【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子，尤其涉及一种保护电路。
技术介绍
1、为了抑制信号线间出现的高压脉冲干扰，现有的措施一般是在两根信号线之间布置tvs管，当tvs管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大电流，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。其缺陷在于：会明显增加两线之间的漏电流，从而对信号和/或电路造成影响。
技术实现思路
1、为克服上述缺陷，本专利技术旨在提供一种适用于两根信号线之间的保护电路，不会明显增大两线之间的漏电流，能够有效的避免漏电流对信号和/或电路造成影响。
2、为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案如下：
3、适用于两根信号线之间的保护电路，所述两根信号线中均串接有第一n沟道耗尽型mosfet管或n沟道jfet管，所述第一n沟道耗尽型mosfet管或n沟道jfet管的源极、漏极串接在信号线中，第一n沟道耗尽型mosfet管或n沟道jfet管的栅极通过限流元件连接源极，第一n沟道耗尽型mosfet管或n沟道jfet管的栅极连接分压元件的一端，所述分压元件的另一端连接单向导通元件的电流流入端，所述单向导通元件的电流流出端连接另一根信号线。
4、进一步的，所述第一n沟道耗尽型mosfet管或n沟道jfet管反串联第二n沟道耗尽型mosfet管或n沟道jfet管，所述第二n沟道耗尽型mosfet管或n沟道jfet管的栅极连接第一n沟道耗尽型mosfet管或
5、作为一种优选的，所述分压元件为稳压二极管，所述稳压二极管的阴极连接第一n沟道耗尽型mosfet管的栅极，稳压二极管的阳极连接单向导通元件的电流流入端。
6、优选的，所述单向导通元件为二极管，所述二极管的阳极连接分压元件，二极管的阴极连接另一根信号线。
7、优选的，所述限流元件为电阻。
8、作为另一种优选的，所述分压元件为n沟道增强型mosfet管，所述第一n沟道耗尽型mosfet管的栅极连接所述n沟道增强型mosfet管的漏极和栅极，所述n沟道增强型mosfet管的源极连接单向导通元件的电流流入端。
9、优选的，所述单向导通元件为二极管，所述二极管的阳极连接分压元件，二极管的阴极连接另一根信号线。
10、优选的，所述限流元件为电阻。
11、优选的，所述二极管的反向击穿电压大于所述信号线的输出电压的最大值。
12、优选的，所述电阻不小于100kω。
13、本专利技术的工作原理：n沟道耗尽型mosfet管或n沟道jfet管、限流元件、分压元件、单向导通元件构成一个单向箝位稳压单元。从n沟道耗尽型mosfet管或n沟道jfet管源极输出的电压，相对于单向导通元件的电流流出端，会被箝位在某一特定值范围内，因此对于连接在n沟道耗尽型mosfet管或n沟道jfet管源极与单向导通元件的电流流出端之间的组件或电路，可以实现过压保护。
14、本专利技术的有益效果如下：
15、1、本专利技术在过压保护触发阶段，输入端的过电压会降落在对应的n沟道耗尽型mosfet（或n沟道jfet）的漏-源两端，以发热的形式耗散掉，不会明显增大两线之间的漏电流，其漏电流可通过限流电阻限制在纳安级或微安级。
16、2、利用n沟道耗尽型mosfet的常闭特性，只需选择满足导通电阻需求的mosfet即可，不会改变原电路的电路特性。
17、3、本专利技术能够实现单向和/或双向保护。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.适用于两根信号线之间的保护电路，其特征在于：所述两根信号线中均串接有第一N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管，所述第一N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管的源极、漏极串接在信号线中，第一N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管的栅极通过限流元件连接源极，第一N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管的栅极连接分压元件的一端，所述分压元件的另一端连接单向导通元件的电流流入端，所述单向导通元件的电流流出端连接另一根信号线。
2.根据权利要求1所述的适用于两根信号线之间的保护电路，其特征在于：所述第一N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管反串联第二N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管，所述第二N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管的栅极连接第一N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管的栅极，第二N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管的源极连接第一N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管的源极。
3.根据权利要求1或2所述的适用于两根信号线之间的保护电路，其特征在于：所述分压元件为稳压二极管，所述稳压二极
4.根据权利要求3所述的适用于两根信号线之间的保护电路，其特征在于：所述单向导通元件为二极管，所述二极管的阳极连接分压元件，二极管的阴极连接另一根信号线。
5.根据权利要求4所述的适用于两根信号线之间的保护电路，其特征在于：所述限流元件为电阻。
6.根据权利要求1或2所述的适用于两根信号线之间的保护电路，其特征在于：所述分压元件为N沟道增强型MOSFET管，所述第一N沟道耗尽型MOSFET管的栅极连接所述N沟道增强型MOSFET管的漏极和栅极，所述N沟道增强型MOSFET管的源极连接单向导通元件的电流流入端。
7.根据权利要求6所述的适用于两根信号线之间的保护电路，其特征在于：所述单向导通元件为二极管，所述二极管的阳极连接分压元件，二极管的阴极连接另一根信号线。
8.根据权利要求7所述的适用于两根信号线之间的保护电路，其特征在于：所述限流元件为电阻。
9.根据权利要求4或7所述的适用于两根信号线之间的保护电路，其特征在于：所述二极管的反向击穿电压大于所述信号线的输出电压的最大值。
10.根据权利要求5或8所述的适用于两根信号线之间的保护电路，其特征在于：所述电阻不小于100KΩ。
...【技术特征摘要】
1.适用于两根信号线之间的保护电路，其特征在于：所述两根信号线中均串接有第一n沟道耗尽型mosfet管或n沟道jfet管，所述第一n沟道耗尽型mosfet管或n沟道jfet管的源极、漏极串接在信号线中，第一n沟道耗尽型mosfet管或n沟道jfet管的栅极通过限流元件连接源极，第一n沟道耗尽型mosfet管或n沟道jfet管的栅极连接分压元件的一端，所述分压元件的另一端连接单向导通元件的电流流入端，所述单向导通元件的电流流出端连接另一根信号线。
2.根据权利要求1所述的适用于两根信号线之间的保护电路，其特征在于：所述第一n沟道耗尽型mosfet管或n沟道jfet管反串联第二n沟道耗尽型mosfet管或n沟道jfet管，所述第二n沟道耗尽型mosfet管或n沟道jfet管的栅极连接第一n沟道耗尽型mosfet管或n沟道jfet管的栅极，第二n沟道耗尽型mosfet管或n沟道jfet管的源极连接第一n沟道耗尽型mosfet管或n沟道jfet管的源极。
3.根据权利要求1或2所述的适用于两根信号线之间的保护电路，其特征在于：所述分压元件为稳压二极管，所述稳压二极管的阴极连接第一n沟道耗尽型mosfet管的栅极，稳压二极管的阴极连接单向导通元件的电流流入...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵兴杰，何锋，张少锋，邓琪，
申请(专利权)人：成都方舟微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。