柱。
5.根据权利要求1所述的一种提高倒装焊压焊均匀性的方法，其特征在于，在步骤s3中，通过光刻显影镀膜以形成氧化硅柱。
6.根据权利要求5所述的一种提高倒装焊压焊均匀性的方...
【专利技术属性】
技术研发人员：李睿颖，刘姿，张祥，
申请(专利权)人：量子科技长三角产业创新中心，
类型：发明
国别省市：
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