【技术实现步骤摘要】
本技术涉及led芯片,尤其涉及一种led集成芯片、显示模组及显示装置。
技术介绍
1、led芯片也称为led发光芯片,目前,横向结构的led芯片(即led芯片的电极位于其同侧)与印刷电路板(即pcb板)的连接方式主要包括以下两种:正装结构、倒装结构,其中,
2、 (1)正装结构指led芯片的电极位于其顶端,与印刷电路板连接时,通过焊线将印刷电路板上的焊点与led芯片上的电极连接,但这种结构的电极易对led芯片的出光造成遮挡,降低了出光效率;
3、 (2)倒装结构指led芯片的电极位于其底端,与印刷电路板连接时,通过焊球将印刷线路板上的焊点与led芯片上的电极焊接,但由于像素点间的间距极小(例如像素点间距为0.21mm~0.26mm),为避免相邻像素点间产生互连,焊接过程中,需对焊料的厚度、焊球(即焊盘)间距、led芯片与焊球的对位精度等进行精确控制,增加了led芯片与外部电路的连接难度。
技术实现思路
1、针对现有技术中存在的上述不足,本技术提供了一种led集成芯片,其可通过焊线与外部电路连接,有利于降低其与外部电路的连接难度。
2、为实现上述目的,本技术采用如下技术方案:
3、一种led集成芯片,其包括:衬底,用于承载发光单元,所述发光单元包括外延片,所述外延片包括依次分布的第二型半导体层、发光层、第一型半导体层,其特征在于,其还包括:
4、芯片区,位于所述衬底的中部,包括若干阵列分布的发光单元、纵向间隔分布的第一电极、
5、焊盘区,位于所述衬底的边缘,包括若干横向间隔分布的第一焊盘、纵向间隔分布的第二焊盘;
6、同一所述第一电极电连接同一列所述发光单元的第一型半导体层及相应所述第一焊盘,同一所述第二电极电连接同一行所述发光单元的第二型半导体层及相应所述第二焊盘,所述第一焊盘、第二焊盘分别用于连接第一焊线、第二焊线,并分别通过第一焊线、第二焊线与外部电路电连接;
7、所述发光单元中远离所述衬底的一侧为出光面,所述第一电极、第二电极设置于所述发光单元中靠近所述衬底的一侧。
8、其进一步特征在于,
9、所述第一型半导体层为p型半导体层,所述第二型半导体层为n型半导体层,所述发光单元还包括位于第一型半导体层表面的电流扩展层,所述第一电极通过所述电流扩展层与所述第一型半导体层电连接。
10、进一步的,所述电流扩展层为ito层;所述第一绝缘层为dbr反射层、sio2层或sin层。
11、进一步的,所述第一绝缘层上设有第一导电孔、第二导电孔,所述第一导电孔与所述发光单元一一对应,所述第一电极通过所述第一导电孔与相应所述电流扩展层电连接,所述第二导电孔与所述第一焊盘一一对应,用于与相应所述第一电极电连接。
12、进一步的,所述发光单元的侧面为阶梯状结构,所述第二型半导体层呈条状结构间隔分布于所述衬底、外沿向外凸出形成台阶,所述第二电极位于所述台阶。
13、进一步的,所述led集成芯片还包括位于衬底列向边缘且间隔设置的第一待焊接区、位于衬底行向边缘且间隔设置的第二待焊接区,所述第一待焊接区设有第四导电孔,所述第二待焊接区设有第五导电孔,所述第二电极的端部延伸至所述第一待焊接区,并通过所述第四导电孔与相应所述第二焊盘电连接;所述第五导电孔用于将所述第二导电孔与所述第一焊盘电连接。
14、一种显示模组,该显示模组包括pcb板、分布于pcb板的发光体、驱动单元,其特征在于,所述发光体为上述led集成芯片,所述led集成芯片的第一型半导体层通过所述第一电极、第一焊盘、第一焊线与外部电路电连接,所述led集成芯片的第二型半导体层通过所述第二电极、第二焊盘、第二焊线与外部电路电连接,所述外部电路连接所述驱动单元。
15、进一步的,所述驱动单元的驱动方式为pm驱动(即被动式驱动),包括驱动ic芯片。
16、一种显示装置,该显示装置由若干显示模组拼接组成,其特征在于,所述显示模组包括上述led集成芯片。
17、采用本技术上述结构可以达到如下有益效果:本申请led集成芯片中,出光面位于发光单元中远离衬底的一侧,第一电极、第二电极位于发光单元中靠近衬底的一侧,从而避免了第一电极、第二电极对发光单元发出的光线造成遮挡而影响出光效率。
18、该led集成芯片中,发光单元的第一型半导体层通过第一电极、第一焊盘、第一焊线与外部电路电连接,发光单元的第二型半导体层通过第二电极、第二焊盘、第二焊线与外部电路电连接,形成了交叉分布的共阳极、共阴极结构,第一焊盘、第二焊盘位于衬底的边缘区域,便于焊接焊线,从而方便了该led集成芯片通过焊线与外部电路连接。
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1.一种LED集成芯片,其包括:衬底(101),用于承载发光单元(1),所述发光单元(1)包括外延片,所述外延片包括依次分布的第二型半导体层(14)、发光层(13)、第一型半导体层(12),其特征在于,其还包括:
2.根据权利要求1所述的LED集成芯片,其特征在于,所述第一型半导体层(12)为P型半导体层,所述第二型半导体层(14)为N型半导体层,所述发光单元(1)还包括位于第一型半导体层(12)表面的电流扩展层(11),所述第一电极(2)通过所述电流扩展层(11)与所述第一型半导体层(12)电连接。
3.根据权利要求2所述的LED集成芯片,其特征在于,所述电流扩展层(11)为ITO层;所述第一绝缘层(6)为DBR反射层、SiO2层或SiN层。
4.根据权利要求3所述的LED集成芯片,其特征在于,所述第一绝缘层(6)上设置有第一导电孔、第二导电孔,所述第一导电孔与所述发光单元(1)一一对应,所述第一电极(2)通过所述第一导电孔与相应所述电流扩展层(11)电连接,所述第二导电孔与所述第一焊盘(4)一一对应,用于与相应所述第一电极(2)电连接。
...【技术特征摘要】
1.一种led集成芯片,其包括:衬底(101),用于承载发光单元(1),所述发光单元(1)包括外延片,所述外延片包括依次分布的第二型半导体层(14)、发光层(13)、第一型半导体层(12),其特征在于,其还包括:
2.根据权利要求1所述的led集成芯片,其特征在于,所述第一型半导体层(12)为p型半导体层,所述第二型半导体层(14)为n型半导体层,所述发光单元(1)还包括位于第一型半导体层(12)表面的电流扩展层(11),所述第一电极(2)通过所述电流扩展层(11)与所述第一型半导体层(12)电连接。
3.根据权利要求2所述的led集成芯片,其特征在于,所述电流扩展层(11)为ito层;所述第一绝缘层(6)为dbr反射层、sio2层或sin层。
4.根据权利要求3所述的led集成芯片,其特征在于,所述第一绝缘层(6)上设置有第一导电孔、第二导电孔,所述第一导电孔与所述发光单元(1)一一对应,所述第一电极(2)通过所述第一导电孔与相应所述电流扩展层(11)电连接,所述第二导电孔与所述第一焊盘(4)一一对应,用于与相应所述第一电极(2)电连接。
5.根据权利要求4所述的led集成芯片,其特征在于,所述发光单元(1)的侧面为阶梯状结构,所述第二型半导体层(14)呈条状结构间隔分布于所述衬底、外沿向外凸出...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭文平,邓群雄,韩奎,王顺荣,
申请(专利权)人:元旭半导体科技无锡有限公司,
类型:新型
国别省市:
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