【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及层叠基板。
技术介绍
1、在各种基底基板上外延生长有氮化镓(gan)层的层叠基板作为用于制作半导体装置的材料使用(例如参照专利文献1)。为了提高半导体装置的生产效率，正在推进层叠基板的大径化。作为添加到gan层的n型杂质，使用了硅(si)。
2、详细内容如后所述，本专利技术人针对直径大、添加的si浓度低且gan层厚的层叠基板进行了研究，结果发现，容易产生gan层中的si浓度分布的面内不均匀性(具体而言，在gan层的外周侧si浓度变高这样的不均匀性)。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2018-199601号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本专利技术的一个目的在于，提供抑制了由gan层中的si浓度分布的面内不均匀性引起的n型载流子浓度的面内不均匀性的层叠基板。
3、用于解决问题的方案
4、根据本专利技术的一个方式，提供一种层叠基板，其具备：
5、基底基板；以及
6、氮化镓层，其在所述基底基板的上方外延生长且由添加有硅的氮化镓构成，
7、所述氮化镓层具有半径50mm以上的上表面，
8、所述氮化镓层的厚度为4μm以上，
9、所述氮化镓层的所述上表面的硅浓度具有如下分布：相对于所述上表面的中心处的中心硅浓度，距所述上表面的边缘为10mm的径向位置处的外周硅浓度高，
10、所述中心硅
11、所述氮化镓层的所述上表面的碳浓度具有如下分布：相对于所述上表面的中心处的中心碳浓度，距所述上表面的边缘为10mm的径向位置处的外周碳浓度高。
12、专利技术的效果
13、本专利技术提供抑制了由gan层中的si浓度分布的面内不均匀性引起的n型载流子浓度的面内不均匀性的层叠基板。
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1.一种层叠基板，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的层叠基板，其中，在所述氮化镓层中，在距所述上表面的边缘为10mm的径向位置处的、距所述上表面为规定的深度位置处，存在碳浓度比所述上表面的所述外周碳浓度低的区域。
3.根据权利要求1或2所述的层叠基板，其中，在所述氮化镓层中，在距所述上表面的边缘为10mm的径向位置处的、距所述上表面为规定的深度位置处，存在硅浓度比所述上表面的所述外周硅浓度低的区域。
4.根据权利要求1或2所述的层叠基板，其中，所述氮化镓层的所述上表面的硅浓度具有如下分布：距所述上表面的中心为30mm的径向位置处的中间硅浓度比所述中心硅浓度高且比所述外周硅浓度低。
5.根据权利要求1或2所述的层叠基板，其中，所述氮化镓层的所述上表面的碳浓度具有如下分布：距所述上表面的中心的距离为30mm的径向位置处的中间碳浓度比所述中心碳浓度高且比所述外周碳浓度低。
【技术特征摘要】
1.一种层叠基板，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的层叠基板，其中，在所述氮化镓层中，在距所述上表面的边缘为10mm的径向位置处的、距所述上表面为规定的深度位置处，存在碳浓度比所述上表面的所述外周碳浓度低的区域。
3.根据权利要求1或2所述的层叠基板，其中，在所述氮化镓层中，在距所述上表面的边缘为10mm的径向位置处的、距所述上表面为规定的深度位置处，存在硅浓度比所述上表面的所述外...
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