【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池制造，尤其涉及一种太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
1、现有的异质结电池两面均设置有钝化层，并通过在钝化层外侧分别掺杂不同类型的掺杂因子（一侧掺杂硼元素，一侧掺杂活性磷元素），使得硅膜层的能级发生弯曲，实现载流子的导通。具体来说，在掺杂活性磷元素的一侧价带向下弯曲，便于从硅基体内部提取电子，同时还会排斥少数载流子空穴，而在掺杂硼元素的一侧向上弯曲价带向上弯曲，以便于从硅基体内提取空穴，同时排斥电子，从而实现异质结电池的载流子双向分离与导通。
2、但是，由于钝化层本身对太阳光存在一定的吸收能力，尤其是位于异质结电池受光面一侧的钝化层，会吸收大量光线，对电池的电流和光电转换效率产生一定的影响，因此，亟需一种可以降低硅基体正面钝化层对太阳光线吸收的异质结电池结构。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术实施例提供一种太阳能电池及其制备方法，通过在硅基体厚度方向一侧的钝化非晶硅层中添加碳元素和/或氮元素，有效降低对太阳光线的吸收，同时在钝化非晶硅层外侧设置掺杂有活性磷元素的层叠结构掺杂层，提高异质结电池中活性磷的浓度，避免由于添加在钝化非晶硅层中添加碳元素和/或氮元素所导致的导电性下降的问题，保证了太阳能电池整体的导电效果。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术提供以下技术方案：
3、第一方面，本专利技术提供一种太阳能电池，包括：硅基体；在所述硅基体的厚度方向一侧由内至外层叠设置有钝化非晶硅层和叠层结构掺杂层；其中，所述钝化非晶
4、第二方面，本专利技术提供一种太阳能电池的制备方法，包括：步骤1，在硅基体的第一主表面制备包含有碳元素和/或氮元素的钝化非晶硅层；步骤2，在所述钝化非晶硅层上制备叠层结构掺杂层；其中，所述叠层结构掺杂层包括由内至外叠层设置的过渡非晶硅膜层、磷掺杂晶硅层、磷掺杂非晶硅层。
5、上述专利技术的第一方面的技术方案具有如下优点或有益效果：通过在硅基体厚度方向一侧的钝化非晶硅层中添加碳元素和/或氮元素，有效降低对太阳光线的吸收，同时在钝化非晶硅层外侧设置掺杂有活性磷元素的层叠结构掺杂层，提高异质结电池中活性磷的浓度，避免由于添加在钝化非晶硅层中添加碳元素和/或氮元素所导致的导电性下降的问题，保证了太阳能电池整体的导电效果。
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1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化非晶硅层（2）包括：
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述磷掺杂晶硅层（32）包括：
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，
7.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，
8.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一磷掺杂晶硅层（321）与所述过渡非晶硅膜层（31）邻接的部分区域中碳元素和/或氮元素浓度以及氧元素浓度沿厚度方向递增；
9.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述步骤2包括：
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化非晶硅层（2）包括：
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述磷掺杂晶硅层（32）包括：
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈孝业，张泽宁，张俊兵，
申请(专利权)人：晶澳扬州太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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