【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及无功补偿，尤其涉及一种双控无涌流峰值过零高速投切可控硅开关的实现方法。
技术介绍
1、目前，无功补偿投切方式主要有接触器投切、可控硅投切和复合开关投切电容器的补偿方式。但接触器投切速度慢且容易产生冲击电流，触点发生黏连；复合开关投切对电流变化率敏感，过流的承受能力有限；而可控硅投切相比较以上两种方式，具有投切速度更快，过零投切无涌流的优势。
2、虽然可控硅开关在投切速度、过流承受力和控制涌流方面相对其他两种方式有明显的优势，但选用不同类型的可控硅仍存在一些问题。可控硅开关通常选用双向可控硅或者由可控硅和二极管反并联连构成的单向可控硅。双向可控硅开关具有合闸无涌流的优势，但重复投切速度相对较慢，一般大于100ms，不能满足特定场合要求；正常情况，其电压过零投切是基于可控硅上下端电压为零时，触发投入，电流都在合理范围内，但当电路中有强干扰、谐波严重时，会导致可控硅误导通，这时可产生高达50-100倍额定电流的涌流，烧毁可控硅。单向可控硅开关具有预充电的特性，可控制在峰值过零时投入电容器，有效降低了干扰和误触发的可能性，也缩短了重复投切响应时间，可在20ms左右，其缺点是容易产生合闸涌流，损坏可控硅。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种双控无涌流峰值过零高速投切可控硅开关的实现方法，此方法的可控硅开关采用两个双向可控硅，开关合闸后，控制主板给触发信号让双向可控硅过零单边导通，使电容器充电，并保持电容器电压在峰值电压附近，实现单向可控硅的功能。这种方法
2、为了实现以上目的，本专利技术采用的技术方案为，一种双控无涌流峰值过零高速投切可控硅开关的实现方法，其特征在于，包括以下步骤：
3、s1. 所述可控硅开关由两个双向可控硅、散热器、控制主板及外壳构成；两个双向可控硅串联接入电网三相中的两相，下面连接三相电容器，当三相电源主回路合闸后，控制主板检测可控硅两端电压，当两端电压为零时，控制主板对双向可控硅的其中充电控制极发出触发脉冲信号，让可控硅单边导通，对电容器充电到峰值电压；
4、s2. 当电容器充电达到峰值电压后，可控硅开关处在待机状态，并保持在峰值电压附近，当控制主板接收外部投入命令后，检测可控硅两端电压，当两端电压差值接近零时，此时电压在峰值，控制主板对双向可控硅的投切控制极发出触发脉冲信号，让可控硅过零全导通，电容器投入工作；
5、s3. 当控制主板接收外部切除命令后，控制主板停止投切控制极的触发脉冲信号，让可控硅单边电流过零时关断，电容器切除，并保持单边充电在电容器峰值电压附近，等待下一次投切信号以实现高速无涌流峰值过零投切电容器；
6、以上方法实现了可控硅开关合闸无涌流，峰值电压过零点，高速重复投切电容器的功能。
7、本专利技术的有益效果是，在二控三双向可控硅开关投切电容器时，既避免了合闸涌流，又可在20ms左右无涌流峰值电压过零点高速重复投切电容器的功能，并且大大减少了电网中谐波对开关的干扰误触发产生损坏开关。
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1.一种双控无涌流峰值过零高速投切可控硅开关的实现方法，其特征在于，包括以下步骤：
【技术特征摘要】
1.一种双控无涌流峰值过零高速投切可控硅开...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘熙雯，
申请(专利权)人：深圳市友邦怡电气技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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