【技术实现步骤摘要】
本文中描述的本公开的实施例涉及显示装置和制造显示装置的方法，并且更具体地，涉及包括氧化物晶体管的显示装置和制造显示装置的方法。
技术介绍
1、显示装置包括显示面板，并且显示面板包括发光元件和用于控制施加到发光元件的电信号的像素电路。像素电路可以包括至少两个晶体管。随着高分辨率显示面板发展，晶体管的设计被限制。
技术实现思路
1、本公开的实施例可以提供一种包括高分辨率显示面板的显示装置。
2、本公开的实施例可以提供一种制造包括高分辨率显示面板的显示装置的方法。
3、显示装置的实施例包括：基体基底；有机发光元件，设置在所述基体基底上；绝缘层，设置在所述基体基底上，并且包含氧化硅；以及薄膜晶体管，设置在所述基体基底上，并且电连接到所述有机发光元件，所述薄膜晶体管包括：半导体图案，设置在所述基体基底上，并且包括与所述绝缘层接触的沟道区域；以及栅极电极，在平面上与所述沟道区域重叠，所述半导体图案包括氧化铟(in)镓(ga)锌(zn)锡(sn)，并且所述沟道区域中的锡的比例等于或高于约10％。
4、在实施例中，所述沟道区域可以具有in:ga:zn:sn＝29.4:39.8:12.6:18.2(at.％)的成分比。
5、在实施例中，所述绝缘层可以包含二异丙基氨基硅烷(dipas)前体的至少一部分。
6、在实施例中，所述半导体图案可以设置在所述栅极电极上。
7、在实施例中，所述栅极电极可以设置在所述半导体图案上，并且所述绝缘层
8、在实施例中，所述绝缘层的厚度可以大于5nm且小于20nm。
9、在实施例中，所述绝缘层的厚度可以小于10nm。
10、在实施例中，所述半导体图案的所述沟道区域可以具有等于或大于约30cm2/vs的饱和迁移率。
11、在实施例中，所述绝缘层可以包含氢原子。
12、在实施例中，所述显示装置还可以包括导电图案，所述导电图案连接到所述半导体图案的源极区域或漏极区域。
13、制造显示装置的方法的实施例包括：形成栅极电极；形成半导体图案，所述半导体图案包括由氧化铟镓锌和氧化锡获得的氧化铟(in)镓(ga)锌(zn)锡(sn)；形成包含氧化硅的绝缘层；以及在所述绝缘层上形成有机发光元件，其中，所述绝缘层与所述半导体图案接触，并且其中，所述绝缘层的所述形成采用使用dipas前体的等离子体增强原子层沉积(peald)方法。
14、在实施例中，在所述半导体图案的所述形成之后，可以形成所述绝缘层。
15、在实施例中，在形成所述绝缘层之后，所述半导体图案的迁移率可以增加。
16、在实施例中，在所述栅极电极的所述形成之后，可以形成所述半导体图案。
17、在实施例中，所述氧化铟镓锌可以具有in:ga:zn＝1:1:1(at.％)的成分比。
18、在实施例中，所述氧化铟镓锌锡可以具有in:ga:zn:sn＝29.4:39.8:12.6:18.2(at.％)的成分比。
19、在实施例中，所述方法还可以包括：在形成所述半导体图案和所述绝缘层之后，对所述绝缘层进行热处理，并且热处理温度可以高于300℃且低于500℃。
20、在实施例中，所述热处理温度可以是约400℃。
21、在实施例中，所述绝缘层可以包含所述dipas前体的至少一部分。
22、在实施例中，在所述绝缘层的所述热处理之后，所述绝缘层的与所述半导体图案接触的界面处的氢原子的浓度可以降低。
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1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟道区域具有原子百分比为铟:镓:锌:锡＝29.4:39.8:12.6:18.2的成分比。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘层包含二异丙基氨基硅烷前体的至少一部分。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述半导体图案设置在所述栅极电极上。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述栅极电极设置在所述半导体图案上，并且
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘层的厚度大于5nm且小于20nm。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述绝缘层的厚度小于10nm。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述半导体图案的所述沟道区域具有等于或大于30cm2/Vs的饱和迁移率。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述绝缘层包含氢原子。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
11.一种制造显示装置的方法，其中，所述方法包括
12.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述半导体图案的所述形成之后，形成所述绝缘层。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，在形成所述绝缘层之后，所述半导体图案的迁移率增加。
14.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述栅极电极的所述形成之后，形成所述半导体图案。
15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述氧化铟镓锌具有原子百分比为铟:镓:锌＝1:1:1的成分比。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述氧化铟镓锌锡具有原子百分比为铟:镓:锌:锡＝29.4:39.8:12.6:18.2的成分比。
17.根据权利要求11所述的方法，其中，所述方法还包括：
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述热处理温度是400℃。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述绝缘层包含所述二异丙基氨基硅烷前体的至少一部分。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，在所述绝缘层的所述热处理之后，所述绝缘层的与所述半导体图案接触的界面处的氢原子的浓度降低。
...【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟道区域具有原子百分比为铟:镓:锌:锡＝29.4:39.8:12.6:18.2的成分比。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘层包含二异丙基氨基硅烷前体的至少一部分。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述半导体图案设置在所述栅极电极上。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述栅极电极设置在所述半导体图案上，并且
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘层的厚度大于5nm且小于20nm。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述绝缘层的厚度小于10nm。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述半导体图案的所述沟道区域具有等于或大于30cm2/vs的饱和迁移率。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述绝缘层包含氢原子。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
11.一种制造显示装置的方法，其中，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：金恩贤，金洸福，林俊亨，郑在景，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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