【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种led芯片的转移装置及转移方法。
技术介绍
1、led显示器由若干微型发光二极管（micro led）和迷你发光二极管（mini led）组成，而随着半导体制作技术的高速发展，在led显示屏的制作过程中，micro led和mini led的巨量转移和巨量焊接技术被广泛应用。
2、然而，在进行micro led和mini led的巨量转移及巨量焊接工艺时，热压回流焊通常会引发led芯片和电路基板之间的热膨胀失配效应，从而影响led芯片和电路基板的键合效果及对位精度，同时，现有的激光焊接技术存在光斑面积小的问题，这会导致焊接效率低，且会影响相邻焊点的焊接稳定性。
技术实现思路
1、为了至少克服现有技术中的上述不足，本申请的目的在于提供一种led芯片的转移装置及转移方法。
2、第一方面，本申请实施例提供一种led芯片的转移装置，所述led芯片的转移装置包括：光源组件、键合载片组件以及调平对准组件；
3、所述键合载片组件包括载片台、吸盘以及运动控制部件，所述载片台与所述吸盘相对设置；所述载片台用于放置电路基板，所述吸盘用于吸附转移基板，所述运动控制部件用于控制所述载片台向靠近或远离所述吸盘的方向移动；
4、所述调平对准组件用于调整所述载片台的位置，以实现所述电路基板与所述转移基板的对位；
5、所述光源组件用于提供焊接所需的脉冲矩阵光辐射。
6、在一种可能的实现方式中，所述光源组件包
7、当所述光源为脉冲氙灯光源时，所述滤光片用于过滤脉冲矩阵光，防止对led芯片造成损伤；
8、当所述光源为激光光源时，所述滤光片用于对激光进行扩束以形成脉冲矩阵光。
9、在一种可能的实现方式中，所述转移基板设置有多个led芯片；所述电路基板设置有驱动电路电极；
10、所述led芯片的转移装置还包括显微成像组件，所述显微成像组件用于检测所述转移基板上的led芯片与所述电路基板上的驱动电路电极是否对位。
11、在一种可能的实现方式中，所述led芯片包括红光led芯片、蓝光led芯片以及绿光led芯片，所述红光led芯片、所述蓝光led芯片以及所述绿光led芯片在所述电路基板上阵列排布。
12、在一种可能的实现方式中，所述电路基板为薄膜场效应晶体管电路板，所述转移基板为涂布有粘弹性聚合物的透明基板。
13、在一种可能的实现方式中，所述电路基板上设置有焊料，所述电路基板通过所述焊料与所述转移基板焊接；所述焊料的材料为低熔点合金或各向异性导电胶。
14、第二方面，本申请实施例还提供一种led芯片的转移方法，所述led芯片的转移方法使用上述第一方面所述的led芯片的转移装置，所述方法包括：
15、将所述转移基板安装于所述吸盘上，将所述电路基板安装于所述载片台上；所述转移基板靠近所述电路基板的一侧设置有多个led芯片，所述电路基板靠近所述转移基板的一侧设置有驱动电路电极；
16、通过所述调平对准组件对所述载片台的位置进行调节，以实现所述转移基板和所述电路基板的对位以及贴合；
17、对所述转移基板和所述电路基板加压，以实现所述转移基板与所述电路基板的键合；
18、通过所述光源组件提供的脉冲矩阵光辐照所述转移基板与所述电路基板，以实现所述led芯片与所述驱动电路电极焊接；
19、移除所述转移基板，得到led显示模块。
20、在一种可能的实现方式中，所述脉冲矩阵光的辐照能量为0~5kj，辐照频率为1~100s/1hz。
21、在一种可能的实现方式中，加压压力为3~10mpa，加压时间大于5min。
22、在一种可能的实现方式中，所述移除所述转移基板的步骤，包括：
23、当辐照温度为80~120℃，辐照时间为1~10min时，通过热解胶移除所述转移基板。
24、基于上述任意一个方面，本申请实施例提供的led芯片的转移装置及转移方法，通过调平对准组件调整载片台的位置，可以实现电路基板与转移基板的高精准对位，同时，通过脉冲矩阵光的高能量、大面积光源辐照可以实现转移基板与电路基板的焊接，从而可以将led芯片快速、巨量地焊接到电路基板上。此外，相比于传统的热压焊接，通过脉冲矩阵光实现转移基板与电路基板的光热焊接，还可以降低在焊接时电路基板与led芯片之间热失配导致的键合不良等问题。
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1.一种LED芯片的转移装置，其特征在于，包括：光源组件、键合载片组件以及调平对准组件；
2.根据权利要求1所述的LED芯片的转移装置，其特征在于，所述光源组件包括光源及滤光片；
3.根据权利要求1所述的LED芯片的转移装置，其特征在于，所述转移基板设置有多个LED芯片；所述电路基板设置有驱动电路电极；
4.根据权利要求3所述的LED芯片的转移装置，其特征在于，所述LED芯片包括红光LED芯片、蓝光LED芯片以及绿光LED芯片，所述红光LED芯片、所述蓝光LED芯片以及所述绿光LED芯片在所述电路基板上阵列排布。
5.根据权利要求1所述的LED芯片的转移装置，其特征在于，所述电路基板为薄膜场效应晶体管电路板，所述转移基板为涂布有粘弹性聚合物的透明基板。
6.根据权利要求1所述的LED芯片的转移装置，其特征在于，所述电路基板上设置有焊料，所述电路基板通过所述焊料与所述转移基板焊接；所述焊料的材料为低熔点合金或各向异性导电胶。
7.一种LED芯片的转移方法，其特征在于，所述LED芯片的转移方法使用权利要求1-6任
8.根据权利要求7所述的LED芯片的转移方法，其特征在于，所述脉冲矩阵光的辐照能量为0~5kJ，辐照频率为1~100s/1Hz。
9.根据权利要求7所述的LED芯片的转移方法，其特征在于，加压压力为3~10MPa，加压时间大于5min。
10.根据权利要求7所述的LED芯片的转移方法，其特征在于，所述移除所述转移基板的步骤，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种led芯片的转移装置，其特征在于，包括：光源组件、键合载片组件以及调平对准组件；
2.根据权利要求1所述的led芯片的转移装置，其特征在于，所述光源组件包括光源及滤光片；
3.根据权利要求1所述的led芯片的转移装置，其特征在于，所述转移基板设置有多个led芯片；所述电路基板设置有驱动电路电极；
4.根据权利要求3所述的led芯片的转移装置，其特征在于，所述led芯片包括红光led芯片、蓝光led芯片以及绿光led芯片，所述红光led芯片、所述蓝光led芯片以及所述绿光led芯片在所述电路基板上阵列排布。
5.根据权利要求1所述的led芯片的转移装置，其特征在于，所述电路基板为薄膜场效应晶体管电路板，所述转移基板为涂布有粘弹性聚合物的透明基板...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗先刚，李雄，张仁彦，李维杰，李勋，
申请(专利权)人：天府兴隆湖实验室，
类型：发明
国别省市：
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