【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及垂直腔表面发射激光器(vcsel)和具有集成接地层的vcsel设备。
技术介绍
1、垂直发射激光设备(诸如vcsel)是其中在垂直于衬底表面的方向上(例如，从半导体晶片的表面垂直地)发射光束的激光器。多个垂直发射设备可以布置在具有公共衬底的阵列中。
技术实现思路
1、在一些实施方式中，发射器组合件(assembly)包括包含接地平面的载体、电连接到接地平面的去耦电容器、以及在载体上并且电连接到接地平面和去耦电容器的垂直腔表面发射激光器(vcsel)设备。vcsel设备可以包括衬底和衬底上的多个vcsel。vcsel设备可以包括在衬底上并且电连接到多个vcsel的至少一个阳极层。vcsel设备可以包括电连接到至少一个阳极层和载体的一个或多个第一互连件。vcsel设备可以包括在多个vcsel中的一个或多个vcsel的至少一部分的上方并且电连接到一个或多个vcsel的阴极电极。vcsel设备可以包括电连接阴极电极和载体的一个或多个第二互连件。vcsel设备可以包括接地层，接地层电连接到接地平面并且通过一个或多个绝缘层与至少一个阳极层和阴极电极电绝缘。vcsel设备可以包括电连接接地层和载体的一个或多个第三互连件。
2、在一些实施方式中，发射器组合件包括包含接地平面的载体、电连接到接地平面的去耦电容器、以及设置在载体上并且电连接到接地平面和去耦电容器的vcsel设备。vcsel设备可以包括衬底和衬底上的多个vcsel。vcsel设备可以包括在衬底上的阳极层，其中
3、在一些实施方式中，vcsel设备包括衬底和衬底上的多个vcsel。vcsel设备可以包括在衬底上并且电连接到多个vcsel的阳极层。vcsel设备可以包括在多个vcsel中的一个或多个vcsel的至少一部分的上方并且电连接到一个或多个vcsel的阴极电极。vcsel设备可以包括通过一个或多个绝缘层与至少一个阳极层和阴极电极电绝缘的接地层，其中接地层在阳极层和阴极电极上、在阳极层和阴极电极之间、或在阳极层下方。
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1.一种发射器组合件，包括：
2.根据权利要求1所述的发射器组合件，其中所述接地层包含一个或多个开口，并且所述一个或多个第二互连件分别延伸穿过所述一个或多个开口。
3.根据权利要求1所述的发射器组合件，其中通过所述至少一个阳极层的电流流动路径在第一方向上，并且通过所述接地层的电流环路路径在与所述第一方向相反的第二方向上。
4.根据权利要求1所述的发射器组合件，其中所述载体包括集成电路芯片。
5.根据权利要求1所述的发射器组合件，其中所述接地层在所述至少一个阳极层和所述阴极电极上，并且
6.根据权利要求1所述的发射器组合件，其中所述接地层在所述至少一个阳极层与所述阴极电极之间，并且
7.根据权利要求1所述的发射器组合件，其中所述接地层在所述至少一个阳极层下方，并且
8.根据权利要求1所述的发射器组合件，进一步包括：
9.根据权利要求1所述的发射器组合件，其中所述VCSEL设备在所述载体上呈倒装芯片配置。
10.一种发射器组合件，包括：
11.根据权利要求10所述的
12.根据权利要求10所述的发射器组合件，其中所述接地层在所述阳极层和所述阴极电极上，并且
13.根据权利要求10所述的发射器组合件，其中所述接地层在所述阳极层与所述阴极电极之间，并且
14.根据权利要求10所述的发射器组合件，其中所述接地层在所述阳极层下方，并且
15.根据权利要求10所述的发射器组合件，其中所述阳极层电连接到所述去耦电容器，并且
16.根据权利要求10所述的发射器组合件，其中所述多个VCSEL呈底部发射配置。
17.一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)设备，包括：
18.根据权利要求17所述的VCSEL设备，其中通过所述阳极层的电流流动路径在第一方向上，并且通过所述接地层的电流环路路径在与所述第一方向相反的第二方向上。
19.根据权利要求17所述的VCSEL设备，其中所述阳极层电连接到所述多个VCSEL中的每一个的相应底部反射镜，并且所述阴极电极电连接到所述一个或多个VCSEL中的每一个的相应顶部反射镜。
20.根据权利要求17所述的VCSEL设备，其中所述阴极电极是多个阴极电极中的一个。
...【技术特征摘要】
1.一种发射器组合件，包括：
2.根据权利要求1所述的发射器组合件，其中所述接地层包含一个或多个开口，并且所述一个或多个第二互连件分别延伸穿过所述一个或多个开口。
3.根据权利要求1所述的发射器组合件，其中通过所述至少一个阳极层的电流流动路径在第一方向上，并且通过所述接地层的电流环路路径在与所述第一方向相反的第二方向上。
4.根据权利要求1所述的发射器组合件，其中所述载体包括集成电路芯片。
5.根据权利要求1所述的发射器组合件，其中所述接地层在所述至少一个阳极层和所述阴极电极上，并且
6.根据权利要求1所述的发射器组合件，其中所述接地层在所述至少一个阳极层与所述阴极电极之间，并且
7.根据权利要求1所述的发射器组合件，其中所述接地层在所述至少一个阳极层下方，并且
8.根据权利要求1所述的发射器组合件，进一步包括：
9.根据权利要求1所述的发射器组合件，其中所述vcsel设备在所述载体上呈倒装芯片配置。
10.一种发射器组合件，包括：
11.根据权利要求10所述的发射器组合件，其中在所述第二方向上流过所述接地层的电流与在所述第一方向上流...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·K·程，L·朱，M·G·彼得斯，J·U·洛佩兹鲁瓦尔卡巴，
申请(专利权)人：朗美通经营有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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