【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种cmos图像传感器及其制造方法。
技术介绍
1、近红外光谱检测在成像和机器视觉方面应用广泛，随着近红外成像需求日益增加，coms图像传感器在800～1000nm波长范围内的灵敏度已经成为重要考虑因素。例如导航系统、驾驶员辅助系统等应用，其需要图像传感器在850nm或940nm的特定照明光源下(低光水平下)有成像能力。然而，硅在近红外光谱中吸收性很差，如图1所示，波长变长时吸收急剧减小，硅在近红外光谱中探测效率低于20％。如果增加硅厚度，虽然吸收率提高，但该结构与其他工艺相适配还存在一些困难，提高cmos图像传感器的近红外成像能力的同时，还需要与传统硅基cis不同工艺相适应，获得在近红外拥有优异性能的图像传感器面临着巨大的挑战。
2、需要说明的是，公开于该专利技术
技术介绍
部分的信息仅仅旨在加深对本专利技术一般
技术介绍
的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种cmos图像传感器及其制造方法，以解决cmos图像传感器的近红外成像能力不佳的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种cmos图像传感器，包括：
3、衬底，其背侧布置有多个光电二极管，且邻近的所述光电二极管之间布置有深沟槽隔离结构，其中所述衬底具有相对的前侧和背侧；
4、多个单元结构，阵列排布于每个所述光电二极管的顶面，用于使光线衍射，其中所述光电
5、优选地，所述衬底为p型衬底，所述光电二极管包括p型外延层和n阱，所述p型外延层位于所述p型衬底的背侧，所述n阱位于所述p型外延层背离所述p型衬底的一侧。
6、优选地，所述深沟槽隔离结构至少部分地延伸至所述p型衬底中。
7、优选地，所述单元结构为多晶硅材质。
8、优选地，所述单元结构为矩形。
9、基于相同的技术构思，本公开还提供了一种cmos图像传感器的制造方法，包括：
10、提供衬底，在衬底的背侧形成深沟槽隔离结构，其中所述衬底具有相对的前侧和背侧；
11、在所述衬底的背侧形成光电二极管，邻近的所述光电二极管之间通过所述深沟槽隔离结构隔离；
12、在所述光电二极管背离所述衬底的一侧沉积透光介质，并通过光刻和刻蚀形成阵列排布的多个单元结构，用于使光线衍射。
13、优选地，形成所述深沟槽隔离结构包括：在所述衬底的背侧布置p型外延层，其中所述衬底为p型衬底，通过光刻暴露出所述p型外延层表面所需刻蚀的区域，继续刻蚀形成深沟槽；在所述深沟槽的内壁生长钝化层，在所述深沟槽内填充氧化物，通过化学机械抛光去除多余的氧化物。
14、优选地，所述深沟槽隔离结构至少部分地延伸至所述p型衬底中。
15、优选地，形成所述光电二极管包括：在所述p型外延层上进行离子注入，以形成n阱。
16、优选地，所述透光介质为多晶硅，所述单元结构为矩形。
17、在本专利技术提供的cmos图像传感器，通过布设阵列的单元结构，光线通过单元结构衍射，扩大光的有效路径，利用衍射结构扩展有源层内部的有效光路长度，结合深沟槽隔离结构，改善cis在近红外成像性能，降低像素间串扰。
18、本专利技术提供的cmos图像传感器的制造方法与本专利技术提供的cmos图像传感器属于同一专利技术构思，因此，本专利技术提供的cmos图像传感器的制造方法至少具有本专利技术提供的cmos图像传感器的所有优点，在此不再赘述。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述衬底为P型衬底，所述光电二极管包括P型外延层和N阱，所述P型外延层位于所述P型衬底的背侧，所述N阱位于所述P型外延层背离所述P型衬底的一侧。
3.根据权利要求2所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述深沟槽隔离结构至少部分地延伸至所述P型衬底中。
4.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述单元结构为多晶硅材质。
5.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述单元结构为矩形。
6.一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，形成所述深沟槽隔离结构包括：在所述衬底的背侧布置P型外延层，其中所述衬底为P型衬底，通过光刻暴露出所述P型外延层表面所需刻蚀的区域，继续刻蚀形成深沟槽；在所述深沟槽的内壁生长钝化层，在所述深沟槽内填充氧化物，通过化学机械抛光去除多余的氧化物。
8.根据权利要求7所述
9.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，形成所述光电二极管包括：在所述P型外延层上进行离子注入，以形成N阱。
10.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述透光介质为多晶硅，所述单元结构为矩形。
...【技术特征摘要】
1.一种cmos图像传感器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的cmos图像传感器，其特征在于，所述衬底为p型衬底，所述光电二极管包括p型外延层和n阱，所述p型外延层位于所述p型衬底的背侧，所述n阱位于所述p型外延层背离所述p型衬底的一侧。
3.根据权利要求2所述的cmos图像传感器，其特征在于，所述深沟槽隔离结构至少部分地延伸至所述p型衬底中。
4.根据权利要求1所述的cmos图像传感器，其特征在于，所述单元结构为多晶硅材质。
5.根据权利要求1所述的cmos图像传感器，其特征在于，所述单元结构为矩形。
6.一种cmos图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的cmo...
【专利技术属性】
技术研发人员：张露，秋沉沉，陈辉，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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