【技术实现步骤摘要】
本公开内容关于一种互连结构，特别是关于一种具有较宽的导电通孔以减少电阻的互连结构。
技术介绍
1、在半导体元件的基底上形成了包括互连结构的各种金属化层。互连结构可包括横向互连结构，如导电层和垂直互连结构，如导电通孔。
2、为了实现半导体元件的高积集密度，导电层和导电通孔的尺寸被缩小。然而，导电层和导电通孔的电阻可能不可避免地增加，因此降低了元件性能。
3、上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一个方面提供一种互连结构。该互连结构包括一第一介电层，设置于该第一介电层上的一第二介电层，以及设置于该第一介电层中的一第一导电层。该互连结构还包括一导电通孔，与该第一导电层电性连接，并延伸穿过该第一介电层及该第二介电层。该导电通孔的最大宽度大于该导电通孔最小宽度的2.5倍。
2、设置于开口中的导电通孔与导电通孔下面的导电层之间的接触区域(或着陆区域)的宽度是一个关键尺寸。借由形成具有较小关键尺寸的开口，然后增加开口顶部部分的尺寸，可以减少导电通孔和导电层之间的接触区域的尺寸，而导电通孔的电阻实质上保持不变。因此，该元件可以进一步小型化，而不会降低元件的性能。
3、此外，由于在去除形成开口的操作后产生的杂质的清洗操作中，开口的顶部部分的尺寸被增加，因此不需要其他额外的操作。具体说来，本公开使用
4、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或过程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
【技术保护点】
1.一种互连结构，包括：
2.如权利要求1所述的互连结构，其中该导电通孔的该最小宽度小于约50.0纳米(nm)。
3.如权利要求1所述的互连结构，其中该导电通孔的该最大宽度在约120.0纳米与约125.0纳米之间。
4.如权利要求1所述的互连结构，其中该导电通孔的该最大宽度从设置于该第二介电层上的一第三介电层暴露。
5.如权利要求1所述的互连结构，其中该第一介电层与该第二介电层相对于一蚀刻剂具有不同的蚀刻率。
6.如权利要求1所述的互连结构，其中该第一导电层被该第一介电层部分覆盖。
7.如权利要求1所述的互连结构，更包括：
8.如权利要求7所述的互连结构，其中该第一介电层包括该第二导电层上面的一突出部分，其中该突出部分突出到该第二介电层中。
9.如权利要求1所述的互连结构，其中该导电通孔包括一第一侧向表面、一第二侧向表面以及连接在该第一侧向表面与该一第二侧向表面之间的一第三侧向表面。
10.如权利要求9所述的互连结构，其中该第一侧向表面、该第二侧向表面及该第三侧向表面具有不
11.如权利要求1所述的互连结构，其中该导电通孔的一电阻在约65.0欧姆与约70.0欧姆之间。
12.如权利要求1所述的互连结构，其中该导电通孔包括一阻障层，直接与该第一介电层及该第二介电层接触。
...【技术特征摘要】
1.一种互连结构，包括：
2.如权利要求1所述的互连结构，其中该导电通孔的该最小宽度小于约50.0纳米(nm)。
3.如权利要求1所述的互连结构，其中该导电通孔的该最大宽度在约120.0纳米与约125.0纳米之间。
4.如权利要求1所述的互连结构，其中该导电通孔的该最大宽度从设置于该第二介电层上的一第三介电层暴露。
5.如权利要求1所述的互连结构，其中该第一介电层与该第二介电层相对于一蚀刻剂具有不同的蚀刻率。
6.如权利要求1所述的互连结构，其中该第一导电层被该第一介电层部分覆盖。
7.如权利要求1所述的互连结构，更包括：
...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨子弘，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。