【技术实现步骤摘要】
本公开一般涉及电子器件和电路。本公开更具体地涉及电压转换器电路，并且更具体地涉及包括晶闸管的三端双向可控硅开关(triac)的电压转换器电路。
技术介绍
1、功率转换，并且特别是ac电压到另一ac电压或dc电压的转换，是恒定发展和恒定增长的
2、希望至少部分地改善已知电压转换器电路的某些方面，特别是包括三端双向可控硅开关或晶闸管的转换器电路。
技术实现思路
1、需要一种更有效的三端双向可控硅开关的控制电路。
2、需要一种更有效的晶闸管控制电路。
3、需要一种更有效的转换器电路。
4、需要一种更有效的用于电动机的电源电路。
5、一个实施例解决了三端双向可控硅开关的已知控制电路的全部或一些缺点。
6、一个实施例解决了晶闸管的已知控制电路的全部或一些缺点。
7、一个实施例解决了已知电压转换器电路的全部或一些缺点。
8、一个实施例解决了已知用于电动机的电源电路的全部或一些缺点。
9、一个实施例提供了一种三端双向可控硅开关或晶闸管的控制电路，该三端双向可控硅开关或晶闸管的驱动参考端子连接到第一参考节点并且耦合到电压整流器，该电压整流器包括连接在该控制电路的第一参考节点与第二参考节点之间的至少一个半导体器件，该控制电路包括：
10、第一双极型晶体管；
11、第一晶体管的驱动电路，以第二参考节点为参考。
12、根据一个实施例，当控制电路是三端双
13、根据一个实施例，当控制电路是晶闸管控制电路时，所述第一晶体管是pnp型双极晶体管。
14、根据一个实施例，所述半导体器件是其阳极连接到第一参考输入节点的第一二极管。
15、根据一个实施例，所述半导体器件是mos型晶体管。
16、根据实施例，所述半导体器件是包括与二极管反并联连接的igbt型晶体管或反向导通igbt型晶体管的组件。
17、根据一个实施例，当控制电路是三端双向可控硅开关控制电路时，驱动电路包括将所述双极晶体管的基极耦合到所述晶体管的第一导通端子的齐纳型二极管。
18、根据一个实施例，该电路是两个三端双向可控硅开关或者一个晶闸管和一个三端双向可控硅开关的控制电路。
19、根据一个实施例，所述电路被配置为由处理器控制。
20、另一实施例提供了一种将第一ac电压转换为第二电压的转换器，包括至少一个三端双向可控硅开关或晶闸管以及至少一个根据权利要求1至9中任一项所述的所述双向晶闸管或晶闸管的控制电路。
21、根据一个实施例，转换器还包括电压整流器组件。
22、根据一个实施例，所述组件包括第一输入节点和第二参考输入节点，ac电压被施加在它们之间。
23、根据实施例，转换器还包括功率因数校正电路。
24、另一个实施例提供了一种提供三相电压的电动机的电源电路，包括前述的转换器。
25、根据一个实施例，电源电路还包括被配置为驱动所述控制电路的处理器。
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1.一种电路，包括：
2.根据权利要求1所述的电路，其中当所述至少一个控制电路是三端双向可控硅开关控制电路时，所述第一双极晶体管是NPN型双极晶体管。
3.根据权利要求2所述的电路，其中当所述至少一个控制电路是晶闸管控制电路时，所述第一双极晶体管是PNP型双极晶体管。
4.根据权利要求1所述的电路，其中所述半导体器件是第一二极管，所述第一二极管的阳极被连接到所述第二参考输入节点。
5.根据权利要求1所述的电路，其中所述半导体器件是MOS型晶体管。
6.根据权利要求1所述的电路，其中所述半导体器件是包括IGBT型晶体管或第二反向导通IGBT型晶体管的组件，所述IGBT型晶体管与二极管反并联连接。
7.根据权利要求1所述的电路，其中，当所述至少一个控制电路是三端双向可控硅开关控制电路时，所述驱动电路包括齐纳型二极管，所述齐纳型二极管将所述第一双极晶体管的基极耦合到所述第一双极晶体管的第一导通端子。
8.根据权利要求1所述的电路，其中所述至少一个控制电路是至少两个三端双向可控硅开关或一个晶闸管和至少一个
9.根据权利要求1所述的电路，其中所述至少一个控制电路被配置为由处理器控制。
10.根据权利要求1所述的电路，其中所述组件包括第一输入节点和第二参考输入节点，AC电压被施加在所述第一输入节点与所述第二参考输入节点之间。
11.根据权利要求1所述的电路，还包括功率因数校正电路。
12.根据权利要求1所述的电路，其中第三二极管被串联耦合在所述三端双向可控硅开关或所述晶闸管的栅极与所述三端双向可控硅开关或所述晶闸管的所述至少一个控制电路的所述第一晶体管的集电极之间。
13.根据权利要求10所述的电路，其中所述AC电压是三相AC电压。
14.一种提供三相电压的电动机电源电路，包括根据权利要求1所述的电路。
15.根据权利要求14所述的电源电路，还包括处理器，所述处理器被配置为驱动所述至少一个控制电路。
...【技术特征摘要】
1.一种电路，包括：
2.根据权利要求1所述的电路，其中当所述至少一个控制电路是三端双向可控硅开关控制电路时，所述第一双极晶体管是npn型双极晶体管。
3.根据权利要求2所述的电路，其中当所述至少一个控制电路是晶闸管控制电路时，所述第一双极晶体管是pnp型双极晶体管。
4.根据权利要求1所述的电路，其中所述半导体器件是第一二极管，所述第一二极管的阳极被连接到所述第二参考输入节点。
5.根据权利要求1所述的电路，其中所述半导体器件是mos型晶体管。
6.根据权利要求1所述的电路，其中所述半导体器件是包括igbt型晶体管或第二反向导通igbt型晶体管的组件，所述igbt型晶体管与二极管反并联连接。
7.根据权利要求1所述的电路，其中，当所述至少一个控制电路是三端双向可控硅开关控制电路时，所述驱动电路包括齐纳型二极管，所述齐纳型二极管将所述第一双极晶体管的基极耦合到所述第一双极晶体管的第一导通端子。
8.根据权利要求...
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