【技术实现步骤摘要】
本技术属于太阳能电池，具体涉及一种异质结电池。
技术介绍
1、异质结电池(hjt)是一种利用晶体硅片和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池，具有制备过程简单、工艺温度低、开路电压高、光电转换效率高、温度系数低等诸多优点，是目前应用最广的高效晶硅太阳能技术之一。
2、异质结电池受光面的tco层中由于寄生吸收而产生的光学损耗主要来自于短波吸收和自由载流子吸收，且tco层随着其导电性的增加而变得不透明，通过增加载流子浓度来提高其导电性都会增加其近红外光的吸收。此外，受光面的非晶硅层带隙较小也会产生严重的光学寄生吸收。传统量产的异质结电池的受光面和背光面为均为全面积钝化接触结构，其受光面的本征非晶硅层、掺杂非晶/微晶硅层和tco层存在大量的寄生吸收，短路电流密度(jsc)较低，限制了电池效率的提升。为了充分挖掘异质结电池的光电性能潜力，需尽量减少寄生吸收。
3、因此，针对上述技术问题，有必要提供一种异质结电池。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种异质结电池，以降低电池受光面对光的寄生吸收，提高电池效率。
2、为了实现上述目的，本技术一实施例提供的技术方案如下：
3、一种异质结电池，所述异质结电池包括硅片、第一钝化接触结构、第二钝化接触结构、第一电极及第二电极，所述硅片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一钝化接触结构包括依次层叠于部分第一表面上的第一本征层、第一掺杂层和第一透明导电层，所述第二钝化接触结构包括依次层叠于全部第二表面上的
4、一实施例中，所述第一表面包括第一区域和第二区域，所述第一钝化接触结构层叠于第一表面中第一区域上。
5、一实施例中，所述第一电极在第一表面上的投影位于第一区域内部或与第一区域重叠。
6、一实施例中，所述第一电极覆盖于全部或部分第一透明导电层上，所述第二电极覆盖于部分第二透明导电层上。
7、一实施例中，所述第一电极为栅线电极，包括多个沿第一方向分布的主栅线和/或多个沿第二方向分布的副栅线，所述第一区域包括多个沿第一方向分布的第一子区域和/或多个沿第二方向分布的第二子区域，其中，所述第一子区域的宽度大于或等于主栅线的宽度，所述第二子区域的宽度大于或等于副栅线的宽度。
8、一实施例中，所述异质结电池还包括层叠于全部或部分第一表面中第二区域上的减反层。
9、一实施例中，所述减反层为sinx减反层；和/或，
10、所述减反层的厚度为70nm～85nm；和/或，
11、所述减反层的折射率为1.9～2.1；和/或，
12、所述减反层的折射率由内向外逐渐减小。
13、一实施例中，所述硅片为n型掺杂或p型掺杂；和/或，
14、所述硅片的第一表面和/或第二表面上形成有陷光结构。
15、一实施例中，所述第一本征层为本征非晶硅层和/或本征微晶硅层；和/或，
16、所述第一本征层的厚度为5nm～8nm；和/或，
17、所述第一掺杂层为非晶硅层和/或微晶硅层，掺杂类型与硅片的掺杂类型相同；和/或，
18、所述第一掺杂层的厚度为28nm～35nm；和/或，
19、所述第二本征层为本征非晶硅层和/或本征微晶硅层；和/或，
20、所述第二本征层的厚度为5nm～8nm；和/或，
21、所述第二掺杂层为非晶硅层和/或微晶硅层，掺杂类型与硅片的掺杂类型反；和/或，
22、所述第二掺杂层的厚度为30nm～40nm。
23、一实施例中，所述第一透明导电层的厚度为80nm～100nm；和/或，
24、所述第二透明导电层的厚度为80nm～100nm；和/或，
25、所述第一透明导电层为ito透明导电层、vtto透明导电层、iwo透明导电层中的一种或多种的组合；和/或，
26、所述第二透明导电层为ito透明导电层、vtto透明导电层、iwo透明导电层中的一种或多种的组合。
27、与现有技术相比，本技术具有以下有益效果：
28、本技术中的异质结电池受光面为局部钝化接触结构，降低电池受光面透明导电层、本征层及掺杂层对光的寄生吸收，大幅提高了电池效率。
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1.一种异质结电池，其特征在于，所述异质结电池包括硅片、第一钝化接触结构、第二钝化接触结构、第一电极及第二电极，所述硅片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一钝化接触结构包括依次层叠于部分第一表面上的第一本征层、第一掺杂层和第一透明导电层，所述第二钝化接触结构包括依次层叠于全部第二表面上的第二本征层、第二掺杂层和第二透明导电层，所述第一电极与第一透明导电层电接触，所述第二电极与第二透明导电层电接触。
2.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述第一表面包括第一区域和第二区域，所述第一钝化接触结构层叠于第一表面中第一区域上。
3.根据权利要求2所述的异质结电池，其特征在于，所述第一电极在第一表面上的投影位于第一区域内部或与第一区域重叠。
4.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述第一电极覆盖于全部或部分第一透明导电层上，所述第二电极覆盖于部分第二透明导电层上。
5.根据权利要求2所述的异质结电池，其特征在于，所述第一电极为栅线电极，包括多个沿第一方向分布的主栅线和/或多个沿第二方向分布的副栅线，所述第一区域包括多
6.根据权利要求2所述的异质结电池，其特征在于，所述异质结电池还包括层叠于全部或部分第一表面中第二区域上的减反层。
7.根据权利要求6所述的异质结电池，其特征在于，所述减反层为SiNX减反层；和/或，
8.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述硅片为N型掺杂或P型掺杂；和/或，
9.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述第一本征层为本征非晶硅层和/或本征微晶硅层；和/或，
10.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述第一透明导电层的厚度为80nm～100nm；和/或，
...【技术特征摘要】
1.一种异质结电池，其特征在于，所述异质结电池包括硅片、第一钝化接触结构、第二钝化接触结构、第一电极及第二电极，所述硅片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一钝化接触结构包括依次层叠于部分第一表面上的第一本征层、第一掺杂层和第一透明导电层，所述第二钝化接触结构包括依次层叠于全部第二表面上的第二本征层、第二掺杂层和第二透明导电层，所述第一电极与第一透明导电层电接触，所述第二电极与第二透明导电层电接触。
2.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述第一表面包括第一区域和第二区域，所述第一钝化接触结构层叠于第一表面中第一区域上。
3.根据权利要求2所述的异质结电池，其特征在于，所述第一电极在第一表面上的投影位于第一区域内部或与第一区域重叠。
4.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述第一电极覆盖于全部或部分第一透明导电层上，所述第二电极覆盖于部分第二透明导电层上。
5.根据权利要求2所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张强，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：
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