【技术实现步骤摘要】
本申请涉及生物医学工程领域，尤其涉及一种低频正弦磁神经调控装置及相关产品。
技术介绍
1、随着生物医学和生物技术等领域的发展，磁神经调控技术在大脑疾病的治疗方面的应用越来越广泛。磁神经调控技术是一种通过交变电流产生的磁场，作用于受试者的中枢或外周神经系统，在受试者的中枢或外周神经系统产生电流脉冲，达到调节神经系统兴奋性、减轻或治疗疾病症状的效果的医疗技术。
2、磁神经调控对受试者的大脑产生的刺激通常分为高频刺激和低频刺激，高频刺激用于使受试者的大脑神经元产生兴奋，低频刺激用于抑制受试者的大脑神经元的兴奋性。当前的磁神经调控技术中，通常通过控制磁场线圈产生的高频磁场的通断来模拟低频刺激，且产生的磁场为静态磁场。而在实际大脑疾病的治疗中，低频正弦磁神经调控在抑制受试者的大脑神经元的兴奋性上具有较好的效果。
3、由于低频正弦磁神经调控装置的刺激强度均为提前设定的刺激强度，在对受试者进行低频正弦磁神经调控时，对受试者进行刺激时的刺激强度可能存在偏差，导致对受试者进行低频正弦磁神经调控的精度较低。
技术实现思路
1、为了解决现有技术中存在的上述问题，本申请实施例提供一种低频正弦磁神经调控装置及相关产品，通过检测磁场线圈产生的低频正弦磁场的磁场强度，确定受试者靶点区的诱发电场强度，当诱发电场强度与目标刺激强度不同时，通过电流生成电路向磁场线圈发送目标刺激强度对应的目标低频正弦刺激电流，提高了对受试者进行低频正弦磁神经调控的精度。
2、第一方面，本申请实施例提
3、对受试者的靶点区进行低频正弦磁神经调控时，所述中央控制单元，用于获取输入参数，所述输入参数包括：刺激强度比例和刺激参数；
4、基于所述刺激强度比例和刺激强度阈值，确定目标刺激强度；
5、基于所述目标刺激强度和所述刺激参数，通过所述电流生成电路向所述磁场线圈发送与所述目标刺激强度对应的初始低频正弦刺激电流；
6、所述磁场线圈，用于生成所述初始低频正弦刺激电流对应的低频正弦磁场；
7、所述磁场强度传感器，用于检测所述低频正弦磁场在所述靶点区的初始磁场强度；
8、所述中央控制单元，用于确定所述初始磁场强度在所述靶点区产生的诱发电场强度；若所述诱发电场强度与所述目标刺激强度不同，则基于所述目标刺激强度，确定所述磁场线圈的目标低频正弦刺激电流；通过所述电流生成电路向所述磁场线圈发送所述目标低频正弦刺激电流，以使所述磁场线圈产生的低频正弦磁场在所述靶点区所产生的诱发电场强度为所述目标刺激强度。
9、第二方面，本申请实施例提供一种低频正弦磁神经调控方法，所述方法应用于低频正弦磁神经调控装置，所述低频正弦磁神经调控装置包括：中央控制单元、电流生成电路、磁场线圈和磁场强度传感器；
10、所述方法包括：
11、对受试者的靶点区进行低频正弦磁神经调控时，获取输入参数，所述输入参数包括：刺激强度比例和刺激参数；
12、基于所述刺激强度比例和刺激强度阈值，确定目标刺激强度；
13、基于所述目标刺激强度和所述刺激参数，通过所述电流生成电路向所述磁场线圈发送与所述目标刺激强度对应的初始低频正弦刺激电流；
14、生成所述初始低频正弦刺激电流对应的低频正弦磁场；
15、检测所述低频正弦磁场在所述靶点区的初始磁场强度；
16、确定所述初始磁场强度在所述靶点区产生的诱发电场强度；若所述诱发电场强度与所述目标刺激强度不同，则基于所述目标刺激强度，确定所述磁场线圈的目标低频正弦刺激电流；通过所述电流生成电路向所述磁场线圈发送所述目标低频正弦刺激电流，以使所述磁场线圈产生的低频正弦磁场在所述靶点区所产生的诱发电场强度为所述目标刺激强度。
17、第三方面，本申请实施例提供一种电子设备，包括：处理器和存储器，所述处理器与所述存储器相连，所述存储器用于存储计算机程序，所述处理器用于执行所述存储器中存储的计算机程序，以使得所述电子设备执行如第二方面所述的方法。
18、第四方面，本申请实施例提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行以实现如第二方面所述的方法。
19、第五方面，本申请实施例提供一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括计算机程序，所述计算机程序被处理器执行以实现如第二方面所述的方法。
20、实施本申请实施例，具有如下有益效果：
21、本申请实施例中，在对受试者的靶点区进行低频正弦磁神经调控时，中央控制单元通过获取输入参数，包括刺激强度比例和刺激参数。然后，中央控制单元基于刺激强度比例和预先测定的刺激强度阈值，可以确定目标刺激强度。进一步地，中央控制单元基于目标刺激强度和刺激参数，可通过电流生成电路向磁场线圈发送与目标刺激强度对应的初始低频正弦刺激电流。接着，磁场线圈可生成初始低频正弦刺激电流对应的低频正弦磁场，通过磁场强度传感器检测低频正弦磁场在靶点区的初始磁场强度。中央控制单元可确定初始磁场强度在受试者的靶点区产生的诱发电场强度。若诱发电场强度与目标刺激强度不同，则基于目标刺激强度，确定磁场线圈的目标低频正弦刺激电流。最后，通过电流生成电路向磁场线圈发送目标低频正弦刺激电流，以使磁场线圈产生的低频正弦磁场在受试者的靶点区产生的诱发电场强度为目标刺激强度。由此，通过检测磁场线圈产生的低频正弦磁场的初始磁场强度，确定初始磁场强度在靶点区的诱发电场强度，从而可以在诱发电场强度与目标刺激强度不同时，将磁场线圈的初始低频正弦刺激电流调节为目标低频正弦刺激电流。基于此，在目标刺激强度与初始低频正弦刺激电流的对应关系提前测定的情况下，本申请的低频正弦磁神经调控装置可基于靶点区产生的诱发电场强度和目标刺激强度，动态调整磁场线圈的低频正弦刺激电流，从而使靶点区产生的诱发电场强度为目标刺激强度，提高了对受试者进行低频正弦磁神经调控的精度。
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1.一种低频正弦磁神经调控装置，其特征在于，所述低频正弦磁神经调控装置包括：中央控制单元、电流生成电路、磁场线圈和磁场强度传感器；
2.根据权利要求1所述的低频正弦磁神经调控装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的低频正弦磁神经调控装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的低频正弦磁神经调控装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的低频正弦磁神经调控装置，其特征在于，所述刺激参数包括：刺激频率、总刺激时长、单刺激时长和间隔时间；
6.根据权利要求5所述的低频正弦磁神经调控装置，其特征在于，所述低频正弦磁神经调控装置还包括电流传感器；
7.根据权利要求6所述的低频正弦磁神经调控装置，其特征在于，所述低频正弦磁神经调控装置还包括显示器；
8.根据权利要求1-7任一项所述的低频正弦磁神经调控装置，其特征在于，
9.一种电子设备，其特征在于，包括：处理器和存储器，所述处理器与所述存储器相连，所述存储器用于存储计算机程序，所述处理器用于执行所述存储器中存储的计算机程序，以使得所述电子设备
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行以实现以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种低频正弦磁神经调控装置，其特征在于，所述低频正弦磁神经调控装置包括：中央控制单元、电流生成电路、磁场线圈和磁场强度传感器；
2.根据权利要求1所述的低频正弦磁神经调控装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的低频正弦磁神经调控装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的低频正弦磁神经调控装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的低频正弦磁神经调控装置，其特征在于，所述刺激参数包括：刺激频率、总刺激时长、单刺激时长和间隔时间；
6.根据权利要求5所述的低频正弦磁神经调控装置，其特征在于，所述低频正弦...
【专利技术属性】
技术研发人员：白洋，冯珍，罗婷，
申请(专利权)人：南昌大学附属康复医院南昌大学第四附属医院，
类型：发明
国别省市：
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