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利用使用纳米孪晶铜的直接接合的微电子组件制造技术

技术编号:43031809 阅读:0 留言:0更新日期:2024-10-18 17:33
本文公开了利用使用纳米孪晶铜(NTC)的直接接合的微电子组件。示例微电子组件可以包括第一微电子部件以及通过直接接合(DB)区域耦合到第一微电子部件的第二微电子部件,其中DB合区域包括DB触点,所述DB触点包括具有不同微观结构的第一部分和第二部分。第一部分在第一微电子部件与第二部分之间。第二部分在第一部分与第二微电子部件之间。在一些实施方式中,第一部分具有非柱状微观结构,并且第二部分具有柱状微观结构。在一些实施方式中,第一部分的小于约40%的晶粒具有<111>取向,并且第二部分的至少约50%的晶粒具有<111>取向。在一些实施例中,第一部分包括PCC或FGC,并且第二部分包括NTC。

【技术实现步骤摘要】


技术介绍

1、集成电路(ic)封装通常包括引线接合或焊接到封装衬底的管芯。在使用中,电信号和电力通过引线接合或焊料在封装衬底和管芯之间传递。


技术实现思路

【技术保护点】

1.一种微电子组件,包括:

2.根据权利要求1所述的微电子组件,其中,具有不同微观结构的所述第一部分和所述第二部分包括具有不同晶粒取向的所述第一部分和所述第二部分。

3.根据权利要求1所述的微电子组件,其中,所述第二部分的至少约50%的晶粒具有<111>取向,并且所述第一部分的小于约40%的晶粒具有所述<111>取向。

4.根据权利要求1所述的微电子组件,其中,所述第一部分的晶粒具有基本上随机的取向。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件,其中,所述第二部分具有柱状微观结构,并且所述第一部分具有非柱状微观结构。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件,其中,具有不同微观结构的所述第一部分和所述第二部分包括具有不同平均晶粒尺寸的所述第一部分和所述第二部分。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件,其中,所述第二部分中的晶粒的平均晶粒长度为至少约1微米,并且其中,所述第二部分中的晶粒的平均晶粒宽度比所述平均晶粒长度小至少20%。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件,其中,所述第二部分包括纳米孪晶铜,并且其中,所述第一部分包括除所述纳米孪晶铜之外的导电材料。

9.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件,其中,所述第一部分的厚度为至少约400纳米,并且其中,所述第二部分的厚度小于约300纳米。

10.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件,其中,所述直接接合触点还包括第三部分,所述第二部分在所述第一部分与所述第三部分之间,并且所述第一部分和所述第三部分具有基本相同的微观结构。

11.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件,其中,所述直接接合触点还包括第三部分,所述第二部分在所述第一部分与所述第三部分之间,并且所述第二部分和所述第三部分具有不同的微观结构。

12.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件,其中,所述直接接合区域还包括直接接合电介质,所述直接接合电介质包括第一部分和第二部分,所述直接接合电介质的所述第一部分在所述第一微电子部件与所述直接接合电介质的所述第二部分之间,并且所述直接接合电介质的所述第一部分中的碳的原子百分比低于所述直接接合电介质的所述第二部分中的碳的原子百分比。

13.根据权利要求12所述的微电子组件,其中,所述直接接合电介质的所述第一部分中的碳的原子百分比低于25%,并且其中,所述直接接合电介质的所述第二部分中的碳的原子百分比高于25%。

14.根据权利要求12所述的微电子组件,其中,所述直接接合电介质的所述第一部分的厚度为至少300纳米,并且其中,所述直接接合电介质的所述第二部分的厚度小于300纳米。

15.根据权利要求12所述的微电子组件,其中,所述直接接合电介质还包括硅和氮。

16.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件,其中,所述第一微电子部件是管芯,并且所述第二微电子部件是另外的管芯、中介层、封装衬底或电路板中的一个。

17.一种微电子组件,包括:

18.根据权利要求17所述的微电子组件,还包括在所述第一微电子部件与所述第二微电子部件之间的直接接合电介质,其中:

19.一种微电子组件,包括:

20.根据权利要求19所述的微电子组件,还包括在所述第一微电子部件与所述第二微电子部件之间的直接接合电介质,其中:

...

【技术特征摘要】

1.一种微电子组件,包括:

2.根据权利要求1所述的微电子组件,其中,具有不同微观结构的所述第一部分和所述第二部分包括具有不同晶粒取向的所述第一部分和所述第二部分。

3.根据权利要求1所述的微电子组件,其中,所述第二部分的至少约50%的晶粒具有<111>取向,并且所述第一部分的小于约40%的晶粒具有所述<111>取向。

4.根据权利要求1所述的微电子组件,其中,所述第一部分的晶粒具有基本上随机的取向。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件,其中,所述第二部分具有柱状微观结构,并且所述第一部分具有非柱状微观结构。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件,其中,具有不同微观结构的所述第一部分和所述第二部分包括具有不同平均晶粒尺寸的所述第一部分和所述第二部分。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件,其中,所述第二部分中的晶粒的平均晶粒长度为至少约1微米,并且其中,所述第二部分中的晶粒的平均晶粒宽度比所述平均晶粒长度小至少20%。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件,其中,所述第二部分包括纳米孪晶铜,并且其中,所述第一部分包括除所述纳米孪晶铜之外的导电材料。

9.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件,其中,所述第一部分的厚度为至少约400纳米,并且其中,所述第二部分的厚度小于约300纳米。

10.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件,其中,所述直接接合触点还包括第三部分,所述第二部分在所述第一部分与所述第三部分之间,并且所述第一部分和所述第三部分具有基本相同的微观结构。

11.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:V·奇丹巴拉姆J·布尔克Z·邹
申请(专利权)人:英特尔公司
类型:发明
国别省市:

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