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【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示,尤其涉及一种像素电路及其驱动方法。
技术介绍
1、有机发光显示器(organic light emitting diode,oled)是当前平板显示器研究领域的热点之一。与液晶显示器相比,oled具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点,目前在手机、pda、数码相机等平板显示领域,oled已经开始取代传统的液晶显示屏(liquid crystal display,lcd)。其中,驱动电路的设计,是实现显示功能的关键技术。
2、驱动电路一般可以包括扫描驱动电路、发光控制电路、数据驱动电路、像素电路等,其中像素电路设计是oled显示器核心
技术实现思路
,具有重要的研究意义。
3、随着显示技术的发展,人们对显示效果的要求也越来越高。然而不同的像素之间由于半导体器件的物理结构和电气特性的不同,在半导体器件中,驱动晶体管存在阈值差异,并随着显示面板尺寸的增大,问题越显著,导致显示不均匀。
技术实现思路
1、为了解决现有技术中存在的问题,本专利技术提供了一种像素电路及其驱动方法。
2、本专利技术提供了一种像素电路,包括:
3、数据写入单元,用于控制数据信号的输入;
4、储能单元,第一端连接所述数据写入单元的输出端,用于将所述数据写入单元输出的数据信号进行存储;
5、发光单元,用于进行发光显示;
6、第一发光控制单元,其输入端连接高电平vdd,控制端输入控制信号,输出端连接储能单元的第一
7、驱动晶体管,栅端连接储能单元的第二端,输入端连接第一发光控制单元的输出;
8、第二发光控制单元,其控制端输入发光使能信号,输入端连接驱动晶体管的输出,输出端用于向发光单元提供发光电流;
9、补偿单元,第一端连接所述储能单元的第二端,第二端连接驱动晶体管的输出端,控制端输入补偿控制信号。
10、可选的,还包括:第一复位单元,所述第一复位单元连接所述发光单元的输入端,用于将所述发光单元进行复位。
11、可选的,还包括:第二复位单元,所述第二复位单元连接所述储能单元的第二端,用于将所述储能单元进行复位。
12、可选的,所述数据写入单元包括:第二pmos晶体管,其源极连接数据信号。
13、可选的,所述储能单元包括:电容,其第一端连接所述数据写入单元的第二pmos晶体管的漏极。
14、可选的,所述第一发光控制单元包括第一pmos晶体管,其源极连接高电平vdd,栅极连接控制信号。
15、可选的,所述驱动晶体管为硅晶mos晶体管。
16、可选的,所述第二发光控制单元包括第五pmos晶体管,其源极连接驱动晶体管的漏极,栅极连接发光使能信号。
17、可选的,所述驱动晶体管为硅晶pmos晶体管;所述补偿单元包括:第四pmos晶体管,其漏极连接所述电容的第二端,源极接驱动晶体管的漏极,栅极连接补偿控制信号。
18、可选的,所述第一复位单元包括:第六pmos晶体管,其漏极连接发光单元的输入端,栅极连接复位控制信号,源极输入复位信号;还包括第二复位单元,所述第二复位单元包括:第三pmos晶体管,其漏极连接储能单元的第二端,栅极连接复位控制信号,源极输入复位信号。
19、可选的,所述第一复位单元包括:第三pmos晶体管,其漏极连接驱动晶体管的输出端,栅极连接复位控制信号,源极接复位信号。
20、可选的,所述第一复位单元包括:第三pmos晶体管,其源极输入复位信号,栅极输入复位控制信号,漏极接连接储能单元的第二端。
21、一种像素电路的驱动方法,包括步骤:
22、初始化阶段,第一复位单元和第二复位单元打开,第一发光控制单元、数据写入单元、补偿单元和第二发光控制单元关闭,对储能单元和发光单元进行初始化;
23、数据写入阶段,第一发光控制单元、补偿单元和第二发光控制单元关闭,数据写入单元和第一复位单元和第二复位单元打开,数据写入;
24、阈值电压补偿阶段,第一发光控制单元、第二发光控制单元和第一复位单元和第二复位单元关闭,数据写入单元和补偿单元打开,直到vdata-vg=a*(vdd-vdata)+|vth|,其中a为衬偏系数;
25、发光阶段,第一发光控制单元和第二发光控制单元打开,数据写入单元、补偿单元和第一复位单元和第二复位单元关闭,
26、ioled=β*(vsg-|vth|)2=β*a2*(vdd-vdata)2。
27、一种像素电路的驱动方法,包括步骤:
28、初始化与数据写入阶段,第一发光控制单元和第二发光控制单元关闭,数据写入单元、补偿单元和第一复位单元打开,对储能单元进行初始化和写入数据;
29、阈值电压vth补偿阶段,第一发光控制单元、第二发光控制单元和第一复位单元关闭,数据写入单元和补偿单元打开,数据写入,直到
30、vdata-vg=a*(vdd-vdata)+|vth|,其中a为衬偏系数;
31、阳极初始化阶段,第一发光控制单元、数据写入单元和补偿单元关闭,第一复位单元和第二发光控制单元打开;
32、发光阶段,第一复位单元、数据写入单元、补偿单元关闭,第一发光控制单元和第二发光控制单元打开,
33、ioled=β*(vsg-|vth|)2=β*a2*(vdd-vdata)2。
34、一种像素电路的驱动方法,包括步骤:
35、阳极初始化阶段,第一发光控制单元和数据写入单元关闭,补偿单元、第二发光控制单元和第一复位单元打开;
36、数据写入阶段,第一发光控制单元、第二发光控制单元和补偿单元关闭,数据写入单元、第一复位单元打开,数据写入驱动晶体管源极;
37、阈值电压vth补偿阶段,第一发光控制单元和第一复位单元、第二发光控制单元关闭,数据写入单元和补偿单元打开,直到
38、vdata-vg=a*(vdd-vdata)+|vth|,其中a为衬偏系数;
39、发光阶段,第一复位单元、数据写入单元、补偿单元关闭,第一发光控制单元和第二发光控制单元打开。
40、ioled=β*(vsg-|vth|)2=β*a2*(vdd-vdata)2。
41、本专利技术oled发光电流与td的阈值电压无关,从而消除了阈值电压差异对于显示的影响。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种像素电路,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,还包括:第一复位单元,所述第一复位单元连接所述发光单元的输入端,用于将所述发光单元进行复位。
3.如权利要求2所述的像素电路,其特征在于,还包括:第二复位单元,所述第二复位单元连接所述储能单元的第二端,用于将所述储能单元进行复位。
4.如权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述数据写入单元包括:第二PMOS晶体管,其源极连接数据信号。
5.如权利要求4所述的像素电路,其特征在于,所述储能单元包括:电容,其第一端连接所述数据写入单元的第二PMOS晶体管的漏极。
6.如权利要求5所述的像素电路,其特征在于,所述第一发光控制单元包括第一PMOS晶体管,其源极连接高电平VDD,栅极连接控制信号。
7.如权利要求6所述的像素电路,其特征在于,所述驱动晶体管为硅晶MOS晶体管。
8.如权利要求7所述的像素电路,其特征在于,所述第二发光控制单元包括第五PMOS晶体管,其源极连接驱动晶体管的漏极,栅极连接发光使能信号。
10.如权利要求9所述的像素电路,其特征在于,所述第一复位单元包括:第六PMOS晶体管,其漏极连接发光单元的输入端,栅极连接复位控制信号,源极接复位信号;还包括第二复位单元,所述第二复位单元包括:第三PMOS晶体管,其漏极连接储能单元的第二端,栅极连接复位控制信号,源极输入复位信号。
11.如权利要求9所述的像素电路,其特征在于,所述第一复位单元包括:第三PMOS晶体管,其漏极连接驱动晶体管的输出端,栅极连接复位控制信号,源极接复位信号。
12.如权利要求9所述的像素电路,其特征在于,所述第一复位单元包括:第三PMOS晶体管,其源极输入复位信号,栅极输入复位控制信号,漏极接连接储能单元的第二端。
13.一种权利要求1至12任意一项所述的像素电路的驱动方法,其特征在于,包括步骤:
14.一种权利要求1至12任意一项所述的像素电路的驱动方法,其特征在于,包括步骤:
15.一种权利要求1至12任意一项所述的像素电路的驱动方法,其特征在于,包括步骤:
...【技术特征摘要】
1.一种像素电路,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,还包括:第一复位单元,所述第一复位单元连接所述发光单元的输入端,用于将所述发光单元进行复位。
3.如权利要求2所述的像素电路,其特征在于,还包括:第二复位单元,所述第二复位单元连接所述储能单元的第二端,用于将所述储能单元进行复位。
4.如权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述数据写入单元包括:第二pmos晶体管,其源极连接数据信号。
5.如权利要求4所述的像素电路,其特征在于,所述储能单元包括:电容,其第一端连接所述数据写入单元的第二pmos晶体管的漏极。
6.如权利要求5所述的像素电路,其特征在于,所述第一发光控制单元包括第一pmos晶体管,其源极连接高电平vdd,栅极连接控制信号。
7.如权利要求6所述的像素电路,其特征在于,所述驱动晶体管为硅晶mos晶体管。
8.如权利要求7所述的像素电路,其特征在于,所述第二发光控制单元包括第五pmos晶体管,其源极连接驱动晶体管的漏极,栅极连接发光使能信号。
9.如权利要求8所述的像素电路,其特征在于,所述驱动晶体管为硅...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙林,刘胜芳,
申请(专利权)人:安徽熙泰智能科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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