System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 存储器件及其运行方法技术_技高网

存储器件及其运行方法技术

技术编号:43031807 阅读:6 留言:0更新日期:2024-10-18 17:33
本公开涉及包括均具有多个存储单元的多个行的存储器件及其操作方法。一种示例方法包括:从存储器控制器接收第一行的激活命令;从所述第一行的每行锤击跟踪(PRHT)区域读取第一计数;更新所述第一计数以生成第一更新计数;将所述第一更新计数与第一阈值和第二阈值之一进行比较以生成比较结果,其中,当所述第一行是与给定行相邻的行时将所述第一更新计数与所述第一阈值进行比较,而当所述第一行不与所述给定行相邻时将所述第一更新计数与所述第二阈值进行比较;基于所述比较结果输出目标行地址;以及对与所述目标行地址相对应的行执行行锤击缓解操作。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种存储器件(诸如半导体器件)及其运行方法。


技术介绍

1、半导体存储器被分类为诸如静态随机存取存储器(sram)或动态随机存取存储器(dram)的易失性存储器和诸如闪存、相变ram(pram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)或铁电ram(fram)的非易失性存储器,所述易失性存储器在断电时丢失存储在其中的数据,所述非易失性存储器即使在断电时也保持存储在其中的数据。

2、dram正在被广泛地用作移动装置或计算机装置的系统存储器。dram包括与多条字线连接的多个存储单元。dram通过响应于从存储器控制器接收到的激活命令来激活选定字线而执行各种操作。当特定字线被频繁地访问时,存储在与特定字线相邻的字线的存储单元中的数据可能丢失。此现象被称作“行锤击(row hammer)”并且可以用于对计算装置进行恶意攻击,或者可能在小型化dram中引起可靠性问题。


技术实现思路

1、在一些实现方式中,一种存储器件的运行方法,所述存储器件包括多个行,每个行包括多个存储单元,所述运行方法包括:从存储器控制器接收所述多个行中的第一行的激活命令;从所述第一行的每行锤击跟踪(prht)区域读取第一计数;更新所述第一计数以生成第一更新计数;基于所述第一行和给定行将所述第一更新计数与第一阈值和大于所述第一阈值的第二阈值之一进行比较以生成比较结果,其中,当所述第一行是与所述给定行相邻的行时将所述第一更新计数与所述第一阈值进行比较,而当所述第一行不与所述给定行相邻时将所述第一更新计数与所述第二阈值进行比较;基于所述比较结果输出与所述第一行相对应的目标行地址;以及对与所述目标行地址相对应的行执行行锤击缓解操作。

2、在一些实现方式中,一种存储器件的运行方法包括:通过对第一行的激活次数进行计数来生成第一计数,其中,所述第一行包括多个第一存储单元;当所述第一计数达到第一阈值时,对第一相邻行执行行锤击缓解操作,所述第一相邻行与所述第一行相邻;通过对第二行的激活次数进行计数来生成第二计数,其中,所述第二行包括多个第二存储单元;以及当所述第二计数达到小于所述第一阈值的第二阈值时,对第二相邻行执行所述行锤击缓解操作,所述第二相邻行与所述第二行相邻。

3、在一些实现方式中,一种存储器件包括:第一正常存储单元,所述第一正常存储单元连接到第一字线连接并且被配置为存储用户数据;第一每行锤击跟踪(prht)存储单元,所述第一prht存储单元连接到所述第一字线并且被配置为存储指示所述第一字线的激活次数的第一计数;输入/输出电路,所述输入/输出电路通过多条位线连接到所述第一正常存储单元和所述第一prht存储单元;存储器电路,所述存储器电路被配置为存储关于牺牲行地址的信息;prht逻辑电路,所述prht逻辑电路被配置为在所述第一字线被激活时从所述输入/输出电路接收所述第一计数,更新所述第一计数以生成第一更新计数,将所述第一更新计数与阈值进行比较,并且将与所述第一字线相邻的第二字线的行地址作为目标行地址输出;以及刷新管理电路,所述刷新管理电路被配置为基于所述目标行地址针对所述第二字线执行刷新操作,其中,所述prht逻辑电路基于关于所述弱牺牲行地址的信息调整所述阈值。

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【技术保护点】

1.一种存储器件的运行方法,所述存储器件包括多个行,每个行包括多个存储单元,所述运行方法包括:

2.根据权利要求1所述的运行方法,所述运行方法还包括:

3.根据权利要求1所述的运行方法,其中,对与所述目标行地址相对应的所述行执行所述行锤击缓解操作包括:

4.根据权利要求1所述的运行方法,所述运行方法还包括:

5.根据权利要求1所述的运行方法,其中,基于所述比较结果输出与所述第一行相对应的所述目标行地址包括:

6.根据权利要求1所述的运行方法,其中,所述给定行是基于存储在所述存储器件的熔丝阵列中的地址来确定的。

7.根据权利要求1所述的运行方法,其中,所述第一行的所述多个存储单元当中的至少一个存储单元存储有指示所述第一行是所述给定行的信息。

8.根据权利要求7所述的运行方法,其中,所述至少一个存储单元被包括在保留区域中。

9.一种存储器件的运行方法,所述运行方法包括:

10.根据权利要求9所述的运行方法,其中,所述多个第二存储单元与所述多个第一存储单元相比具有较弱的单元强度。

11.根据权利要求9所述的运行方法,所述运行方法还包括:

12.根据权利要求11所述的运行方法,其中,所述至少一个第一存储单元和所述至少一个第二存储单元连接到同一位线。

13.根据权利要求11所述的运行方法,所述运行方法还包括:

14.根据权利要求11所述的运行方法,所述运行方法还包括:

15.根据权利要求9所述的运行方法,所述运行方法还包括:

16.一种存储器件,所述存储器件包括:

17.根据权利要求16所述的存储器件,其中,所述存储器电路是熔丝阵列,所述熔丝阵列被配置为:进一步存储用于修复操作的故障行地址。

18.根据权利要求16所述的存储器件,其中,存储在所述存储器电路中的关于所述弱牺牲行地址的信息通过所述输入/输出电路被发送到存储器控制器。

19.根据权利要求17所述的存储器件,其中,所述PRHT逻辑电路包括:

20.根据权利要求17所述的存储器件,其中,所述PRHT逻辑电路包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种存储器件的运行方法,所述存储器件包括多个行,每个行包括多个存储单元,所述运行方法包括:

2.根据权利要求1所述的运行方法,所述运行方法还包括:

3.根据权利要求1所述的运行方法,其中,对与所述目标行地址相对应的所述行执行所述行锤击缓解操作包括:

4.根据权利要求1所述的运行方法,所述运行方法还包括:

5.根据权利要求1所述的运行方法,其中,基于所述比较结果输出与所述第一行相对应的所述目标行地址包括:

6.根据权利要求1所述的运行方法,其中,所述给定行是基于存储在所述存储器件的熔丝阵列中的地址来确定的。

7.根据权利要求1所述的运行方法,其中,所述第一行的所述多个存储单元当中的至少一个存储单元存储有指示所述第一行是所述给定行的信息。

8.根据权利要求7所述的运行方法,其中,所述至少一个存储单元被包括在保留区域中。

9.一种存储器件的运行方法,所述运行方法包括:

10.根据权利要求9所述的运行方法,其中,所述多个第二存储单元与所述多个...

【专利技术属性】
技术研发人员:金东河高兑京金度翰
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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