【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种钝化接触太阳能电池的制备方法及钝化接触太阳能电池。
技术介绍
1、针对钝化接触太阳能电池而言，隧穿氧化层与掺杂多晶硅层形成良好的匹配，是钝化接触太阳能电池获得优良钝化性能和接触性能的关键。而隧穿氧化层的质量，会直接影响其与掺杂多晶硅层的匹配程度。目前，在通过石英舟承载硅片制备隧穿氧化层过程中，由于高温外延生长隧穿氧化层的均匀性受到温场和气场的共同影响，硅片靠近石英舟底部的区域，热量会被吸收一部分，并且由于石英舟的阻挡，硅片靠近石英舟底部的区域的氧气浓度也低于靠近石英舟顶部的区域的氧气浓度，综合来看，硅片从石英舟顶部到石英舟底部，生长的隧穿氧化层逐渐变薄，导致钝化接触性能优良的钝化接触太阳能电池的良品率较低，钝化接触太阳能电池仍然存在比较大的工艺改善空间。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种钝化接触太阳能电池的制备方法及钝化接触太阳能电池，改善了钝化接触太阳能电池的制备工艺，有效地提升了钝化接触性能优良的钝化接触太阳能电池的良品率。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术提供以下技术方案：
3、第一方面，本专利技术提供一种钝化接触太阳能电池的制备方法，包括：
4、步骤1、将硅片放置于石英舟内；
5、步骤2、通过热氧工艺在所述硅片的第一主表面上制备隧穿氧化层；
6、步骤3、控制所述插片机调换石英舟中所述硅片的方向；
7、步骤4、通过化学气相沉积方式，在所述隧穿氧化层上顺序层叠形成第一本征
8、步骤5、对所述第一本征多晶硅层和所述第二本征多晶硅层进行掺杂元素热扩散激活处理，形成第一掺杂多晶硅层和第二掺杂多晶硅层。
9、第二方面，本专利技术实施例提供一种钝化接触太阳能电池，包括：硅片、在硅片第一主表面层叠设置的隧穿氧化层、第一掺杂多晶硅层、阻挡层和第二掺杂多晶硅层，其中，
10、所述第一掺杂多晶硅层包含的掺杂元素类型和所述第二掺杂多晶硅层包含的掺杂元素类型一致；
11、所述第一掺杂多晶硅层的掺杂浓度低于所述第二掺杂多晶硅层的掺杂浓度。
12、上述专利技术的第一方面的技术方案具有如下优点或有益效果：
13、本专利技术实施例提供的制备方法，通过在制备隧穿氧化层后调整硅片的排列顺序，然后在调整后的硅片上顺序层叠形成第一本征多晶硅层、阻挡层和第二本征多晶硅层，使硅片上隧穿氧化层的较薄区域形成较厚的阻挡层，而具有隧穿氧化层的较厚区域上形成较薄的阻挡层，即通过隧穿氧化层的厚度与阻挡层的厚度相配合，通过隧穿氧化层的较厚区域搭配较薄的阻挡层，降低阻挡层阻挡掺杂元素的能力，使隧穿氧化层可以产生足够的针孔效应，而隧穿氧化层的较薄区域搭配较厚的阻挡层，提升阻挡掺杂元素扩散的能力，避免掺杂元素破坏隧穿氧化层，改善了钝化接触太阳能电池的制备工艺，有效地提升了钝化接触性能优良的钝化接触太阳能电池的良品率。
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1.一种钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤2包括：
3.根据权利要求1所述的钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤3包括：
5.根据权利要求1所述的钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤4包括：
6.根据权利要求1或5所述的钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，
7.根据权利要求1至5任一所述的钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤5包括：
8.根据权利要求1至5任一所述的钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，
10.一种钝化接触太阳能电池，其特征在于，包括：硅片(10)、在硅片(10)第一主表面层叠设置的隧穿氧化层(20)、第一掺杂多晶硅层(30)、阻挡层(40)和第二掺杂多晶硅层(50)，其中，
【技术特征摘要】
1.一种钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤2包括：
3.根据权利要求1所述的钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤3包括：
5.根据权利要求1所述的钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤4包括：
6.根据权利要求1或5所述的钝化接触太阳能电池的制备方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：戴晨东，于海斌，包祖健，
申请(专利权)人：晶澳扬州太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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