【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体器件生产测试，特别是一种熔丝烧熔方法。
技术介绍
1、在大规模集成电路生产过程中，由于工艺波动、原材料批次差异等原因，难以完全保证芯片电压、电流等电性参数指标的高精度要求，故常常需要通过烧断预先置入电路中的熔丝来对所需电性参数初值进行微量修改调整，从而获得更加精准的电性参数输出-电性参数期望值。对于不同的电压基准，通常设计置入多种不同设计值的熔丝，如对于2.5v的电压基准，设有1mv、2mv等熔丝值。在测试时可根据实际的参数值选择不同设计值的熔丝进行烧熔，从而对电性参数实现微调，使芯片的电性参数达到或尽可能接近期望值。
2、目前常用熔丝烧熔方法通常包括如下步骤：
3、步骤一，利用测试机测得芯片待修调电性参数初值；
4、步骤二，根据芯片待修调电性参数初值与期望值的差异，选择相应设计值的熔丝，采用步进方式烧熔；
5、经熔丝烧熔修调后，理论上，待修调电性参数的终值就会非常接近，甚至达到期望值，从而得到高精度电性参数的电路或芯片产品。
6、然而，由于工艺的波动，熔丝的实际值与设计值难免存在偏差。如修调过程中只根据熔丝的设计值进行熔丝烧熔，最终得到的器件电性参数终值也就会与期望值出现偏差，从而难以满足电性参数指标的高精度要求。
7、因此，现有技术存在的问题是：在熔丝烧熔时，由于未考虑熔丝的实际值受到工艺波动的影响，与设计值存在偏差，导致器件电性参数经修调后的精度仍难以达到高精度要求。
技术实现思路
1
2、实现本专利技术目的的技术解决方案为：
3、一种熔丝烧熔方法，获取前一批修调所用熔丝实际值，作为下一批次熔丝设计值，从而进行下一批次熔丝步进烧熔。
4、优选地，本专利技术熔丝烧熔方法，包括如下步骤：
5、(10)电性参数初值获取：测量得到每个芯片待修调电性参数初值；
6、(20)步进烧熔：根据芯片待修调电性参数初值与期望值的差异，选择相应设计值的熔丝，步进烧熔，以修调所述电性参数；
7、(30)电性参数修后值测量：测量得到每个芯片每段熔丝修调后的待修调电性参数修后值；
8、(40)每段熔丝实际值计算：根据待修调电性参数修后值与待修调电性参数初值，计算得到熔丝实际值；
9、(50)芯片批数量判断：当芯片数量小于等于测量批个数时，转至(10)步骤，否则，继续下一步；
10、(60)熔丝设计值更新：将多个芯片修调得到的熔丝实际值取平均值，得到新的熔丝设计值；芯片数量归零，转至(20)步骤。
11、本专利技术与现有技术相比，其显著优点为：
12、1、电性参数修调精度高：本专利技术采用实际测量电性参数修后值，计算得到熔丝实际值，并据此更新熔丝设计值，使下一批次的熔丝设计值更加接近实际值，从而使下一批次的电性参数修调精度更高。解决了现有技术中因工艺波动对电性参数修调精度的影响。
13、2、操作简单：本专利技术仍采用原有测试机对修调后的电性参数进行测量，操作简单、可靠。
14、下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步的详细描述。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种熔丝烧熔方法，其特征在于，获取前一批修调所用熔丝实际值，作为下一批次熔丝设计值，从而进行下一批次熔丝步进烧熔。
2.根据权利要求1所述的熔丝烧熔方法，其特征在于，包括如下步骤：
3.根据权利要求2所述的熔丝烧熔方法，其特征在于：
4.根据权利要求2所述的熔丝烧熔方法，其特征在于：
5.根据权利要求2所述的熔丝烧熔方法，其特征在于：
【技术特征摘要】
1.一种熔丝烧熔方法，其特征在于，获取前一批修调所用熔丝实际值，作为下一批次熔丝设计值，从而进行下一批次熔丝步进烧熔。
2.根据权利要求1所述的熔丝烧熔方法，其特征在于，包括如下步骤...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭力，夏伟华，凌之恒，苏壮壮，孙丽军，
申请(专利权)人：江苏万邦微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。