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【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及激光器的可饱和吸收体,具体涉及可饱和吸收体,可饱和吸收体的制备方法以及光纤激光器。
技术介绍
1、可饱和吸收体(sa)是一种透射率与光强相关的器件,其可用在激光腔中,作为产生超短脉冲的核心部件。可饱和吸收体的工作原理是其由于激光腔中的光强而发生对光的选择性吸收的变化,而这一变化又引起腔内光的变化。具体例如,当光强增加,可饱和吸收体的光吸收下降,即其将低强度的光吸收,而在光强足够高时让其通过,从而使光积累以产生序列脉冲。由此生成具有快重复和短脉冲的锁模激光,这对于诸如医疗、军事、微加工以及化学反应等各种应用而言都是有利的。
2、目前常用的是半导体可饱和吸收镜(sesam),其基本结构是反射镜与半导体可饱和吸收体的结合。由于sesam能产生具有较高稳定性的自启动锁模脉冲,其在行业中有着广泛的应用。但是,seram也有许多缺陷,例如:复杂的制备工艺增加了产品成本;有限的波长范围和光谱宽度;对温度波动敏感;对高激光功率的低损伤阈值;以及,对生成超短脉冲而言有限的脉冲持续时间。由于这些缺陷的存在,导致sesam在一些现代研究中的可用性很差。
3、因此,需要一种改进的可饱和吸收体,可饱和吸收体的制备方法以及光纤激光器。
技术实现思路
1、有鉴于此,本专利技术提供了可饱和吸收体,可饱和吸收体的其制备方法以及光纤激光器。
2、在本专利技术的第一方面,提供了一种可饱和吸收体,其包括侧面抛磨光纤以及附着在所述侧面抛磨光纤的抛磨区域上的碲化铪二维材料。<
...【技术保护点】
1.一种可饱和吸收体,其特征在于,包括侧面抛磨光纤以及附着在所述侧面抛磨光纤的抛磨区域上的碲化铪二维材料。
2.如权利要求1所述的可饱和吸收体,其中所述碲化铪二维材料是多个碲化铪纳米片,所述碲化铪纳米片的厚度在55-75nm之间。
3.如权利要求1或2所述的可饱和吸收体,其中所述抛磨区域与所述侧面抛磨光纤的纤芯之间的间距为1-2μm。
4.如权利要求1或2所述的可饱和吸收体,其中所述抛磨区域的长度为10-15mm。
5.一种可饱和吸收体的制备方法,其特征在于,包括:
6.如权利要求5所述的制备方法,其中所述含有碲化铪二维材料的溶液的溶剂为异丙醇,所述碲化铪二维材料是多个碲化铪纳米片。
7.如权利要求6所述的制备方法,其中所述将含有碲化铪二维材料的溶液施加在侧面抛磨光纤的抛磨区域上包括:将所述含有碲化铪二维材料的溶液滴在所述侧面抛磨光纤的所述抛磨区域上。
8.如权利要求6所述的制备方法,其中所述含有碲化铪二维材料的溶液通过以下步骤制备:
9.如权利要求8所述的制备方法,其中在将所述碲化铪
10.如权利要求8所述的制备方法,其中所述超声波混匀时间为24-30小时,所使用的超声波由输出功率为400W、频率为40KHz的超声波发生器提供。
11.如权利要求10所述的制备方法,其中在对所述碲化铪异丙醇溶液进行超声波混匀时,将所述碲化铪异丙醇溶液的温度保持为28-30℃。
12.如权利要求8所述的制备方法,其中离心处理的时间为5分钟,转速为2000rpm。
13.一种光纤激光器,其特征在于,所述光纤激光器的环形腔包括如权利要求1-4所述的可饱和吸收体。
14.如权利要求13所述的光纤激光器,其中所述环形腔包括通过光纤连接的激光器、波分复用器、增益介质、偏振无关隔离器、偏振控制器、所述可饱和吸收体和输出耦合器。
15.如权利要求14所述的光纤激光器,其中所述激光器为波长为976nm的二极管泵浦激光器,所述增益介质为掺饵光纤,所述波分复用器为980/1550nm波长用波分复用器,所述偏振控制器为三环型偏振控制器。
...【技术特征摘要】
1.一种可饱和吸收体,其特征在于,包括侧面抛磨光纤以及附着在所述侧面抛磨光纤的抛磨区域上的碲化铪二维材料。
2.如权利要求1所述的可饱和吸收体,其中所述碲化铪二维材料是多个碲化铪纳米片,所述碲化铪纳米片的厚度在55-75nm之间。
3.如权利要求1或2所述的可饱和吸收体,其中所述抛磨区域与所述侧面抛磨光纤的纤芯之间的间距为1-2μm。
4.如权利要求1或2所述的可饱和吸收体,其中所述抛磨区域的长度为10-15mm。
5.一种可饱和吸收体的制备方法,其特征在于,包括:
6.如权利要求5所述的制备方法,其中所述含有碲化铪二维材料的溶液的溶剂为异丙醇,所述碲化铪二维材料是多个碲化铪纳米片。
7.如权利要求6所述的制备方法,其中所述将含有碲化铪二维材料的溶液施加在侧面抛磨光纤的抛磨区域上包括:将所述含有碲化铪二维材料的溶液滴在所述侧面抛磨光纤的所述抛磨区域上。
8.如权利要求6所述的制备方法,其中所述含有碲化铪二维材料的溶液通过以下步骤制备:
9.如权利要求8所述的制备方法,其中在将所...
【专利技术属性】
技术研发人员:曾远康,萨法耶特·艾哈迈德,郭宗亮,
申请(专利权)人:香港理工大学,
类型:发明
国别省市:
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