【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体结构的制备方法。尤其涉及一种包括一氮处理的制备方法以防止在一氧化材料的形期间发生圆弧角。
技术介绍
1、半导体元件用于各种电子应用，例如个人电脑、移动电话、数字相机以及其他电子设备。半导体元件通常通过在一半导体基底上依序沉积绝缘或介电层、导电层以及半导体材料层来制造，以及使用光刻而图案化各种材料层以在其上形成电路组件与元件。随着半导体产业在追求更高的元件密度、更高的效能以及更低的成本方面已经发展到先进的技术工艺节点，已经出现精确控制一元件的配置的挑战。
2、上文的“现有技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本专利技术的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一实施例提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括数个步骤。提供一基底，其中该基板包括多个柱体，且每一个柱体的ㄧ上表面是一大致平坦表面。在多个柱体上执行一氮化。一第一氧化层形成在与该多个柱体共形的该基底上。一第一介电层形成在多个柱体之间。暴露多个柱体的各该上表面。一第二介电层形成在该多个柱体上，其中该第二介电层的一上表面是一大致平坦表面。多个第一沟槽形成在该多个柱体中，以及多个第二沟槽形成在多个柱体之间的该第一介电层中。以一导电材料填充该多个第一沟槽与该多个第二沟槽以形成多个字元线接触点。
2、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，以使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公
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1.一种半导体结构的制备方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其中该第一介电层为一多层结构，以及该第一介电层的形成包括：
3.如权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其中该第一介电材料与该第二介电材料包括不同的介电材料。
4.如权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其中该第一介电材料包括氮化物，而该第二介电材料包括氧化物。
5.如权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其中移除该第一介电材料与该第二介电材料的多个所述部分包括：
6.如权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其中该第一操作包括一研磨操作，其对该第二介电材料具有一高选择性。
7.如权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其中该第二操作包括一研磨操作、一蚀刻操作或其组合，而该第二操作对该第一介电材料具有一高选择性。
8.如权利要求5所述的半导体结构的制备方法，还包括：
9.如权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其中该多个柱体的各该上表面则与该第一氧化层、该第一介电材料以及该第二介电材料的各上表面在该平坦化之后
10.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其中提供该基底包括：
11.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其中该第二介电层包括氮化物。
12.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，还包括：
13.如权利要求12所述的半导体结构的制备方法，其中该第二氧化层的制作技术包括一氧化。
14.如权利要求12所述的半导体结构的制备方法，其中该多个字元线接触点的多个上表面低于该第二氧化层的一上表面。
15.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其中该多个字元线接触点通过该第一氧化层而与该多个柱体分开。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其中该第一介电层为一多层结构，以及该第一介电层的形成包括：
3.如权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其中该第一介电材料与该第二介电材料包括不同的介电材料。
4.如权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其中该第一介电材料包括氮化物，而该第二介电材料包括氧化物。
5.如权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其中移除该第一介电材料与该第二介电材料的多个所述部分包括：
6.如权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其中该第一操作包括一研磨操作，其对该第二介电材料具有一高选择性。
7.如权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其中该第二操作包括一研磨操作、一蚀刻操作或其组合，而该第二操作对该第一介电材料具有一高选择性。
8.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：庄英政，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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