System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 像素电路及其驱动方法技术_技高网

像素电路及其驱动方法技术

技术编号:43031222 阅读:5 留言:0更新日期:2024-10-18 17:32
本发明专利技术公开了一种像素电路及其驱动方法。包括:数据写入单元,用于控制数据信号的输入;储能单元,第一端连接所述数据写入单元的输出端,用于将所述数据写入单元输出的数据信号进行存储;发光单元,用于进行发光显示;第一发光控制单元,其输入端连接高电平VDD,控制端输入控制信号,输出端连接储能单元的第一端;驱动晶体管,栅端连接储能单元的第二端,输入端连接第一发光控制单元的输出;第二发光控制单元;补偿单元。本发明专利技术通过提出一种新的像素电路及驱动方法,发光电流与TD的阈值电压无关,从而消除了阈值电压差异对于显示的影响。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示,尤其涉及一种像素电路及其驱动方法


技术介绍

1、有机发光显示器(organic light emitting diode,oled)是当前平板显示器研究领域的热点之一。与液晶显示器相比,oled具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点,目前在手机、pda、数码相机等平板显示领域,oled已经开始取代传统的液晶显示屏(liquid crystal display,lcd)。其中,驱动电路的设计,是实现显示功能的关键技术。

2、驱动电路一般可以包括扫描驱动电路、发光控制电路、数据驱动电路、像素电路等,其中像素电路设计是oled显示器核心
技术实现思路
,具有重要的研究意义。

3、随着显示技术的发展,人们对显示效果的要求也越来越高。然而不同的像素之间由于半导体器件的物理结构和电气特性的不同,在半导体器件中,驱动晶体管存在阈值差异,并随着显示面板尺寸的增大,问题越显著,导致显示不均匀。


技术实现思路

1、为了解决现有技术中存在的问题,本专利技术提供了一种像素电路及其驱动方法。

2、本专利技术提供了一种像素电路,包括:

3、数据写入单元,用于控制数据信号的输入;

4、储能单元,第一端连接所述数据写入单元的输出端,用于将所述数据写入单元输出的数据信号进行存储;

5、发光单元,用于进行发光显示;

6、第一发光控制单元,其输入端连接高电平vdd,控制端输入控制信号,输出端连接储能单元的第一端;

7、驱动晶体管,栅端连接储能单元的第二端,输入端连接第一发光控制单元的输出;

8、第二发光控制单元,其控制端输入发光使能信号,输入端连接驱动晶体管的输出,输出端用于向发光单元提供发光电流;

9、补偿单元,第一端连接所述储能单元的第二端,第二端连接驱动晶体管的输出端,控制端输入补偿控制信号。

10、可选的,还包括:第一复位单元,所述第一复位单元连接所述发光单元的输入端,用于将所述发光单元进行复位。

11、可选的,还包括:第二复位单元,所述第二复位单元连接所述储能单元的第二端,用于将所述储能单元进行复位。

12、可选的,所述数据写入单元包括:第二pmos晶体管,其源极连接数据信号。

13、可选的,所述储能单元包括:电容,其第一端连接所述数据写入单元的第二pmos晶体管的漏极。

14、可选的,所述第一发光控制单元包括第一pmos晶体管,其源极连接高电平vdd,栅极连接控制信号。

15、可选的,所述驱动晶体管为硅晶mos晶体管。

16、可选的,所述第二发光控制单元包括第五pmos晶体管,其源极连接驱动晶体管的漏极,栅极连接发光使能信号。

17、可选的,所述驱动晶体管为硅晶pmos晶体管;所述补偿单元包括:第四pmos晶体管,其漏极连接所述电容的第二端,源极接驱动晶体管的漏极,栅极连接补偿控制信号。

18、可选的,所述第一复位单元包括:第六pmos晶体管,其漏极连接发光单元的输入端,栅极连接复位控制信号,源极输入复位信号;还包括第二复位单元,所述第二复位单元包括:第三pmos晶体管,其漏极连接储能单元的第二端,栅极连接复位控制信号,源极输入复位信号。

19、可选的,所述第一复位单元包括:第三pmos晶体管,其漏极连接驱动晶体管的输出端,栅极连接复位控制信号,源极接复位信号。

20、可选的,所述第一复位单元包括:第三pmos晶体管,其源极输入复位信号,栅极输入复位控制信号,漏极接连接储能单元的第二端。

21、一种像素电路的驱动方法,包括步骤:

22、初始化阶段,第一复位单元和第二复位单元打开,第一发光控制单元、数据写入单元、补偿单元和第二发光控制单元关闭,对储能单元和发光单元进行初始化;

23、数据写入阶段,第一发光控制单元、补偿单元和第二发光控制单元关闭,数据写入单元和第一复位单元和第二复位单元打开,数据写入;

24、阈值电压补偿阶段,第一发光控制单元、第二发光控制单元和第一复位单元和第二复位单元关闭,数据写入单元和补偿单元打开,直到vdata-vg=a*(vdd-vdata)+|vth|,其中a为衬偏系数;

25、发光阶段,第一发光控制单元和第二发光控制单元打开,数据写入单元、补偿单元和第一复位单元和第二复位单元关闭,

26、ioled=β*(vsg-|vth|)2=β*a2*(vdd-vdata)2。

27、一种像素电路的驱动方法,包括步骤:

28、初始化与数据写入阶段,第一发光控制单元和第二发光控制单元关闭,数据写入单元、补偿单元和第一复位单元打开,对储能单元进行初始化和写入数据;

29、阈值电压vth补偿阶段,第一发光控制单元、第二发光控制单元和第一复位单元关闭,数据写入单元和补偿单元打开,数据写入,直到

30、vdata-vg=a*(vdd-vdata)+|vth|,其中a为衬偏系数;

31、阳极初始化阶段,第一发光控制单元、数据写入单元和补偿单元关闭,第一复位单元和第二发光控制单元打开;

32、发光阶段,第一复位单元、数据写入单元、补偿单元关闭,第一发光控制单元和第二发光控制单元打开,

33、ioled=β*(vsg-|vth|)2=β*a2*(vdd-vdata)2。

34、一种像素电路的驱动方法,包括步骤:

35、阳极初始化阶段,第一发光控制单元和数据写入单元关闭,补偿单元、第二发光控制单元和第一复位单元打开;

36、数据写入阶段,第一发光控制单元、第二发光控制单元和补偿单元关闭,数据写入单元、第一复位单元打开,数据写入驱动晶体管源极;

37、阈值电压vth补偿阶段,第一发光控制单元和第一复位单元、第二发光控制单元关闭,数据写入单元和补偿单元打开,直到

38、vdata-vg=a*(vdd-vdata)+|vth|,其中a为衬偏系数;

39、发光阶段,第一复位单元、数据写入单元、补偿单元关闭,第一发光控制单元和第二发光控制单元打开。

40、ioled=β*(vsg-|vth|)2=β*a2*(vdd-vdata)2。

41、本专利技术oled发光电流与td的阈值电压无关,从而消除了阈值电压差异对于显示的影响。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种像素电路,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,还包括:第一复位单元,所述第一复位单元连接所述发光单元的输入端,用于将所述发光单元进行复位。

3.如权利要求2所述的像素电路,其特征在于,还包括:第二复位单元,所述第二复位单元连接所述储能单元的第二端,用于将所述储能单元进行复位。

4.如权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述数据写入单元包括:第二PMOS晶体管,其源极连接数据信号。

5.如权利要求4所述的像素电路,其特征在于,所述储能单元包括:电容,其第一端连接所述数据写入单元的第二PMOS晶体管的漏极。

6.如权利要求5所述的像素电路,其特征在于,所述第一发光控制单元包括第一PMOS晶体管,其源极连接高电平VDD,栅极连接控制信号。

7.如权利要求6所述的像素电路,其特征在于,所述驱动晶体管为硅晶MOS晶体管。

8.如权利要求7所述的像素电路,其特征在于,所述第二发光控制单元包括第五PMOS晶体管,其源极连接驱动晶体管的漏极,栅极连接发光使能信号。

>9.如权利要求8所述的像素电路,其特征在于,所述驱动晶体管为硅晶PMOS晶体管;所述补偿单元包括:第四PMOS晶体管,其漏极连接所述电容的第二端,源极接驱动晶体管的漏极,栅极连接补偿控制信号。

10.如权利要求9所述的像素电路,其特征在于,所述第一复位单元包括:第六PMOS晶体管,其漏极连接发光单元的输入端,栅极连接复位控制信号,源极接复位信号;还包括第二复位单元,所述第二复位单元包括:第三PMOS晶体管,其漏极连接储能单元的第二端,栅极连接复位控制信号,源极输入复位信号。

11.如权利要求9所述的像素电路,其特征在于,所述第一复位单元包括:第三PMOS晶体管,其漏极连接驱动晶体管的输出端,栅极连接复位控制信号,源极接复位信号。

12.如权利要求9所述的像素电路,其特征在于,所述第一复位单元包括:第三PMOS晶体管,其源极输入复位信号,栅极输入复位控制信号,漏极接连接储能单元的第二端。

13.一种权利要求1至12任意一项所述的像素电路的驱动方法,其特征在于,包括步骤:

14.一种权利要求1至12任意一项所述的像素电路的驱动方法,其特征在于,包括步骤:

15.一种权利要求1至12任意一项所述的像素电路的驱动方法,其特征在于,包括步骤:

...

【技术特征摘要】

1.一种像素电路,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,还包括:第一复位单元,所述第一复位单元连接所述发光单元的输入端,用于将所述发光单元进行复位。

3.如权利要求2所述的像素电路,其特征在于,还包括:第二复位单元,所述第二复位单元连接所述储能单元的第二端,用于将所述储能单元进行复位。

4.如权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述数据写入单元包括:第二pmos晶体管,其源极连接数据信号。

5.如权利要求4所述的像素电路,其特征在于,所述储能单元包括:电容,其第一端连接所述数据写入单元的第二pmos晶体管的漏极。

6.如权利要求5所述的像素电路,其特征在于,所述第一发光控制单元包括第一pmos晶体管,其源极连接高电平vdd,栅极连接控制信号。

7.如权利要求6所述的像素电路,其特征在于,所述驱动晶体管为硅晶mos晶体管。

8.如权利要求7所述的像素电路,其特征在于,所述第二发光控制单元包括第五pmos晶体管,其源极连接驱动晶体管的漏极,栅极连接发光使能信号。

9.如权利要求8所述的像素电路,其特征在于,所述驱动晶体管为硅...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙林刘胜芳
申请(专利权)人:安徽熙泰智能科技有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1