【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容总体上涉及功率电子装置。更具体地，本公开内容涉及dc-dc功率转换器。
技术介绍
1、许多电子产品特别是移动计算和/或通信产品和部件(例如，笔记本电脑、超极本电脑、平板装置、lcd和led显示器)需要多个电压电平。例如，射频发射器功率放大器可能需要相对高的电压(例如，12v或更高)，而逻辑电路系统可能需要低电压电平(例如，1v至2v)。一些其他电路系统可能需要中间电压电平(例如，5v至10v)。功率转换器通常用于从公共电源(诸如电池)生成较低或较高的电压，以满足电子产品中不同部件的功率要求。
技术实现思路
1、本公开内容的实施方式提供一种功率转换器。功率转换器包括第一端子和第二端子、电荷泵功率转换电路和保护电路。第一端子用于接收输入电压。第二端子用于输出输出电压。电荷泵功率转换电路电耦接在第一端子与第二端子之间，并且用于将输入电压转换为输出电压。保护电路电耦接至电荷泵功率转换电路。保护电路包括第一开关装置，以响应于控制信号阻断从第一端子到第二端子以及从第二端子到第一端子的功率流。
2、本公开内容的实施方式提供了一种功率转换器。功率转换器包括控制器和开关电容器网络。控制器用于至少部分地基于一个或更多个定时信号来实现死区时间间隔，并且响应于检测到故障而输出控制信号，以阻断功率转换器的第一端子与功率转换器的第二端子之间任一方向上的功率流。开关电容器网络电耦接至控制器并且用于将第一端子处的第一电压转换为第二端子处的第二电压。开关电容器网络包括用于在第一配置与第二配置之
3、本公开内容的实施方式提供了一种功率转换器。功率转换器包括功率转换电路、两个或更多个开关电路以及一个或更多个检测电路。功率转换电路包括第一端子、第二端子和第三端子，并且用于将从第一端子、第二端子和第三端子中的至少一个端子接收的第一电压转换为从功率转换器的第一端子、第二端子和第三端子中的至少一个端子输出的第二电压。两个或更多个开关电路电耦接至功率转换电路，并且用于提供或者响应于故障根据控制信号阻断第一端子、第二端子和第三端子中的一个端子与第一端子、第二端子和第三端子中的另一个端子之间的双向电流路径。一个或更多个检测电路电耦接至第一端子、第二端子和第三端子中的一个端子，并且用于检测是否发生故障。
4、本公开内容的实施方式提供了一种用于保护电荷泵功率转换器的方法，所述电荷泵功率转换器从第一端子接收第一电压并且在第二端子上提供第二电压。方法包括：通过电荷泵功率转换器将第一电压转换为第二电压；以及响应于控制信号，由电耦接至电荷泵功率转换电路的保护电路阻断从第一端子到第二端子以及从第二端子到第一端子的功率流。
5、所公开的实施方式的附加特征和优点将在以下描述中进行部分阐述，并且部分将根据所述描述而变得明显，或者可以通过实践实施方式来了解。所公开的实施方式的特征和优点可以通过权利要求中阐述的要素和组合来实现和获得。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种功率转换器，包括：
2.根据权利要求1所述的功率转换器，其中，所述第一开关装置包括具有以反串联连接的方式耦接的体二极管的第一功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)装置和第二功率MOSFET装置。
3.根据权利要求2所述的功率转换器，其中，所述第一功率MOSFET装置和所述第二功率MOSFET装置是具有不同额定功率的MOSFET装置。
4.根据权利要求2所述的功率转换器，其中，所述第一功率MOSFET装置和所述第二功率MOSFET装置都是n型MOSFET装置或都是p型MOSFET装置。
5.根据权利要求2所述的功率转换器，其中，所述第一功率MOSFET装置和所述第二功率MOSFET装置以公共源极配置或公共漏极配置背靠背连接。
6.根据权利要求1所述的功率转换器，其中，所述第一开关装置包括第一功率MOSFET装置，所述第一功率MOSFET装置具有体偏置选择电路以偏置所述第一功率MOSFET装置的体端子。
7.根据权利要求6所述的功率转换器，其中，所述第一功率MOSFET装置是p型MOSFET装置
8.根据权利要求6所述的功率转换器，其中，所述第一功率MOSFET装置是n型MOSFET装置，并且所述体偏置选择电路用于选择性地将所述体端子连接至具有较低电压的源极端子或漏极端子。
9.根据权利要求1所述的功率转换器，其中，所述第一开关装置包括：
10.根据权利要求1所述的功率转换器，其中，所述第一开关装置包括以下中的一个或更多个：双极结晶体管(BJT)功率装置、高电子迁移率晶体管(HEMT)装置、GaN装置、结栅场效应晶体管(JFET)装置或金属半导体场效应晶体管(MESFET)装置。
11.根据权利要求1所述的功率转换器，其中，所述第一开关装置电耦接在所述第一端子与所述电荷泵功率转换电路之间或电耦接在所述第二端子与所述电荷泵功率转换电路之间。
12.根据权利要求1所述的功率转换器，其中，所述保护电路还包括：
13.根据权利要求1所述的功率转换器，其中，所述保护电路还包括：
14.根据权利要求1所述的功率转换器，还包括：
15.根据权利要求14所述的功率转换器，其中，所述故障信号包括以下中的两个或更多个的组合：所述输入欠压信号、所述输入过压信号、所述输出欠压信号、所述输出过压信号、所述热关断信号、所述输入或输出过电流信号、所述超时信号、或所述电荷泵电容器欠压或过压信号。
16.根据权利要求14所述的功率转换器，还包括：
17.一种功率转换器，包括：
18.根据权利要求17所述的功率转换器，还包括：
19.根据权利要求18所述的功率转换器，还包括：
20.根据权利要求17所述的功率转换器，其中，所述多个开关包括：
21.根据权利要求20所述的功率转换器，其中，所述多个开关包括：
22.根据权利要求17所述的功率转换器，还包括：
23.根据权利要求22所述的功率转换器，其中，所述一个或更多个故障信号包括输入欠压信号、输入过压信号、输出欠压信号、输出过压信号、热关断信号、输入或输出过电流信号、超时信号、或电荷泵电容器欠压或过压信号。
24.一种功率转换器，包括：
25.根据权利要求24所述的功率转换器，其中，所述两个或更多个开关电路包括具有以反串联连接的方式耦接的体二极管的成对的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)装置。
26.根据权利要求24所述的功率转换器，其中，所述两个或更多个开关电路包括第一功率MOSFET装置，所述第一功率MOSFET装置具有体偏置选择电路以偏置所述第一功率MOSFET装置的体端子。
27.根据权利要求24所述的功率转换器，其中，所述两个或更多个开关电路包括响应于所述控制信号在导通状态与关断状态之间切换的微机电系统(MEMS)开关。
28.根据权利要求24所述的功率转换器，其中，所述两个或更多个开关电路包括以下中的一个或更多个：双极结晶体管(BJT)功率装置、高电子迁移率晶体管(HEMT)装置、GaN装置、结栅场效应晶体管(JFET)装置或金属半导体场效应晶体管(MESFET)装置。
29.根据权利要求24所述的功率转换器，其中，所述两个或更多个开关电路包括：
30.根据权利要求29所述的功率转换器，其中，所述两个或更多个开关电路包括：
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种功率转换器，包括：
2.根据权利要求1所述的功率转换器，其中，所述第一开关装置包括具有以反串联连接的方式耦接的体二极管的第一功率金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)装置和第二功率mosfet装置。
3.根据权利要求2所述的功率转换器，其中，所述第一功率mosfet装置和所述第二功率mosfet装置是具有不同额定功率的mosfet装置。
4.根据权利要求2所述的功率转换器，其中，所述第一功率mosfet装置和所述第二功率mosfet装置都是n型mosfet装置或都是p型mosfet装置。
5.根据权利要求2所述的功率转换器，其中，所述第一功率mosfet装置和所述第二功率mosfet装置以公共源极配置或公共漏极配置背靠背连接。
6.根据权利要求1所述的功率转换器，其中，所述第一开关装置包括第一功率mosfet装置，所述第一功率mosfet装置具有体偏置选择电路以偏置所述第一功率mosfet装置的体端子。
7.根据权利要求6所述的功率转换器，其中，所述第一功率mosfet装置是p型mosfet装置，并且所述体偏置选择电路用于选择性地将所述体端子连接至具有较高电压的源极端子或漏极端子。
8.根据权利要求6所述的功率转换器，其中，所述第一功率mosfet装置是n型mosfet装置，并且所述体偏置选择电路用于选择性地将所述体端子连接至具有较低电压的源极端子或漏极端子。
9.根据权利要求1所述的功率转换器，其中，所述第一开关装置包括：
10.根据权利要求1所述的功率转换器，其中，所述第一开关装置包括以下中的一个或更多个：双极结晶体管(bjt)功率装置、高电子迁移率晶体管(hemt)装置、gan装置、结栅场效应晶体管(jfet)装置或金属半导体场效应晶体管(mesfet)装置。
11.根据权利要求1所述的功率转换器，其中，所述第一开关装置电耦接在所述第一端子与所述电荷泵功率转换电路之间或电耦接在所述第二端子与所述电荷泵功率转换电路之间。
12.根据权利要求1所述的功率转换器，其中，所述保护电路还包括：
13.根据权利要求1所述的功率转换器，其中，所述保护电路还包括：
14.根据权利要求1所述的功率转换器，还包括：
15.根据权利要求14所述的功率转换器，其中，所述故障信号包括以下中的两个或更多个的组合：所述输入欠压信号、所述输入过压信号、所述输出欠压信号、所述输出过压信号、所述热关断信号、所述输入或输出过电流信号、所述超时信号、或所述电荷泵电容器欠压或过压信号。
16.根据权利要求14所述的功率转换器，还包括：
17.一种功率转换器，包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：大卫·朱利亚诺，格雷戈里·什琴斯钦斯基，艾晨·洛，
申请(专利权)人：派赛公司，
类型：发明
国别省市：
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