光学补偿的单向掩模版弯曲器制造技术

本发明专利技术公开了一种光学补偿的单向掩模版弯曲器。由光刻设备提供的图案化的聚焦误差被光学地校正，该聚焦误差由被图案化的衬底的拓扑产生。通过基于衬底的已绘制的拓扑围绕扫描轴线弯曲掩模版而提供在交叉扫描方向上的聚焦控制。在扫描掩模版时，可以从域至域地更新弯曲。弯曲可以是单向的（例如，仅向下），但可以包括光学补偿元件（例如，抛光成圆柱形的透镜或反射镜或被力致动器弯曲成圆柱形的透明板或反射镜），用于将正或负的曲率（或没有曲率）引入到辐射束的波前上，从而简化了弯曲器的机械电子学设计。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要涉及光刻术，尤其涉及光刻聚焦控制设备和方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例 如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模 或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案 转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。 通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行 的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包 括所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一 个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向) 扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部 分。也能够以通过将图案压印(imprinting)到衬底的方式从图案形成装置将图案转移到 衬底上。在通过光刻术制造器件时，将辐射束聚焦控制到衬底上是极其重要的。聚焦控制 中的一个关键误差源是衬底(例如晶片)的固有不平坦性。如果衬底的局部拓扑被绘图且 是已知的，那么根据衬底的已绘制的拓扑通过沿垂直方向(“ζ-方向”)调整图案形成装置， 可以在扫描方向上部分地补偿这种不平坦性。然而，这无助于在非扫描方向(“χ-方向”) 上校正聚焦误差。还可以围绕平行于和垂直于扫描方向的轴线旋转图案形成装置，但这仅 部分地校正在X和y方向上的聚焦误差。由于这些原因，在X方向上的聚焦控制是重大的 挑战。在其它情形中，甚至图案形成装置自身的固有不平坦性可以将误差引入聚焦控制中。
技术实现思路
本专利技术的实施例涉及光刻设备的图案形成装置处理器。本专利技术的一个实施例提供 了光刻设备，该光刻设备包括用于支撑其上具有图案的图案形成装置的支撑结构。图案形 成装置构造和布置以将图案的至少一部分赋予入射的辐射束。支撑结构包括弯曲器，所述 弯曲器被构造和布置以弯曲图案形成装置。光刻设备包括设置在图案形成装置和衬底位置 之间的投影系统，该投影系统能够将来自图案形成装置的辐射束投影到位于衬底位置处的 衬底上。本专利技术的一个实施例提供了一种制造方法，该方法包括绘制衬底的拓扑，以与衬 底的已绘制的拓扑相关联的方式弯曲图案形成装置。该方法包括将辐射束引导到图案形成装置上；将图案的一部分赋予辐射束；和将来自图案形成装置的辐射束投影到衬底上。本专利技术的一个实施例提供包括程序指令的计算机可读介质，其在通过基于处理器 的控制系统来执行时，使得系统依照方法来控制光刻设备。所述方法包括绘制衬底的拓 扑，以与衬底的已绘制的拓扑相关联的方式用光刻设备的弯曲器来弯曲光刻设备的图案形 成装置，将辐射束引导到图案形成装置上，和用光刻设备的投影系统将来自图案形成装置 的辐射束投影到衬底上。本专利技术的一个实施例提供了用于在光刻设备中保持其上具有图案的给定的可弯 曲的图案形成装置的支撑结构。支撑结构包括被配置以基于衬底的拓已绘制的扑在第一方 向上弯曲图案形成装置的弯曲器，用于校正在图案形成装置将图案的至少一部分赋予入射 的辐射束时由被图案化的衬底的拓扑产生的聚焦误差。支撑结构被配置以在与第一方向相 反的第二方向上光学地补偿图案形成装置的弯曲。附图说明上述的
技术实现思路
阐述了许多，但不是本专利技术的全部方面。通过结合参考附图阅读 多个“实施例”的描述，本专利技术的其它方面对本专利技术所属
的技术人员来说是显而易 见的。在阐述下述的实施例时，通过示例的方式示出了本专利技术，但不是限制性的。附图中同 样的参考标记表示类似的元件。图1A和1B分别示出与本专利技术的一个实施例相一致的反射式和透射式的光刻设 备；图2是与本专利技术的一个实施例相一致的光刻单元的示意图；图3是与本专利技术的一个实施例相一致的晶片的示意图；图4是与本专利技术的一个实施例相一致的图案形成装置的侧视图；图5是与本专利技术的一个实施例相一致的在弯曲配置中的图3的图案形成装置的侧 视图；图6是与本专利技术的一个实施例相一致的具有线性致动器阵列的图案形成装置的 侧视图；图7是与本专利技术的一个实施例相一致的具有反作用框架和致动器的支撑结构的 俯视平面视图；图8是示出与本专利技术的一个实施例相一致的光学补偿元件的示意图；图9是与本专利技术的一个实施例相一致的被线性致动器弯曲的图案形成装置的侧 视图；图10是与本专利技术的一个实施例相一致的被剪切致动器弯曲的图案形成装置的侧 视图；图11是与本专利技术的一个实施例相一致的被另外的剪切致动器弯曲的图案形成装 置的侧视图；图12是与本专利技术的一个实施例相一致的被耦合到反作用框架上的剪切致动器弯 曲的图案形成装置的侧视图；图13是与本专利技术的一个实施例相一致的制造方法的流程图；图14是与本专利技术的一个实施例相一致的光刻设备的示意图15是示出与本专利技术的一个实施例相一致的在第一配置中的可调整的光学补偿 元件的示意图；图16是示出与本专利技术的一个实施例相一致的在第二配置中的可调整的光学补偿 元件的示意图；和图17是示出与本专利技术的一个实施例相一致的在第三配置中的可调整的光学补偿 元件的示意图。具体实施例方式如在附图中所示出的，现在将参考本专利技术几个优选的实施例对本专利技术进行详细描 述。在下述的描述中，为了提供对本专利技术的全面的理解，阐述了诸多具体细节。然而，在没 有一些或全部这些具体细节的情况下可以实施本专利技术，这对本领域技术人员来说是显而易 见的。在其它的情形中，为了防止不必要地导致本专利技术的晦涩，未对公知的工艺步骤进行详 细描述。同样地，示出系统的实施例的附图是半图式的和示意性的，并未按比例进行作图。 为了清楚的显示，一些尺寸被夸大。类似地，虽然为了便于描述，附图中的视图大致显示出类似的方向，但是对大部分 部件来说图中的这种描绘是任意性的。可以在除了如所示出的情况之外的方向上操作所示 出的设备。另外，在为了清楚和便于显示、描述和其解释，公开了和描述了具有共同的一些 特征的多个实施例的情形中，彼此类似和相同的特征通常用相同的参考标记进行描述。图IA和IB分别示意地示出了光刻设备100和光刻设备100’。光刻设备100和 光刻设备100’每个包括照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B (例如，深紫外 (DUV)辐射或极紫外(EUV)辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，其被配置用于支撑图案形成 装置(例如掩模、掩模版或动态的图案形成装置)MA，并与配置用于精确地定位图案形成装 置MA的第一定位装置PM相连；和衬底台(例如，晶片台)WT，其被配置以保持衬底(例如 涂覆有抗蚀剂的晶片)W并与配置用于精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连。光刻设 备100和光刻设备100’还具有投影系统PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束 B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。在光刻设备100中， 图案形成装置MA和投影系统PS是反射性的，在光刻设备100’中，图案形成装置MA和投影 系统PS是透射性的。照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁 型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射B。支撑结构MT以依赖于图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括图案形成装置处理器的光刻设备，所述光刻设备包括：支撑结构，所述支撑结构配置以支撑其上具有图案的给定的图案形成装置，所述图案形成装置被配置以将所述图案的至少一部分赋予入射的辐射束，所述支撑结构包括被配置以弯曲所述图案形成装置的弯曲器；和投影系统，所述投影系统设置在所述图案形成装置和衬底位置之间，所述投影系统能够将来自所述图案形成装置的所述辐射束投影到位于所述衬底位置处的衬底上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：圣地亚哥E德尔普埃尔托，
申请(专利权)人：ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]