【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制作半导体元件的方法，尤其是涉及一种整合高压元件、中压元件以及低压元件的方法。
技术介绍
1、以目前的半导体技术水准，业界已能将控制电路、存储器、低压操作电路以及高压操作电路及元件同时整合制作在单一芯片上，由此降低成本，同时提高操作效能，其中如垂直扩散金属氧化物半导体(vertical double-diffusion metal-oxide-semiconductor,vdmos)、绝缘栅极双载流子晶体管(insulated gate bipolar transistor,igbt)以及横向扩散金属氧化物半导体(lateral-diffusion metal-oxide-semiconductor,ldmos)等制作在芯片内的高压元件，由于具有较佳的切换效率(power switching efficiency)，因此又较常被应用。如熟悉该项技艺者所知，前述的高压元件往往被要求能够承受较高的击穿电压，并且能在较低的阻值下操作。
2、另外随着元件尺寸持续地缩小，现有平面式(planar)场效晶体管元件的发展已面临制作工艺上的极限。为了克服制作工艺限制，以非平面(non-planar)的场效晶体管元件，例如鳍状场效晶体管(fin field effect transistor,fin fet)元件来取代平面晶体管元件已成为目前的主流发展趋势。由于鳍状场效晶体管元件的立体结构可增加栅极与鳍状结构的接触面积，因此，可进一步增加栅极对于载流子沟道区域的控制，从而降低小尺寸元件面临的漏极引发能带降低(drai
3、然而随着元件尺寸持续缩小下现行高压元件与鳍状结构的整合上仍存在许多挑战，例如漏电流以及击穿电压的控制等等。因此，如何改良现有高压元件架构即为现今一重要课题。
技术实现思路
1、本专利技术一实施例揭露一种制作半导体元件的方法，其主要先提供一基底包含一高压区以及一中压区，然后形成一第一凹槽于该高压区，形成一第二凹槽于该第一凹槽旁并将该第一凹槽延伸以形成一第三凹槽，形成一第一浅沟隔离于该第二凹槽内以及一第二浅沟隔离于该第三凹槽内且第二浅沟隔离底表面低于第一浅沟隔离底表面，再形成一第一栅极结构于该第一浅沟隔离以及该第二浅沟隔离之间。
2、本专利技术另一实施例揭露一种半导体元件，其主要包含一基底包含一高压区以及一中压区、一第一浅沟隔离以及一第二浅沟隔离设于该高压区的该基底内且第二浅沟隔离底表面低于第一浅沟隔离底表面以及一第一栅极结构设于该第一浅沟隔离以及该第二浅沟隔离之间。
3、本专利技术又一实施例揭露一种半导体元件，其主要包含一基底具有一高压区以及一中压区，一第一浅沟隔离以及一第二浅沟隔离设于该中压区的该基底内以及一第一栅极介电层设于第一浅沟隔离以及第二浅沟隔离之间，其中靠近第一栅极介电层中央的第一厚度不同于靠近第一栅极介电层的第一边的第二厚度。
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1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的方法，还包含：
3.如权利要求2所述的方法，其中该第一浅沟隔离顶表面切齐该第三浅沟隔离顶表面。
4.如权利要求2所述的方法，其中该第三浅沟隔离包含左半部以及右半部且该右半部底表面低于该左半部底表面。
5.如权利要求4所述的方法，其中该第三浅沟隔离的该右半部底表面切齐该第二浅沟隔离底表面。
6.如权利要求4所述的方法，其中该第四浅沟隔离包含左半部以及右半部且该左半部底表面低于该右半部底表面。
7.如权利要求6所述的方法，其中该第四浅沟隔离的该左半部底表面切齐该第二浅沟隔离底表面。
8.如权利要求6所述的方法，其中该第三浅沟隔离的该右半部底表面切齐该第四浅沟隔离的该左半部底表面。
9.一种半导体元件，其特征在于，包含：
10.如权利要求9所述的半导体元件，还包含：
11.如权利要求10所述的半导体元件，其中该第一浅沟隔离顶表面切齐该第三浅沟隔离顶表面。
12.如权利要求10所述的半导
13.如权利要求12所述的半导体元件，其中该第三浅沟隔离的该右半部底表面切齐该第二浅沟隔离底表面。
14.如权利要求12所述的半导体元件，其中该第四浅沟隔离包含左半部以及右半部且该左半部底表面低于该右半部底表面。
15.如权利要求14所述的半导体元件，其中该第四浅沟隔离的该左半部底表面切齐该第二浅沟隔离底表面。
16.如权利要求14所述的半导体元件，其中该第三浅沟隔离的该右半部底表面切齐该第四浅沟隔离的该左半部底表面。
17.一种半导体元件，其特征在于，包含：
18.如权利要求17所述的半导体元件，其中该第一厚度小于该第二厚度。
19.如权利要求17所述的半导体元件，其中靠近该第一栅极介电层中央的第一厚度不同于靠近该第一栅极介电层的第二边的第二厚度。
20.如权利要求17所述的半导体元件，其中该第一厚度小于该第三厚度。
...【技术特征摘要】
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的方法，还包含：
3.如权利要求2所述的方法，其中该第一浅沟隔离顶表面切齐该第三浅沟隔离顶表面。
4.如权利要求2所述的方法，其中该第三浅沟隔离包含左半部以及右半部且该右半部底表面低于该左半部底表面。
5.如权利要求4所述的方法，其中该第三浅沟隔离的该右半部底表面切齐该第二浅沟隔离底表面。
6.如权利要求4所述的方法，其中该第四浅沟隔离包含左半部以及右半部且该左半部底表面低于该右半部底表面。
7.如权利要求6所述的方法，其中该第四浅沟隔离的该左半部底表面切齐该第二浅沟隔离底表面。
8.如权利要求6所述的方法，其中该第三浅沟隔离的该右半部底表面切齐该第四浅沟隔离的该左半部底表面。
9.一种半导体元件，其特征在于，包含：
10.如权利要求9所述的半导体元件，还包含：
11.如权利要求10所述的半导体元件，其中该第一浅沟隔离顶表面切齐该第三浅沟隔离顶表面。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈金宏，傅思逸，林毓翔，谢柏光，林家禾，黄圣尧，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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